为啥高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序
简而言之，内存时间是对处理各种任务或更本质上唯一的固有延迟的数值解释。定时顺序代表内存处理和工作期间的特定延迟时间。
这个定义中的时间越小，越好。
同时，有许多类型的时间影响记忆等待时间或解释延迟。
普通产品中列出的四种类型是内存中最重要，最重要的部分。
内存时机都具有某些代码，CL，TRCD，TRP和TRA。
所有这四个代码都是缩写的。
第一个CL Caslateny解释了访问内存列地址的延迟时间，这也是定时中最重要的参数。
第二个TRCD是rastocasdelay，代表将存储行地址传输到热地址的延迟时间。
第三个TRP RasPrechargetime表示内存行地址稻草脉冲的预充电时间。
第四个TRA，rasactivetime，解释了激活行地址的时间。
在理解主要时机的含义，真正了解内存性能的主要时机的影响之后，您需要了解内存和CPU的连接原理。
通常，CPU的工作流程是发布地址指南，并且内存快速搜索缓存中的文件并解决地址。
我们想象在Go网格中使用热和行的寻址过程。
如果CPU正在搜索文件A，则内存必须确定GO网格中数据行。
然后定时的第二个参数TRCD代表这次。
简而言之，在收到该行的说明后，需要等待内存的人访问这一行。
由于每行的数据量非常复杂，因此不能准确地位于第一个存储阶段，可以估算。
当内存确定文件是什么时，您需要检查数据所在。
只有确定行和列都可以锁定文件的特定地址。
确定热量的等待时间是计时的CL。
换句话说，在内存确定行数之后，访问某些列需要多长时间？对于第三个参数，它指示了检查第一行的值后等待第一行的时间（时间）。
完成命令后，第四个TRA部分显示了整个内存的总和。
该值几乎与前三个值的总和相同。
当然，时间越高，差异越大。
接下来，两种不同的内存类型DDR4 和DDR5 是探索D4 和D5 内存之间差异的时间。
“ 4 0-4 0-4 0-7 7 ”是该品牌的5 2 00MHz D5 产品的计时设计，“ 1 6 -1 6 -1 6 -3 6 ”是该品牌4 000MHz D4 产品的时机设计。
从时间的角度来看，这几乎是两者之间的数值差异的两倍。
尽管D5 内存在绝对频率下得到了显着改善，但等待时间可以大大增加，这毫无疑问它会影响用户的实际使用。
这就是为什么许多玩家暂时不接受大量D5 记忆的原因。
频率的增加无法显着改善用户体验，过度延迟与计时炸弹相同，这会错误地影响用户体验。
为了同时减少时间内存行业应始终探索这可能是一个重要的话题。
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DDR5内存超频延迟高？一招教你轻松搞定
DDR5 内存价格非常实惠，新用户开始优先考虑与D5 D5 在安装时相匹配的D5 内存。但是，由于CPUIMC的局限性，DDR5 始终处于Gear2 频率零件模式，这使许多用户抱怨D5 平台作为豪华D4 内存具有很高的延迟和无效。
从某些角度来看，内存延迟对某些应用程序方案（例如FPS游戏）敏感。
随着内存频率的增加，需要相应地反映时间，控制记忆潜伏期的增加已成为一个主要问题。
对于不良用户来说，这是一个挑战，要按小型参数。
毕竟，度过夜晚使今天的年轻人看起来有些豪华。
为了解决超频DDR5 内存的问题，Gigabyte在BIOS Z7 9 0/B7 6 0主板上发布了两个新功能：HighBandWidth和Lowlatenecy。
打开后，BIOS将自动优化内存参数，使用户可以轻松获得读取和写作速度和较低延迟的速度。
接下来，我们使用测试来确认高带宽和低潜伏期模式的实际效果。
该测试中使用的主板是Gigabyte B7 6 0Maoruseliteaaxwifi，它使用银色黑色方案实践高价值设计。
核心电源采用1 2 +1 +1 个数字电源阶段，最大电流为每阶段6 0a，并带有额外的8 +4 pincpu电源，可以轻松控制第1 3 代的所有CPU。
Gigabyte B7 6 0M小IWallow WiFi主板提供四个DDR5 内存插槽，支持1 2 8 G和双通道配置的最大容量。
就超频内存而言，它提供了高达7 6 00MHz+的OC频率。
有了新优化的BIOS，用户不再担心弱超频体验。
在扩展方面，主板提供了两个X1 6 插槽，第一个CPU直接在PCIE4 .0x1 6 通道上支持，配备了金属增强设计。
第二个插槽通过South Bridge芯片组支持PCIE4 .0x4 通道。
主板还具有两个M.2 插槽，带有PCIE4 .0x4 通道。
第一个固态插槽继续使用金属散热背心退出CPU，第二个插槽采用快速拆除设计，以使用户更容易安装固态。
