国产SSD质量不靠谱？认准这四种内存颗粒，买高性价比SSD固态就不会踩雷
国内SSD正在上升，价格合理，价格合理，可以购买2 TB的数百人民币，而买家则蜂拥而至。但是接下来是质量帐户。
低价SSD的可靠性已受到质疑，作为国内制造商的Changjiang Storage也参与其中。
在市场上，低价SSD的质量不均匀。
一些品牌声称使用微米颗粒，但实际上很难将真实性分开。
区分国内SSD颗粒的关键是可靠地了解四种可靠类型的颗粒。
扬兹高程自密封的颗粒，具有出色的质量，自我生产，包装和质量控制，以确保稳定性。
识别方法很简单，芯片上的“ YM”标记是长江存储中的自封的颗粒。
这些类型的颗粒通常在钛SSD中发现。
在其他品牌中使用时，无需过多担心。
Jiangbolong颗粒是自密封颗粒的专门制造商，提供了易于识别的微米和长海拔颗粒。
这些作品通常用“ Longsys”或“ Foresee”徽标印刷。
这种类型的粒子在市场上更常见。
Jiahe Jinwei颗粒主要在长江河中包围储物颗粒，以及所有者众所周知的品牌，例如广播和阿斯加德。
当您识别时，“ Longsys”徽标经常会查看作品和“预测”单词。
该品牌是杨氏河存储颗粒中唯一明显标记的产品。
长江储存KR粒子，早期接触SSD产品的用户可能有一些了解。
尽管这些类型的颗粒是平庸的，作为长江存储标记的产物，可以确定质量。
有时会在市场上看到他是一个相对可靠的选择。
总而言之，当选择SSD时，应优先考虑大型制造商，例如Changjiang Storage，Jiangbolong，Jiahe Jinwei等，可以为更好的质量控制提供保证。
声称使用扬特兹河存储零件的标记仅作为参考，并且必须通过特定的测试来验证实际产品性能。
在价格和绩效之间进行选择时，将优先考虑可靠性和长期使用经验，以避免质量问题引起的缺点。
怎样识别正品金士顿内存?
不同的方法1 芯片颗粒的比较。以下照片显示了Kingston 2 GB/6 6 7 笔记本电脑内存的真实记忆，该记忆是由作者早些时候拍摄的。
它使用类似于假金斯敦记忆的Erbida粒子。
从图片可以清楚地看出，实际的内存粒子清楚地打印出来，而假记忆粒子非常乏味，反之亦然。
实际上，对于内存，PCB电路板的记忆成本不到1 0％，而粒子的价格是实际的“大头”。
因此，PCB通常最初是由OEM工厂生产的，粒子是用行话中的“白色碎片”制成的，这些术语是行业中提到的有缺陷的粒子。
它们非常便宜，但是它们的稳定性和兼容性非常糟糕。
2 细节的比较可以与上面的数据一起观察。
第一个是金斯敦R型商标的简短字体印刷。
金斯敦英语必须在注册商标“ R”周围清楚地打印出来。
由于作者的相机，在这里无法清楚地显示这一点，但是与假记忆和随机图像相比，这很明显。
3 金斯敦官方网站“一分钟真实性” 4 还有另一点，请仔细查看标签内的水印。
假记忆水印和金斯敦字体之间有明确的标记，后来清楚地打印出来。
它将在真正的金斯敦记忆中找到。
5 尽管金斯敦的记忆已经被假货困扰了很多年，但它仍然是记忆行业的销售冠军，这表明大多数消费者仍然仍然是金斯敦识别内存的兼容性和稳定性。
但是，当用户购买内存时，他们必须使用上述作者仔细识别它，然后必须在线或通过SMS查询来识别它，以便大大减少购买假货的机会。
如果您可以去金斯敦的指定商人购买产品，那么您会更舒服。
请注意，金斯敦条没有某些芯片，因此每批芯片都不同。
真正的和假的条不能用芯片来区分，但是金斯敦条带的PCB板保持不变，并且非常具体。
中国的所有金斯敦记忆将是由特殊程序创建的记忆反相遇数字。
这种反诉讼方法使用该方法是否在内存PCB板上标记了一个特殊过程的内存号码，以分离反爆炸标签上的4 导数字和内存号码中的4 导数编号正确或错误。
这种反企业措施的最大优势是，如果他们没有专业的记忆制造水平，那么很难为假货复制。
因此，使用这种方法来战斗将是这些欺诈者最痛苦的冲击。
此外，金斯敦内存的PCB板电路非常稳定，并且不含针，因此每个人在购买时都应更加注意。
给你一根内存没有表明它的大小,怎么来辨认它是多大的啊?
