内存延时与频率和时序的关系？
内存延迟与频率和日历之间的关系很复杂，但是可以通过简化的公式来估算：delay = timing * 2 000 /频率。该公式表明，当时内存的延迟是成比例的，并且与频率成反比。
这意味着，当序列（即记忆的响应时间）增加时，内存的延迟将增加；当内存频率增加时，内存的延迟将减少。
首先，就实际材料性能而言，较低内存的同步通常意味着更快的性能，因为内存需要较短的准备时间，并且可以更快地启动数据传输。
在保持瞬间不变的同时，内存频率的增加也将增加内存数据的传输速率，从而减少延迟。
其次，该公式只是一种近似计算方法，该方法没有考虑到内存控制器的有效性，内存芯片的物理特征以及系统中其他因素，这可能会影响实际的内存性能。
在材料的实际设计和使用中，内存性能将受到多种因素的影响，包括存储芯片的质量，主板设计和系统优化。
总体而言，尽管此公式提供了基本的理解，但在评估记忆性能时必须考虑更多细节和实际情况。
选择内存，频率，日历和实际应用程序时，必须深入考虑您的最佳性能。
内存延迟时间问题
内存的延迟是指等待访问系统内存中存储的数据时造成的延迟。基本问题是处理器的主要频率接近4 GHz，而内存芯片速率仅为4 00 MHz，例如DDR3 2 00内存。
- 时钟速度的比率为1 0：1 因此，当处理器需要存储器盖以外的数据时，每个周期都必须等待1 0个时钟周期，然后才能完成数据的提取和传输数据。
通常，这些提取要求恢复几个内存周期，然后花更长的时间才能进入处理器。
这意味着数据提取将占据数百个处理器时钟周期，在此期间，应用程序无法管理任何其他任务。
内存的延迟表示系统在输入数据访问操作状态之前等待内存响应的时间。
它通常由4 个连接的阿拉伯数字表示，例如“ 3 -4 -4 -8 ”。
通常，四个数字的值越大，4 个数字越小，内存性能越小。
由于不及2 -2 -2 -5 的延迟较低，因此国际内存标准组织认为当前动态技术无法达到0或1 的延迟。
但是，并不是说使用延迟的延迟越高，内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS的四个值是在值时使用的CL-TRP-TRCD-TRAS的四个值。
因此，更合理的报告参数非常重要。
第一个问题是最重要的，表明注册阅读顺序和第一个输出数据之间的延迟（caslatence），即CL值，而单位是时钟周期。
这是纵向地址冲动的反应时间。
第二个问题代表了内存地址控制器（Raspre ckarge）的预紧时间，也就是说TRP。
指在可重新启动的线末端访问内存的那一刻之间的时间。
第三个问题代表了Colonne地址的存储线地址的延迟（Rastocasdelay），即TRCD。
第四期代表激活时间激活线Act-PréscargePrechargedElay（TRAS）的地址时间。
晚期记忆时间称为“延迟”，有一个特殊的术语。
为了以生命的方式了解延迟，我们还可以将内存视为数据存储表或Excel表，并确定每个数据的位置。
每个数据都标有排序的行和列数。
确定行和列号之后，数据将是唯一的。
当内存运行时，当必须读取或编写某些数据时，内存控制芯片将首先传输数据的列地址。
该RAS（Rowaddress -Strobe信号，线路地址信号）被激活。
在转换为线数据之前，需要几个执行周期，然后激活案例信号（columnAddressstrobe，信号地址列）。
RAS信号与情况信号之间的几个执行循环是低成本的晚期。
执行案件信号后，还需要几个执行周期。
当使用标准PC1 3 3 时，此执行循环约为2 至3 个周期，而DDRRAM约为4 至5 个周期。
在DDR中，延迟时间为2 至2 .5 个执行周期。
RAS-TO-CAS的时间取决于技术，大约是5 到7 个周期，这也是一个基本的延迟因素。
较低的CL内存具有较高的优势，可以用总时间表示。