该测试的内存是一组DDR5 Jinbaida Silver GOGH 6 4 00MHz1 6 GX2 套件，现在只有7 9 9 元。
借助全类优惠券和消费，总价格约为7 00元，这非常有效。
内存使用Hynix的原始A-DIE颗粒，这是目前最强的D5 颗粒之一。
XMP工厂频率为6 4 00MHz，时间为3 2 -3 9 -3 9 -8 0，电压为1 .4 V。
即使没有超频，Jinbaida Silver Gogh记忆的性能也比DDR4 内存要好得多。
在性能经验方面，我们开始确保BIOS已使用最新版本进行了更新。
然后，我们比较高带宽和低潜伏期模式的性能。
默认情况下，XMP内存模式下的AIDA6 4 分数运行得分为：读取9 1 9 2 7 MB/s，写8 7 2 1 8 MB/s，延迟为7 8 .1 NS。
在打开较高的带宽低潜伏期模式后，阅读性能提高到9 7 4 3 7 MB/s（增长5 .9 ％），写作性能提高到1 003 3 8 MB/s（增长9 .2 ％），延迟降至6 6 .4 NS（降低1 5 ％）。
就主人的运行分数而言，当未启用宽带和低延迟模式时，内存得分为3 9 9 ,7 7 3 点；开放后，它增加到4 3 0,5 4 3 点（增加7 .7 ％）。
在XMP频率下，高带宽和低潜伏期模式可以显着改善内存性能。
接下来，我们会的超过了Jinpaida Silver Gogh 6 4 00DDR5 记忆棒。
在高级内存设置中，我们将内存频率设置为7 6 00MHz，齿轮模式为G2 ，关闭SAGV，并以3 2 -4 4 -4 4 -4 4 -6 2 手动输入时间序列。
在内存电压设置中，我们将CPU的代理电压调整为1 .2 7 V，内存电压为1 .6 5 V，CPUVDDQ电压为1 .4 8 V，将CPUVDD2 电压和CPUVDD2 电压为1 .4 3 V。
完成内存电压设置后，我们输入了DDR5 VoltageControl设置，并将三个电压调整为1 .6 V，1 .6 5 V和1 .9 V。
保存和重新启动后，内存已超过7 6 00MHz，并以3 2 -4 4 -4 4 -6 2 的成绩成功了，没有问题通过MMT6 4 压力测试。
打开高带宽和低延迟模式后，我们再次比较两种情况下的内存性能。
默认情况下，AIDA6 4 分数为：读取1 05 .9 2 GB/s，编写9 7 004 MB/s和延迟6 3 .9 NS。
打开高带宽低潜伏期后，阅读性能提高到1 1 0.2 3 GB/s（增长4 ％），写作绩效提高到1 1 6 .1 6 GB/s（增长1 2 ％），延迟降至5 9 .8 NS（减少6 .5 ％）。
在娱乐大师的得分方面，在变高带宽和低潜伏期模式后，内存得分从4 3 5 ,4 9 0点增加到4 5 2 ,5 8 8 点（增加4 ％）。
在游戏性能方面，我们使用CS：去比较7 6 00C3 2 的高带宽开关和低延迟模式的帧。
它被配置为带有RTX3 09 0的1 3 6 00kf 5 .7 GHz的完整核心，并且游戏设置为4 K全高。
在同一情况下，不稳定模式下的帧数为3 8 2 fps，打开后增加到3 9 8 fps，增加了约3 .4 ％。
总之，Gigabyte的高带宽和低潜伏期模式确实是黑色技术，用户可以改善内存性能，而无需努力工作以调整小参数。
对于大记忆延迟，可以将其推到与DDR4 相当的水平，并且在读写性能方面，它可以通过DDR4 扩大较大的差距。
这对于喜欢尝试但不是高级超频播放器的用户非常适合。
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七彩虹上架新款ddr5-6000战斧内存,该产品都有哪些值得关
去年年底，DDR5 记忆扫描阅读和书签仍然相对较高，而且价格相对昂贵。现在，进入2 02 3 年3 月。
记忆制造商将经过缓慢的训练，以缓慢或轻松地在解释中释放，而无需提供任何复杂的指南。
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建议使用与内存有关的实验软件使用CPU-Z。
与Taporrberner中的问题相比，CPU-Z功能稳定且免费。
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开头结果表明，阅读速度8 7 2 5 5 b / s可以访问，复制速度为8 3 3 4 5 米，延迟为7 3 .2 NS。
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d5内存时序高好还是低好
低是好的。存储时间是读取数据所需的时间。
记忆力低的时间意味着短时间的时间和更好的性能。
存储时间是指内存处理和过程中的特定延迟时间。
