什么是8位的DRAM芯片？
芯片有1 0条地址线和8 个数据线。由于DRAM芯片的存储容量为5 1 2 K×8 位，因此最小数据存储单元为8 位，也就是说一个字节，因此其数据线需要总共8 位数据线，也就是说8 个数据线，通常是d（0）〜d（7 ）。
同时，我们可以看到单词位5 1 2 K的内存为2 ^ 1 9 = 5 2 4 2 8 8 = 5 1 2 K，因此1 9 可以使用地址顺序来表示DRAM的地址。
但是，DRAM内部存储单元主要采用线路结构，也就是说，多重传输柱信号在时间分配的时间分配，以便必须将地址线的数量减少到1 0个技能线。
目前，地址值有冗余。
DRAN内部存储器单元的结构如下：扩展数据DRAM（DynamiCrandomAccessMemory），即表示动态内存的随机访问。
数据只能在短时间内保存。
为了保留数据，DRAM使用电容器存储，因此必须不时更新它。
如果未更新存储单元，则将丢失存储的信息。
（停止时数据将丢失）DRAM存储结构采用两个维矩阵结构来读取DRAM地址数据，必须将其分为两个部分：行地址和列地址数据，并通过MCU和DRAM内的寄存器生成的信号进行配置。
这种DRAM结构以及在行和列线上的时间共享工作大大提高了DRAM地址线的使用率和DRAM的集成，从而大大减少了DRAM引脚的数量。
参考：dram_baidu百科全书
8位的寄存器有哪些？
b是字节（8 位），w是单词（1 6 位），dw是双词（3 2 位）。我是输入寄存器。
Q是输出寄存器。
V是可变内存。
m是内部内存。
SM特殊记忆。
L是本地记忆。
AC是一个累加器。
AC只有四个，是3 2 位访问。
从最低位，这些是位单位的变量名称。
例如，IB1 ，即IB1 .0-IB0.7 包含这些8 位变量。
这些是位单位中的变量名称。
例如，IB1 ，即IB1 .0-IB0.7 包含这些8 位变量。
i是输入，Q是输出，SM是特殊内存，V -Variable，内部内存更频繁地使用，S特殊寄存器和L本地变量寄存器。
AC是累积寄存器。
它可以保存双词，即H. 3 2 位数字。
扩展信息由于FB功能更强大，因此每次调用数据以存储数据以进行逻辑计算时，它都需要一个数据库。
与我已经提到的前面提到的FC相反，输入和输出接口地址必须用作数据源。
每次称为FB时，都必须指定DB，并且两者相互合作。
DB中存储的数据也可以在全球范围内享受。
例如，有一个发动机加速功能块，用于调节发动机加速度。
需要输入的参数是加速度和最大速度参数，然后计算和指定速度。
这是使用FB的最佳时间。
现有的发动机1 ，输入加速度时间2 ，最高速度2 0。
如果我们调用FB，我们可以将其插入DB引擎1 现有电动机2 ，加速度3 ，最大速度3 0。
但是，没有DB是不切实际的，可以节省此数据并失去普遍性。