有一个计算公式用于总存储器延迟和总延迟时间=系统时钟周期×Cl模式编号 +访问时间（TAC）。
首先，让我们了解访问时间的概念（TAC）。
TAC是访问访问权限的缩写，该访问是指最大数字的最高案例的输入时钟。
它是在纳秒中，这是一个与内存时钟周期完全不同的概念，尽管它位于纳秒中。
访问时间（TAC）表示读写时间，而时钟频率表示内存速度。
例如，如果DDR3 3 3 内存的内存时间为6 NS，其内存时钟周期为6 NS（DDR内存时钟周期= 1 x2 /存储频率，并且DDR4 00内存频率为4 00，则可以计算其时钟周期为6 NS）。
在主板的BIOS中，我们将其CL设置为2 .5 ，然后总延迟时间= 6 NSX2 .5 + 6 NS = 2 1 NS，如果将Cl设置为2 ，则总延迟时间= 6 NSX2 + 6 NS = 1 8 NS，这减少了3 NS的时间。
从总时间来看，CL值起着非常关键的作用。
因此，系统需求很高，像用户超频的人通常喜欢购买具有较低价值的内存。
当前，除了增加内存时钟以提高DDR性能的频率外，制造商的各种内存粒子还考虑了在病例时的减少以改善记忆性能。
但是，这并不意味着CL值越好，性能越好，因为其他因素会影响该数据。
例如，下一代处理器盖更有效，这意味着处理器从内存中读取数据较少。
此外，列数据的频率更高，因此冲洗风险也很高，并且阅读时间会增加。
最后，有时同时读取大量数据。
在这种情况下，相邻的内存数据将同时读取，并且时间延迟时间只会发生一次。
当您选择购买内存时，最好选择由同一CL定义的内存，因为系统中混合了不同速度的内存，并且系统将以较慢的速度运行。
换句话说，当将Cl2 .5 和Cl2 的内存同时插入主机时，系统将自动允许两个内存在状态Cl2 .5 中运行，从而导致浪费资源。
内存中的CL设置是什么意思？
Cl（Caslatenia）是指晚期CAS时间，这是纵向方向冲动的反应时间，也反映了在一定频率下测量不同规格的记忆的重要指标。内存负责CPU的供应计算所需的数据，但是CPU的速度远远超出了内存数据的传输速度，随之而来的是CPU的等待时间，这严重影响了系统的性能。
因此，快速记忆是提高CPU效率和整体性能的关键。
不管记忆的类型是在数据传输之前，都必须等待一定时间段内，这是传输的延迟。
CL设置反映了阅读阅读开始时从CPU到教育所需的等待时间。
在具有相同频率的内存中，低CL设置具有速度的优势。
内存延迟时间包括延迟，可以生动地理解为与数据位置进行通信所需的时间。
在内存中工作时，行和列编号是通过RAS（RowadressStrobe）和CAS（ColumnardressStrobe）信号确定的，涉及的执行周期是延迟时间。
不同技术的延迟时间。
DDRRAM的延迟时间约为4 -5 个周期，DDR中的延迟时间CA约为2 至2 .5 个周期。
CL设置在较低的内存中具有总延迟时间，计算总延迟时间的公式为：总延迟时间=时钟系统的系统××CL模式 +访问时间（CT）的数量。
访问时间（CT）是CAS中最大延迟的最大数字的输入时钟，这与内存时钟周期不同，代表读取和写作时间。
例如，DDR3 3 3 内存的访问时间为6 NS，内存时钟周期也是6 NS。
当CL设置为2 .5 时，总延迟时间为2 1 N，将CL设置为2 时，总延迟时间为1 8 ns，节省了3 NS时间。
CL值的大小对于总延迟时间至关重要，因此需要高系统并希望超频通常选择具有较低CL值的内存。
除了增加时钟的频率外，记忆性能的提高还需要减少延迟时间CAS。
但是，CL值不是唯一的性能指标。
新一代处理器缓存的效率，频繁访问列数据并同时读取大量数据会影响性能。
购买内存时，请选择具有相同CL设置的内存，以避免由于内存能力以不同速度而自动降低系统性能。
在记忆性能和选择多种因素期间，有许多因素需要考虑。