通过检查内存粒子的模型，我们可以计算内存能力。尽管目前有许多制造商生产存储棒，但相对较少的制造商可以生产内存颗粒并占领市场。
内部市场上传统记忆棒中使用的内存颗粒主要由某些国际制造商生产。
以下是为几个主要制造商的内存粒子使用编码规则，以说明识别内存能力的方法。
三星记忆粒子目前正在使用三星记忆粒子来产生记忆棒，并且具有很高的市场份额。
由于其巨大的产品范围，三星记忆粒子的名称规则非常复杂。
三星内存粒子以1 6 位数字代码命名。
其中，用户更关心识别内存和工作率能力，因此我们将重点放在这两个方的含义上。
编码规则：K4 xxxxxxxxxxxxxx主要含义：1 st Bit -K芯片K，代表内存芯片。
第二位 - 芯片类型4 ，代表性DRAM。
第三个位置 - 芯片类型的附加描述，S表示SDRAM，H表示DDR和G表示Sgram。
第四位和第五位 - 容量和刷新率。
具有相同容量的记忆也将采用不同的冷却速率，也将使用不同的数字。
6 4 、6 2 、6 3 、6 5 、6 6 、6 7 、6 a代表6 4 mbitons的容量； 2 8 、2 7 、2 a代表1 2 8 mbitons的能力； 5 6 、5 5 、5 7 、5 a代表2 5 6 毫米的容量； 5 1 代表5 1 2 毫米的容量。
第六和第七位 - 数据线引脚的数量，08 表示8 位数据； 1 6 代表1 6 位数据； 3 2 代表3 2 位数据； 6 4 代表6 4 位数据。
第1 1 号 - 连接“ - ”。
第1 4 位和第1 5 位 - 芯片速率，为6 0位为6 N； 7 0是7 N； 7 b为7 .5 N（Cl = 3 ）; 7 C为7 .5 ns（Cl = 2 ）; 8 0是8 ns； 1 0是1 0NS（6 6 MHz）。
知道内存粒子的主要人物的含义，在获得记忆棒后很容易计算其容量。
例如，使用1 8 件Samsungk4 H2 8 08 3 8 B-TCB0颗粒填充三星DDR存储器。
粒子数量的第四位和第五位“ 2 8 ”表示粒子为1 2 8 mbits，粒子的第六和第7 位“ 08 ”表示粒子是8 位数据的带宽。
这样，我们可以计算出记忆棒的容量为1 2 8 mbit（megabits）×1 6 件 / 8 bits = 2 5 6 Mb（mega -typing）。
注意：“ bit”是“图”，“ b”表示字节“字节”，如果一个字节为8 位，则在计算时将其除以8 关于记忆能力的计算，文章中提到的示例中有两种情况：一个是非ECC存储器，其中8 个8 位数据宽度的每片均可以形成存储器；另一个是ECC内存，在所有6 4 位数据之后，添加了ECC 8 -PIT ECC验证代码。
多亏了验证代码，可以检测到内存数据中的两个 - 数字错误，并且可以纠正一些错误。
因此，在能力的实际计算中，没有计算控制位，并且具有ECC函数的1 8 个粒子的记忆棒的实际容量为1 6 倍。
购买时，您还可以确定1 8 或9 个内存粒子的内存棒是ECC内存取决于此。
微米记忆颗粒微米的记忆粒子比三星更容易识别。
以下是数字MT4 8 LC1 6 M8 A2 TG-7 5 ，以说明微米内存的编码规则。
含义：MT-微米制造商的名称。
4 8 - - 内存类型。
4 8 代表SDRAM； 4 6 代表DDR。
LC-电压。
LC表示3 V； C表示5 V； V表示2 .5 V. 1 6 m8 -内存颗粒的能力为1 2 8 mbit，计算方法为：1 6 m（地址）×8 -tit数据宽度。
A2 -内存内核版本编号。
TG-包装方法，TG是TSOP包装。
-7 5 -—记忆工作率，-7 5 表示1 3 3 MHz； -6 5 表示1 5 0 MHz。
示例：由1 8 个编号颗粒MT4 6 V3 2 M4 -7 5 组成的Micronddr存储器。
此内存支持ECC功能。
因此，每个银行都是一个奇怪的记忆粒子。
它的容量计算为：容量3 2 m×4 位×1 6 芯片 / 8 = 2 5 6 MB（Megacts）。
西门子的记忆粒子目前是西门子的子公司Infineon，目前仅产生具有两个能力的记忆粒子：容量为1 .2 8 亿的颗粒，容量为2 .5 6 亿。
内存容量和数据宽度在数字中列出。
Infineon记忆中文件的组织模型由每个粒子的4 个银行组成。
因此，其内存粒子相对较低，也是最容易区分的。
HYB3 9 S1 2 8 4 00为1 2 8 MB / 4 BIT。
“ 1 2 8 ”表示粒子的能力，最后三个图表示存储数据的宽度。
