DRAM发展过程
当FP/EDO记忆受到半导体技术的限制时，DRAM开发历史可以追溯到“古代”时期。频率仅为2 5 MHz/5 0MHz。
SDR之后，频率显着增加，从6 6 MHz升至1 3 3 MHz，但遇到了技术瓶颈。
DDR1 /2 /3 系列诞生，官方频率（由JEDEC指定）通常在1 00MHz-2 00MHz范围内，非正式的超频约为2 5 0MHz，因此很难打破3 00MHz的限制。
但是，高频内存稳定性和错误率的问题在实际应用中受到限制，除了简单的超频测试外，其余值受到限制。
如果无法无限地提高内存单元（内核刷新频率）的频率，那么人们已经转向I/O技术的改进。
通过优化I/O单元，生成了各种类型的内存，包括DDR1 /2 /3 ，GDDR1 /2 /3 /4 /5 这些改进旨在平衡频率和性能，以满足各种需求。
在硬件级别上，DRAM控制器和内存之间的相互作用很重要。
例如，使用DRAM状态寄存器（0x7 E001 000）读取控制器状态，包括控制器和内存宽度信息。
DRAM命令寄存器（0x7 E001 004 ）设置了最初配置为配置的工作状态，并在完成后将其设置为运行状态。
使用直接命令寄存器（0x7 E001 008 ）将命令发送到鼓和与访问相关的寄存器。
初始化过程包括设置为NOP模式，预付费以及配置EMR和MRS寄存器。
有关特定步骤，请参见您使用的DRAM的规格。
就术语而言，与DRAM相关的概念包括缓存/动态随机访问存储器控制器，动态随机访问存储器（DRAM）和延迟减少DRAM（LEDUMENTLATENCHINCDRAM）和快速延迟DRAM（RapidLatencyDram）。
配置这些DRAM时，您必须参考相应的数据表以确保正确的设置。
扩展信息3 管动态RAM基本存储电路
大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史
综合电路的诞生为最小化电子设备和芯片到来的基础。1 9 5 8 年9 月1 2 日，雅克·基尔比（Jacques Kilby）成功地使世界上第一个综合圈子成为了世界上的第一个综合圈子，后来选择了硅综合赛道的罗伯特·努斯（Robert Nuese）。
进入1 9 6 0年代，随着计算机技术的发展，可以在存储领域中使用集成电路技术。
半导体存储技术分为两个方向：ROM和RAM。
RAM用于存储计算数据，并且停电后将丢失数据。
1 9 6 6 年，罗伯特·迪纳德（Robert Dinard）发明了基于MOS晶体管和电容器结构的DRAM记忆，具有低能消耗性能，阅读速度，写作和高集成。
1 9 6 8 年，IBM记录了晶体管DRAM的专利，但由于对司法部打击垄断的调查，DRAM制造被推迟了。
1 9 6 9 年，先进的记忆系统生产了世界上第一个DRAM芯片，并出售给Haniole。
Haniole发现芯片过程存在问题并寻求英特尔的帮助。
创建Intel之后，我开始开发半导体内存芯片，并成功推出了6 4 位标准的RAM芯片和世界上第一个大型容量SRAM内存。
1 9 7 0年，英特尔推出了第一台DRAM C1 1 03 芯片，该芯片取得了巨大的成功，并成为了世界上销量最高的半导体记忆，为HP和DEC等重要客户提供服务。
英特尔快速发展与促进DRAM密不可分。
1 9 7 2 年，员工人数超过1 000，年收入超过2 3 00万美元，1 9 7 4 年的市场份额为8 2 .9 ％。
它也导致英特尔在DRAM领域，竞争对手，例如Texas Instruments和Mostec等竞争对手。
德州仪器（Texas Instruments）在Intel C1 1 03 推出后被拆除和复制，并于1 9 7 1 年和1 9 7 3 年推出了2 K和4 K DRAM。
MOSTEC是由德州仪器的首席工程师创立的。
DRAM产品于1 9 7 3 年推出了1 6 个黄蜂。
1 9 7 6 年推出的MK4 1 1 6 使用Poly-II流程，其容量为1 6 ,000，成为市场上的新最爱。
1 9 7 9 年，Mostek由United Technologies获得，1 9 7 8 年，四位技术人员在爱达荷州创建了镁公司。
随着日本经济的出现，在上个世纪的七十年代，日本政府投资了半导体行业，并通过联合研发项目入侵了基本的半导体加工设备和驾驶运营。
1 9 7 6 年，成功开发了6 4 K DRAM。
1 9 7 7 年，日本制造商与我们在研发方面的进步相关，他们开始超过八十年代。
到1 9 8 6 年，内存产品的全球市场份额增加日本人至6 5 ％，美国下降至3 0％。
