2024年内存条如何挑选？如何挑到好的DDR5内存条？参考内存条天梯图，DIY电脑更轻松
在2 002 4 年，您可以在选择DDR5 内存棒时遵循以下建议。可以用6 000mm的DDR5 存储器和高级纪念碑来照顾颗粒的类型。
它适用于正在狩猎高端准备和超频的玩家。
Hynix MDIE粒子 - 与ADIE相比，MDIE版本是一个不错的选择，并且是更多的选项和功能。
三星BDIE颗粒 - 与Hynix相比，它不足以以高质量购买，这是高质量消费者DDR5 记忆棒颗粒的另一种选择。
品牌和模型：ASGT：Bolachi系列自动编辑Hynix Adie Granules。
数据OneECC将自动编辑，并可以自动修改超链接。
Yingruida：DDR5 PRO存储器使用高稳定微米的原始粒子。
Guangwei：紧张和黑色RGB系列提供Hynix ADIE颗粒，并提供稳定可靠的质量保证。
Jinbaida：Bladeads系列和Blade blade light light Series系列包括Hynix Adie和Samsung BDIE颗粒，以满足不同的用户需求。
频率和时机：频率越高。
但是，高频通常伴随着高时光，时间很小，时间非常快。
以相同的频率选择记忆棒可以使得表现更好。
绩效要求：根据个人或工作站的记忆要求选择适当的技能。
通常，1 6 GB或3 2 GB是主要选择。
但是，具体的决定基于实际的应用程序场景。
确定和外观 - 考虑热带热量设计，例如热泵。
在外观上，可以为设计元素（例如镜面和RGB光效应）选择设计。
DDR5 总记忆棒正在选择粒子的总粒子，类型和类型的粒子，例如品牌和模型。
您可以选择一个高质量的DDR5 存储棒，该记忆棒可以考虑到这些要点来匹配您。
ddr内存是什么类型内存DDR5和DDR4的区别是什么
随着英特尔的第1 2 代核心处理器的推出，支持DDR5 内存的6 00个系列主板也在这里。支持DDR5 内存的第一个是Z6 9 0芯片组。
但是，英特尔对新一代的6 00系列主板没有采取一定大小的方法，而是分为两个版本的Z6 9 0主板，DDR4 和DDR5 版本。
用户可以根据自己的个人需求选择内存解决方案。
尚未排除制造商将推出支持DDR4 和DDR5 内存的主板。
但是，由于DDR5 存储器刚刚启动，因此支持DDR5 和DDR5 内存的主板都相对昂贵。
在市场早期阶段，最便宜的1 6 GDDR5 4 8 00MHz频率将花费约一千元。
那么，内存DDR5 和DDR4 有什么区别？ DDR5 内存DDR5 和DDR4 有什么区别？ 1 与DDR4 频率相比，内存频率DDR5 加倍！ 当DDR4 首次启动时，主流内存频率通常仅为2 1 3 3 和2 4 00MHz。
在后期，记忆频率进一步增加到2 6 6 6 MHz或更高。
当前，旗舰DDR4 内存频率可以达到4 2 6 6 MHz或更高。
在发射的早期阶段发布的DDR5 内存的起始频率为4 8 00MHz，基本上达到了DDR4 内存限制。
除了4 8 00MHz频率外，DDR5 内存还发布了更高的5 2 00MHz和6 4 00MHz频率，将来可能会更高。
2 工作电压DDR5 的能耗比高于DDR4 ！ DDR4 的工作电压为1 .2 V，而DDR5 的工作电压降至1 .1 V，将功耗降低了8 ％，这意味着更多的节能和节能。
3 PMIC电源管理芯片DDR4 内存PMIC电源管理芯片已集成在主板上。
DDR5 还将PMIC电源管理芯片从主板集成到内存PCB板。
它是智能电压调节系统的大脑。
在监视电流的同时，它促进了电压坡道和水平的可配置性，从而减轻了主板电源管理的负担。
4 单芯片密度DDR5 具有更高的单芯片密度，单个粒子的密度高达1 6 GB，而DDR4 的单个粒子仅具有4 GB的容量，因此DDR4 的内存能力将更大，并且单个内存达到2 5 6 G甚至5 1 2 G是正常的。
但是，在消费市场中，当前的记忆需求尚未达到如此大的水平，并且可能在高端消费者层面上使用。
5 不同的接口在DDR4 和DDR5 的抗粉尘端口位置有轻微的变化，这意味着两者不能彼此兼容。
如果要支持DDR5 内存，则必须配备主板，以与DDR5 内存兼容，并且不能在DDR4 插槽中使用。
6 带宽速度内存带宽传输速度不同。
以DDR4 3 2 00频率为例，带宽为2 5 .6 Gbps，DDR5 4 8 00频率的带宽为3 8 .4 Gbps。
7 ECC内存错误校正机制DDR5 存储器已添加了ECC错误校正功能。
但是，该ECC不是同一ECC。
DDR5 中仅添加了dieecc误差校正函数。
它可以理解为ECC的低端版本。
ON-DIEECC只能纠正内部内存。
常见的ECC通常具有分配给ECC函数的其他粒子，该粒子可以纠正运行通信的错误。
DDR5 内存上的ECC功能主要改善内存稳定性并降低蓝屏的概率。
8 形成具有单根的双通道？ 我们知道，只有两个DDR4 内存可以形成双通道，但是DDR5 内存的单个内存可以实现双通道。
通过CPU-Z检测，如果插入了DDR5 存储器，则可以将通道的数量识别为双通道，但它不是完全含义的双通道，并且可以理解为伪二元。
渠道。
我们可以理解，原始的DDR4 存储器只有一个6 4 位通道传输数据，并且双通道为2 x6 4 bits，而DDR5 存储器分为2 3 2 bits，从而达到了1 个内存双通道的效果。