其他人也是如此，例如：HYB3 9 S1 1 2 8 8 00.1 2 8 MB / 8 BITS； HYB3 9 S1 2 8 1 6 0为1 2 8 MB / 1 6 BIT； HYB3 9 S2 5 6 8 00为2 5 6 MB / 8 BIT。
表示Infineon存储器粒子工作率的方法是在其模型末端添加一条短线，然后标记工作率。
-7 .5 -表示内存的工作频率为1 3 3 MHz； -8 -表示内存的工作频率为1 00 MHz。
例如：1 金斯敦的记忆棒是使用1 6 HYB3 9 S1 2 8 4 00-7 .5 内存粒子产生的。
其容量的计算如下：1 2 8 Mbit（Megabits）×1 6 芯片 / 8 = 2 5 6 MB（Mega -typles）。
1 使用8 HYB3 9 S1 2 8 8 00-7 .5 内存粒子产生Ramaxel存储棒。
其容量的计算如下：1 2 8 Mbit（Megabits）×8 芯片 / 8 = 1 2 8 MB（Mega -Typing）。
Kingmax内存Kingmax内存颗粒记忆完全在Tinybga（TinyBallGridarray）软件包中。
这种包装模型是专利产品，因此我们看到Kingmax颗粒中的所有存储棒都是由工厂本身生产的。
Kingmax记忆粒子具有两个容量：6 4 00万和1 2 8 mbits。
在这里，您可以列出每个功能系列的内存模型。
注意：KSVA4 4 T4 A0A -6 4 mbits，地址为1 6 m×4 -tit数据宽度； KSV8 8 4 T4 A0A -6 4 mbits，空间地址8 M×8 -PIT数据宽度； KSV2 4 4 T4 XXX -1 2 8 MBITS，空间地址3 2 m×4 -PIT数据宽度； KSV6 8 4 T4 XXX -1 2 8 MBIT，Drayer空间1 6 m×8 -PIT数据宽度； KSV8 6 4 T4 XXX -1 2 8 MBITS，空间地址8 M×1 6 位数据宽度。
Kingmax内存的工作速度有四个状态，该状态是使用短线符号在模型之后分开内存工作率：-7 a -PC1 3 3 / Cl = 2 ; -7 -PC1 3 3 / Cl = 3 ; -8 a -PC1 00 / Cl = 2 ; -8 -pc1 00 / cl = 3 容量的计算如下：6 4 Mbit（Megabits）×1 6 件 / 8 = 1 2 8 MB（Mega -Typing）。
如何区分2bg和4bg内存?
区分2 bg和4 bg内存的关键是观察内存粒子的数量。许多人可能会惊讶地发现，银行组参数实际上是指粒子的数量，而不是内存粒子的数量。
但是现实是，2 bg内存仅存在于1 6 位粒子中。
如果您购买的内存粒子数为4 ，则意味着您使用1 6 位粒子购买的内存，因此确认它是2 bg的内存。
但是，不必担心那些问为什么您购买的记忆被标记为2 RX1 6 的人。
这里的解释是1 6 位粒子封装（2 bg）的形式是FCBGA9 6 ，而8 位/4 bg（4 bg）粒子封装为FCBGA7 8 由于1 6 位颗粒的外观看起来更苗条，因此可以通过观察粒子的形式可以轻松地识别两者之间的差异。
此外，粒子中的BG数对记忆性能性能有重要影响，尤其是在宽带使用方面。
显然，BG越多，内存性能就会越好。
这个事实客观地存在。
DDR3 和DDR4 之间的最大区别是DDR4 引入银行集团系统。
DDR3 粒子有4 个银行，而DDR4 4 银行包装到银行集团。
颗粒宽度甜菜分为2 bg（1 6 位）和4 bg（8 位，4 位）。
尽管在延迟参数中DDR4 可能更高，但由于存在在相同频率下的一组银行，DDR4 宽带性能高于DDR3 在讨论中，一些答案与该主题偏离，使真实的带宽与理论带宽相混淆。
实际上，我们正在谈论可以实现的宽带，而BGS数量的增加意味着记忆性能更接近理论宽带。
金士顿的内存怎样辨别真假？
如何区分金斯敦记忆的真实性：必须同时满足以下5 个要素才能成为真实的金斯敦。1 真实内存电路金斯敦（Kingston）上的焊接接头具有一层金色的抗氧化板和假材料，而没有一层金色的镀金来节省成本。
2 4 5 6 .每个内存上的内存粒子数量不会完全相同，请仔细识别它们。
应当指出的是，金斯敦在中国大陆，可负担，比克森，亨赫，朱尼，激光，长安申，Yaxun和其他任何标签中都有以下代理商。
市场上的常见是亨利和朱赫。
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