内存超频小参几个最重要
每个人都很重要。这通常不会改变。
一个是内存cas延迟，另一个是解决延迟时间的列的行，第三个是纪念馆的最短时间，该纪念馆有效期有效，而第四个是内存行地址控制器预充电时间。
价值越小，越好。
内存延迟是什么?如何查看?内存延迟是选大还是选小好?
1 内存延迟基本上被理解为系统在输入访问活动数据之前等待内存响应的时间。创建一个生动的隐喻，例如在餐厅吃饭。
您需要订购第一个食物，然后等待服务员为您服务。
2 CL代表Caslatency，这是指访问数据存储器所需的滞后。
简而言之，这是收到CPU指令后内存的响应速度。
常见的参数值为2 和3 数字越小，反应所需的时间越短。
3 通常，频率越高，延迟越大。
Weigang Red Weilong DDR2 8 00+CL4 -4 -4 -1 2 ，标准是这样的，但通常，当该频率为8 00m 5 -5 -5 -1 5 ，也许是4 -4 -4 -1 2 ，当时为6 .6 7 亿。
Zhiqi DDR2 8 00CL5 -5 -1 5 应该是这样。
4 .内存延迟实际上是指系统需要等待内存准备发送或接收数据的时间。
处理器的等待时间越短，整个机器的性能就越高。
5 内存延迟显示系统在输入数据访问状态之前等待内存反馈的时间。
它通常由4 位阿拉伯语表示，例如“ 3 -4 -4 -8 ”。
通常，四个数字的值越大，4 个数字越小，内存性能越好。
求内存小参详解
。通常不需要更改。
我记得一个是后期的内存时间，第二个是解决deval时间地址列的行，第三个是有效的预紧记忆行的最小周期，第四个是内存地址控制器的预加载时间。
它在主板的BIOS中进行了调整。
最低价值更好。
至于这个品牌，我从来没有买过它。
看来它是一种相对较高的产品。
他应该能够超过1 3 3 3
内存压小参需要加电压吗
能。如果存储粒子系统良好，则可以使用频率 +停止时间的增加（ +参数调整）来适当增加电压。
如果存储粒子系统是平均值，则频率增加，停机时间不能同时增加。
您可以使用频率 +增加的同步 +电压增加来获得高频，也可以使用频率 +电压增加（ +参数调整）或频率增加 +电压增加（ +参数调整）以获得低潜伏期。
如果存储粒子系统良好，则可以使用Drop序列（+调整小参数）来适当增加电压。
如果存储粒子系统是平均值，则可以通过减少同步 +添加电压（ +调整小参数）来获得较低的延迟。