在竞争压力下，英特尔在美国宣布将放弃DRAM市场，摩托罗拉是唯一一家生存的美国公司。
但是，日本半导体制造商迅速损失了权力，为韩国公司创造了机会。
韩国政府正在投资半导体行业，建立了韩国电子技术研究所，吸引了美国指挥的才华，着重于研究和开发主要的集成电路技术。
1 9 8 4 年，三星建造了第一家记忆工厂，并开始制作6 4 公斤的电视剧，并逐渐成为该行业的巨人。
DRAM行业已经进行了4 0年的激烈竞争，并展示了强大的周期性法律。
那些知道该行业的人得出结论，每年急剧存储会赚钱，并且将损失两年的钱，即“一笔利润和两次损失”。
根据此规则，可以长期生存的公司需要强大的现金流量和融资能力以及稳定的团队。
随着行业定期发展的特征，三星采用了“定期投资”策略，利用行业的骨盆时期来提高投资，扩大生产力和抑制价格，从而消除了竞争对手并成为半导体存储领域的先驱。
这种策略使三星在激烈的竞争中脱颖而出，因为它从一家小公司发展到了世界上最大的DRAM资源。
韩国DRAM行业的出现与政府的大力支持密切相关。
鉴于韩国政府的加强，韩国公司最终不仅通过引入技术，消化和吸收技术，还通过研究，开发和创新来掌握基本技术和市场的统治。
从八十年代到现在，DRAM行业已经经历了许多技术创新和市场的加强，但是三星以其杰出的技术能力，强大的研发能力和市场战略在全球DRAM市场中占据了现行地位。
内存是从多大到多大的顺序
记忆能力不遵循某种“更大”或“最大”的顺序，因为这取决于许多因素，包括技术增长，市场需求，生产成本和制造商策略，包括许多因素。但是，从技术发展的全面角度来看，随着半导体过程的不断发展，记忆芯片的能力实际上正在增加。
在初始的计算机系统中，内存可能发生在Kb（Kilobytes），然后是MB（Megabytes），然后是GB（GIGABYTES）和TB（TERABYTES），甚至PB（Beat Bytes）的水平。
此过程反映了记忆容量的快速增长，从而使计算机可以处理更复杂的数据和功能。
特别是，单个计算机的内存能力已从某些MB增加到8 GB，最初的几天1 6 GB或更多，而服务器或高端计算平台可能配备了数百GB的许多TB内存。
这些变化不仅改善了计算机的性能，还可以促进大型数据处理，云计算，人工智能和其他领域的快速增长。
因此，尽管没有一定的记忆能力顺序，但我们可以看到的是一种不断的向上趋势，它将继续促进计算机技术的进步和应用程序的扩展。
手机RAM内存真的越大越好吗？
关于手机RAM内存的讨论：它是更大，更好的内存吗？在智能手机硬件竞赛中，增加RAM内存能力是一个重大趋势。例如，在2 01 6 年，Android的主电话首次进入了6 GB时代。
面对iPhone6 s的2 GB内存，Android手机具有三倍的RAM容量，这提出了一个问题：两种内存管理机理有什么区别？您必须支付大型内存手机的费用吗？本文将回答。
RAM内存分析：RAM是手机运行程序，与CPU交换数据的临时存储空间，并且很长一段时间内都不会存储。
罗马用来存储数据很长时间。
Android手机的内存容量为6 GB，反映了快速硬件速率。
国内手机带来了巨大的记忆趋势：第一组6 GBRAM手机主要来自Android营地，例如VivoxPlay5 ，Lenovo Zukz2 Pro等。
国内手机在升级内存中起着重要作用。
相反，iOS Camp iPhone 6 s和Windows Mobile1 0具有较低的内存水平。
内存开发过程：从1 2 8 MB iPhone到6 GB Android，第二个开发速度显然不同。
iPhone的内存增加速度较慢，而三年来，Android从1 GB跳到6 GB，这与3 2 位SOC的限制有关。
内存管理机制的差异：Android手机倾向于完整的内存，而iOS优化内存管理，并在内存不足以确保新的应用程序加载时自动关闭背景过程。
这导致了Android，这需要更大的内存才能解决故障问题。
内存大小的影响：对于Android手机，大型内存有助于提高性能，尤其是在今天提高图形处理需求时。
但是，大型内存并不意味着更好，因为它会增加成本和功耗，制造商可以将其用于市场。
另外，还应考虑系统的内存，类型和优化量。
结论：内存越大，越好，需要根据处理器的性能，系统优化和个人要求选择它。
当前，成本效益的选项可以是配备带有4 GB内存的Snapdragon 8 2 0/6 5 2 处理器的手机，同时养成了良好的使用习惯和随着时间的推移清洁内存。
随着技术的发展，更大的记忆能力将继续成为一种趋势。
例如，1 2 GB内存粒子已经开始了巨大的生产 - 记住，而8 GB内存手机将来可能是主流。
