内存条时序有什么影响内存频率和时序哪个重要
在安装时代的背景下，每个人都喜欢安装。硬件选择中最必不可少的选民是内存棒。
在此问题中，有一个受欢迎的说法，也就是说，局外人看频率，内部人士看时机。
对于许多刚刚学会安装计算机的朋友来说，如何查看记忆棒的时间是一个大问题。
存储选择中还有其他两个重要参数。
一件事是通常的内存频率，因此不必说更多。
频率是存储棒数据吞吐量的参数。
时机简单地说明这是一个延迟。
为了坦率地表达它，它是传奇延迟大小的存储棒可折叠性的代表。
这个值很容易理解。
定时越小，延迟越小，并且持续的内存速度以相同的频率越快。
定时通常由四个代表不同含义的数字显示：第一个数字值简要称为Cl，代表列访问门的延迟。
当数据发送到存储器时，这只是循环的数量，数据对过程反应：第二个是TRCD值，这只是一条线和数据传输列之间的最小循环数。
第三是TRP值。
用一个词来看，这是对参考的预防和开放下行之间的最小循环数。
第四是TRAS是执行活动命令和行命令中最空闲的周期数。
听起来很困惑。
简化后，每个人都知道在执行四个经常使用的说明时，四个数据表示第一个周期号。
数字越小，运行速度越快。
如果您想学会区分，则可以通过前两个值识别它。
第一个CL的数量会影响延迟和数量越小，性能越好。
一些朋友还发现，从GDR1 到GDR4 的计时CL正在越来越大，并且内存杆的频率也会增加。
此值也会影响内存的频率。
第二个值TRCD对存储棒的最大频率延迟具有最大的影响，因此超频的性能或高频操作可以通过该值的大小来区分。
当然，上述标识可在相同频率的情况下区分记忆棒。
存储棒的选择应首先查看频率级别，然后查看时间，以区分存储棒的性能和超频功能。
选择存储棒时，请根据它选择它，以便每个人都可以帮助选择有用的内存。
内存时序高好还是低好
记忆时间很低。内存时间是内存性能的重要参数之一，它决定了内存完成接收指令的指令所需的时间。
时间响应速度越低，总体性能越快。
因此，当购买内存时，低 - 时间内存通常会提供更高的性能。
详细说明如下：1 内存时间是与内存操作相关的参数组合的一系列组合，通常包括诸如CL，TRCD，TRP等许多参数。
这些参数共同确定了内存响应的速度和处理的功能。
2 时间越低，内存越早执行指令。
在相同的条件下，低 - 时间内存可以加载数据并更快地执行操作，从而提高整体计算机系统的效率。
这对于需要高性能的应用程序方案，例如游戏，多媒体处理，大型数据处理等尤其重要。
3 高临时内存可能导致性能退化。
当内存时间很高时，它可能会导致记忆缓慢的响应并影响计算机处理的速度。
在某些情况下，高空甚至可能成为系统性能的障碍。
4 当然，除了时间外，其他参数（例如内存容量和频带宽度）也会影响整体性能。
但是在相同的条件下，优先选择低时时间内存是一个更聪明的选择。
简而言之，内存时间是评估内存性能的重要指标之一。
时间越低，内存性能越好。
购买内存时，除了关注乐队的容量和宽度外，还应注意内存时间参数。
到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序
在为计算机购买内存时，大多数人会注意内存的功率和频率参数。一般而言，容器越大，越好，越高越好。
当然，这两个参数非常重要，但是还有另一个重要的参数，这通常被所有记忆时间所忽略。
那么，内存时间是多少，它对记忆生产力有什么影响？在流行科学的这一问题中，shandejun将使您了解此内存参数。
同步的序列将影响内存芯片上各种常见操作之间的延迟。
如果延迟超过一定限制，它将影响内存性能。
总结在一个句子中，内存时间是对执行各种操作时可以体验内存的固有延迟的描述。
记忆时间是通过时钟循环衡量的。
您可以看到一系列数字，在存储棒产品页面上的仪表板（例如1 6 -1 8 -1 8 -3 8 ）的页面上，这称为内存时间。
实际上，由于它们代表延误，所以时间越低，越好。
这四个数字是SO的“主要时间”，对延迟产生了最大的影响。
与内存时间中四个数字相对应的参数是CL，TRCD，TRP和TRA，并且单位是所有时间段。