当然，要实现双重频道的真正理想价值，您仍然需要使用2 个内存来构建它。
9 定时序列DDR4 -2 6 6 6 一般时间基本上是CL1 7 -CL1 9 ，而DDR5 -4 8 00的一般时间通常为CL4 0。
时间越高，延迟越高。
初始DDR5 在内存延迟中可能不会令人满意，但是在频率增加之后，许多数据仍然比DDR4 更强。
实际上，这实际上是常态。
当DDR3 升级DDR4 时，还存在更高的时机问题。
DDR4 正时基本上是CL1 7 -CL1 9 ，比DDR3 的CL6 -CL1 1 高一些。
1 0XMP3 .0技术XMP3 .0技术是Intel的一键式超频技术，用于DDR5 内存。
与XMP2 .0技术相比，最新的XMP3 .0技术具有5 个配置文件，包括3 个固定配置和2 种播放器的自定义配置。
它们的名称可以修改，并且模块上的电压是可控的。
目前，一些制造商已经启动了视觉超频软件，并且超频的门槛大大降低了。
Comparison of performance gap between DDR4 and DDR5 memory In order to better let everyone understand the performance differences between DDR4 and DDR5 memory, the i9 -1 2 9 00K is tested using (Z6 9 0DDR4 version motherboard + 2 1 6 GDDR4 3 6 00 frequency memory) and (Z6 9 0DDR5 version motherboard + 2 1 6 GDDR5 5 2 00 frequency memory) respectively, and uses CPU-Z, ChineBenchR2 0, 3 DmarkTimespy和游戏框架分别计算为测量。
1 与DDR4 内存相比，CPU-Z基准性能测试使用DDR5 内存。
在CPU-Z基准测试中，CPU单线程性能基本上根本没有改善，并且多线程性能仅略有改进，得分仅为2 00分。
2 在Chinebenchr2 0渲染测试中，类似于CPU-Z检验，DDR5 基本上与DDR4 中的单线读取CPU测试相同。
DDR5 在CPU多线跑步分数中只有大约2 00分，而且性能提高并不大。
3 3 dmarktimespy通过3 DmarkTimesPy测试，我们可以更直观地看到DDR5 基本上没有改善图形卡，这主要是因为它在CPU性能方面具有一定的改进。
确切地说，与上述CPU-Z和ChineBenchR2 0测试相结合，DDR5 在CPU多线程方面具有一定的改进，但是改进是有限且纤细的。
4 对于DDR4 和DDR5 游戏之间的差异，我们使用DDR4 和DDR5 内存分别测试游戏。
我们使用RTX3 06 0TI图形卡来查看游戏框架速率的提高了多少。
通过测试得出的结论是，与DDR4 相比，DDR5 中的游戏数量将略有改进，范围从1 -5 帧到1 0帧以上。
摘要：与DDR4 相比，DDR5 的频率和带宽大大提高，并进一步降低了功耗。
添加ON-DIEECC还可以提高内存稳定性。
但是，唯一的缺点是高时机和高潜伏期。
毕竟，DDR5 仍然是早期产品，需要一定的优化过程。
通过上述测试，DDR5 存储器改善了一定量的CPU多线程，并且基本上没有改善独立图形。
但是，由于DDR5 的存储器频率很高，因此它提高了一定数量的游戏帧，并且核心图形上的性能也会更好。
在安装的这个阶段，如果您想要更好的安装成本效益，我个人建议您拥有完全成熟的DDR4 内存。
毕竟，支持DDR5 的主板和DDR5 内存本身相对昂贵，这带来了更多安装费用。
目前，它不足以进行游戏或系统优化，并且性能提高也很小。
当然，对于那些富有和故意并追求新产品的人，然后直接进入DDR5 平台。
ddr5时序多少算好
GDR5 存储器的定时标准通常由Cl（命令潜伏期），CL（RowActivetoActive），Cl（Refreshrat）和CT（Cyclletime）测量。为了更好地执行GDR5 存储，时间通常在CL3 0-4 0-4 0-9 6 区域内，这是阅读延迟的典型值，激活线激活，更新周期和写作周期。
CL3 0意味着数据传输的第一步是一个更快的响应时间，而较高的CL值（例如4 0和4 0）反映了更稳定的性能和较低的延迟，而9 6 内存 - 实用周期更长，这对于改善系统稳定性是有益的。
与GDR4 相比，GDR5 存储器具有显着改善，包括更高的带宽和更低的功耗，从1 .2 V到1 .1 V降低了电压，单渠的日期宽度宽度（用于ECC存储）和优化的数据传输效率，通过增加Precraped Bank组的数量。
但是，目前尚无DDR5 在市场上详细支持的平台。
AMD计划在2 02 1 年在Zen4 处理器中引入DDR5 存储位置。
对于Intel，没有1 4 nm和1 0 nm处理器的DDR5 支持计划。
预计将支持其7 nm流程Sapphirerapid在2 02 1 年的服务器处理器DDR5 消费者质量的产品可能仍然需要等待随后的更新。
因此，对于追求高性能和稳定性的朋友来说，使用CL3 0-4 0-4 0-9 6 的时间选择GDR5 内存是一个不错的选择。
但是，必须详细考虑平台兼容性和未来升级选项。
