4000频率内存最佳时序电压
电压为1 .4 5 伏。4 000C1 4 的延迟应约为5 2 -5 3 N。
DDR4 颗粒通常可以在1 .4 5 伏以内携带电压，而专业的工作频率颗粒可以承受1 .7 伏的电压。
因此，频率内存4 000的最佳时间为1 .4 5 伏。
DDR5内存的时序标准是怎样的？
DDR5 存储器同步标准标准通常通过Cl（命令术），CL（ROWACTIVEACTIVE），CL（刷新）和CT（环段）来测量。对于更好的DDR5 性能，同步通常在CL3 0-4 0-4 0-9 6 海滩中，这代表了阅读延迟，激活线的激活，刷新周期和写作周期的典型值。
CL3 0意味着数据传输的第一步是更快的响应时间，而较高的CL值（例如4 0和4 0）反映了更稳定的性能和较低的延迟，而9 6 表示内存刷新周期更长，这有助于改善系统稳定性。
与DDR4 相比，DDR5 存储器具有显着改善，包括较高的带宽和较低的能耗，从1 .2 V到1 .1 V降低电压，单个通道数据宽度增加到3 2 /4 0位（用于ECC存储器），以及通过增加额外银行组的数量来优化数据传输效率。
但是，目前没有很大程度上支持市场上DDR5 的平台。
AMD计划在2 02 1 年在ZEN4 处理器中引入DDR5 内存位置。
对于英特尔来说，1 4 nm和1 0 nm处理器没有明确的DDR5 支持计划。
预计其Sapphirerapids Server 7 NM流程处理器在2 02 1 年首先要照顾DDR5 消费品可能仍然需要等待随后的更新。
因此，对于追求高性能和稳定性的朋友来说，使用CL3 0-4 0-4 0-9 6 日历的DDR5 内存是一个不错的选择，但是必须详细考虑该平台的兼容性以及未来升级的可能性。
内存条c18的时序该如何设置
首先将DRAAM电压绘制为1 .5 V，然后将内存频率和时机拉到保守点。例如，可以在3 6 00Hz，时间C1 6 1 9 1 9 1 9 4 2 （保存设置）正常打开CJR粒子，即使超频成功，您也可以继续输入BIOS电压正时和电压。
如果是C9 BJZ，则可以在Z4 9 0主板上保存4 2 00Hz，Time C1 8 2 3 2 3 2 3 4 2 ，保存设置并一般启动。
即使超频成功，您也可以继续进入BIOS电压时间和电压。