Cl（Caslatency）表示“访问列的访问时间的时间延迟，这是时间上最重要的参数”； TRCD（rastocasdelay）表示“存储线传输到列地址的地址的时间延迟”； TRP（RasPrechargetime）表示“线路线的目标脉冲初步电荷的时间”； TRA（rasactivetime）表示“线路地址激活时间”。
阅读上述后，您是否更加尴尬？不用担心，让我们给您一个简单的例子。
我们可以想象一个将数据以网格形式存储在内存中的地方，每个网格都存储不同的数据。
CPU将在内存中以许多数据发布相关指令。
例如，处理器希望在C3 上进行数据。
从处理器接收指令后，您必须首先确定数据所在的行中。
第二个TRCD参数时间这次是，这意味着在收到该行中的指令后，等待内存控制器需要多少时间才能访问此行。
在内存确定数据所在的行以查找数据后，您仍然需要确定列。
第一次时间是CL，这意味着要在内存确定线数之后等待需要多少时间才能获得对特定列的访问。
在确定线和列的数量后，可以准确找到目标数据，因此CL是一个准确的值，任何更改都会影响目标数据的位置。
因此，这是时间上最重要的参数，并且在记忆生产力中起着重要作用。
内存时间的第三个TRP TRP参数是确定等待另一行所需的时间。
第四个TRA参数可以简单地理解为记录数据或读取在存储器中的时间，该时间通常接近前三个参数的总和。
因此，在确保稳定性时，内存时间越低，越好。
但是我们知道，现在您可以分散许多记忆棒，高频和低时间是矛盾的。
通常，当频率上升时，应牺牲时间。
如果时间很低，则很难增加频率。
例如，今年大型存储制造商发布的DDR5 内存频率确实增加了，但是时间远高于DDR4 内存。
内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？
高内存正时表明，系统的性能较低，延迟较大，因此将对计算机性能产生一定的影响。较低的内存同步数通常意味着性能更快。
决定系统性能的最后一个因素是真正的延迟，通常在纳秒中。
内存的同步是描述内存模块性能的参数。
它通常存储在存储模块的SD中，称为缩写的Cl值，这是内存的重要参数之一。
一些内存品牌将在内存模块的标签上打印CL值。
当前，最佳的内存模块通常将在参数中标记Cl值。
通常，时机是确定内存性能的参数，但这并不意味着时间越低，性能就越好。
它也与存储容量和频率有关。
不能说，在两个具有相同容量和相同频率的内存中，时间越低，性能就越好。
扩展信息：内存同步的特定含义：内存同步是描述内存模块性能的参数。
它通常存储在内存模块的SPD中。
与一般数字“ A-B-C-D”相对应的参数是“ Clrcdtrol”，这意味着如下：1 CL：列的地址所需的时钟周期（表示延迟的长度）。
实际上，在相同的频率下，值cl越小，内存模块的性能就越好。
随着内存模块的频率的增加，DDR1 -4 的CL越大，但其实时时间几乎没有变化。
这意味着CL值越大，存储模块时间越大，靠近存储模块。
相反，DDR1 -4 的CL越高，频率的增加越多。
2 TRCD：线路地址与列的地址时钟周期之间的差异。
TRCD的值对最大内存频率的影响最大。
内存模块希望达到高频，但是如果无法增加张力，则只能增加CL值，并且可以增加TRCD值。
今天的DDR4 通常为1 .2 V.如果您希望CL变得漂亮，如果您希望内存模块更高级别，请添加TRCD，并且如果需要照明效果，请添加时间安排。
因此，大型TRCD并不意味着一个不良的存储模块，而是意味着存储模块可以超过非常高的频率。
3 TRP：下一个周期之前预充电所需的时钟周期。
尽管TRP的影响会随着银行的频繁运行而增加，但由于银行和指示供应之间的传播，其影响也会减弱。
TRP的放松有助于提高成功率和激活的精度和关闭线路的地址，以及TRP的放松以使记忆模块更加兼容。
4 TRA：存储一排数据时，在地址结束时操作开始时的总周期。
此操作不会经常发生，并且仅在内存免费或新任务启动时才使用。
TRAS值太小，会导致数据错误或丢失。
价值太大会影响内存性能。
如果内存模块加载大量，则可以将TRAS值稍微放松。
参考来源：百度百科全书 - 内存时间
