内存的频率和时序有什么关系？
为了记忆相同的频率，时间越低，则越好。计时系列中的Cl-Trcd-Trp（1 1 -1 1 -1 1 ）代表1 1 手表。
预定义的时间为1 6 00 MHz的记忆中为1 1 -1 1 -1 1 ，预定义的时间为9 -9 -9 因此，1 6 00 MHz的内存比1 6 00 MHz1 1 -1 1 -1 1 -1 1 的内存快。
对于常见的超频，除了将频率从1 3 3 3 变为1 6 00 MHz外，专家还将改变时间。
基本说明与一般数字“ A-B-C-D”相对应的参数是“ CL-TRCD-TRP-TRAS”。
它们的含义是：Caslamtenza（不久的是）时间延迟时间。
它是内存的重要参数之一。
一些内存品牌将在内存标签上打印CL值； Ras-to-Casdelay（TRCD），列地址处的存储线地址的延迟时间。
RasPrechargedElay（TRP），内存行地址门的前电荷时间； Rowactevedelay（TRA），内存线地址的门的延迟。
这些是玩家最担心的四个计时调整。
它们可以放在大多数母亲的BIOS中。
内存模块制造商还计划推出低潜伏期超频存储模块低于JEDEC认证标准。
在相同的频率设置下，最低序列时间为“ 2 -2 -2 -5 ”的内存模块实际上可以带来比“ 3 -4 -4 -8 ”更高的内存性能，其宽度从3 ％到5 个百分点。
内存时序是不是越低越好详情
有不满。离开工厂时将测试内存粒子。
良好的颗粒用于创建铂杆或超频条，而且价格比普通棒贵。
如果您不打算超频，这些颗粒在过载条件下移动更稳定。
，8 00MHz。
8 从理论上讲，相同一代的内存正时，性能越强，超频空间就越大。
随着记忆频率的增加，时间也会增加不同程度。
例如，DDR时代的1 GHz违约时间通常为3 3 3 -8 ，而最新的DDR4 时间则增加到1 6 -1 6 –1 6 –3 5 9 后者是内存频率和内存正时综合效应的结果。
频率增加和记忆时机较低可以减少记忆潜伏期，而低内存延迟实际上需要运动。
简而言之，更多的内存频率将更好，更少的时间，更好，更好，但这对两者都不是现实。
1 0定时内存是延迟，更好。
如果您想要高频的存储棒，通常很难按时间，因此，高频和短时间内存通常更昂贵。
例如，左侧的内存频率较低，但是时间更好，而右侧的频率很高，时间稍差。
鉴于总体表现，右侧的强度是，但是如果考虑价格，则可以在左侧更合适。
1 1 TRFC值是第二小参数，它反映了新的间隔的持续时间，单位周期，值越小，越好。
DDR3 内存通常成本为9 -0-1 2 0，这是低于8 0可能会导致不稳定。
Cl（CAS）-TRCD -TRP和TRA被称为第一次，对颗粒性能具有最明显，最显着的影响。
1 2 这都是重要的。
某些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码器，图像渲染和具有高物理效果的游戏。
1 3 记忆时间的参数通常被缩写为2 –2 -2 -2 -2 -6 -1 -1 -1 -T，该参数分别表示CAS-TRCD-TRP-TRAS-CMD的值。
市场理解对TRA和CMD的两个参数（命令）存在一些差异。
1 4 低时间，更好，但也应考虑频率。
当内存超频时，时间应该增加。
例如，DDR2 的5 5 5 -1 5 可以在8 00MHz处超频，而8 00MHz默认时间也是如此。
1 5 如果您的计算机图形卡和CPU不是高端，则无需购买特别高的内存棒。
即使有图形卡和CPU上端，购买高位的存储棒也只能提高几帧的性能。
1 6 不，DDR8 00是6 -6 -6 -1 6 您认为它比1 6 00好吗？只能说，在相同的频率下，最好的延迟时间很短。
1 7 .当然，更少的时间更好，而CL9 绝对比CL1 1 更好。
在这种情况下，带宽比延迟更重要，因为1 3 3 3 MHz的带宽略低。
内存时序是不是越低越好 内存性能详情介绍分享
内存的同步越低，它越好？内存性能详细介绍。记忆时间的顺序和内存的频率是我们在比较内存的性能时要注意的问题，但是对于新手来说，我们不知道如何看待它，并且我们知道，内存的同步越小，内存的同步越小，内存同步越小。
内存的同步越小，越好：是的，内存的同步越小，越好。
1 简而言之，内存同步是获取数据所需的时间。
2 我相信每个人都可以理解，花费的时间越多，它就会越快。
3 但是，除了查看日历外，内存的频率还会影响其性能。
4 内存频率越高，内存性能越高。
5 但是，内存频率的增加也会增加内存同步，从而增加阅读时间。
6 我们可以看到两者是对立的，通常，内存的频率对性能有更大的影响。
7 因此，选择记忆棒时，您必须首先比较频率，然后比较以相同频率的内存同步。
购买内存时，许多用户甚至都不看内存同步。
谢谢你的观看。
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