内存有哪些性能参数？各有什么作用？
内存的性能参数分为三种类型：速度，容量和平等。1 速度效应：访问时间是内存的另一个重要指标，其单元是纳米登（NS）。
SDRAM将军包括6 NS，7 N，8 NS，1 0NS等，并且记忆棒在棒上标记为-6 ，-7 ，-8 ，-1 0等。
该值越小，访问速度更快。
记忆缓慢和主板会影响快速的CPU速度，也可能导致系统崩溃；快速记忆和主板只会由于浪费资源而导致资源浪费。
2 容量效应：是否可以将内存棒安装在完整内存库中，将确定内存是否可以正常运行。
这属于计算机数据总线位的数量。
来自不同计算机模型的数据总线数量也不同。
3 .权益测试：奇数/偶数检查数据传输是解决数据错误的一种方法，并将其分为两种类型：奇数检查甚至检查。
如果使用奇数检查，则在传输每个字节时将一个添加为检查位。
当原始数据序列中的“ 1 ”数为奇数时，它是检查位“ 0”，否则是检查位“ 1 ”，以便传输数据可以满足奇数检查的要求。
当接收器接收数据时，将根据不对称验证的要求检测数据中的“ 1 ”数。
如果这是一个奇数，则意味着变速箱正确，否则意味着传输不正确。
同样，平等的过程也类似于奇异权益的过程数据还具有“ 1 ”的数量。
扩展信息：内存棒通常具有容量，例如8 MB，1 6 MB，3 2 MB，6 4 MB，1 2 8 MB，2 5 6 MB。
从这个级别可以看出，存储棒的容量增加了一倍。
目前，6 4 MB和1 2 8 MB内存已成为主流配置，而用于图形工作站（例如Graphic Workstation）的内存容量已增加到2 5 6 MB或5 1 2 MB，甚至更多。
SDRAM内存棒有两个设计：双面和单面，每侧使用8 或9 （额外的ECC测试）SDRAM芯片。
内存，也称为主要内存，是CPU可以直接解决并由半导体设备制成的存储空间。
记忆的特色是它具有迅速的达到速率。
内存是计算机中的主要组件，与外部内存相对。
我们通常使用的程序，例如Windows操作系统，打字软件，游戏软件等，通常安装在硬盘上，例如外部内存，但不能仅使用它们的操作。
实际上，它们必须在记忆中进行调整以运行它们以使用其任务。
当我们输入文本或玩游戏时，它们实际上是在内存中完成的。
参考：百度百科全书 - 内存
内存条参数有哪些？
内存栏参数是分配的：频率，容量等。1 频率内存棒具有频率。
我们的一般内存是棍子频率1 3 3 3 、1 6 00、2 3 3 3 、2 6 6 6 、2 4 4 4 、3 000、3 2 00等。
理论上，频率越高，内存棒速度越快。
实际上，频率差异不是很大，也无需在频率上花钱。
2 容量是内存能力GB的单位。
目前，同一部分的容量通常为4 GB，8 GB，1 6 GB或3 2 GB。
如果将记忆与餐桌进行比较，则记忆容量是餐桌的大小。
餐桌越大，您可以捕获的菜越多，每道菜的含量就越大。
根据计算机的说法，您可以同时运行的程序以及可以运行的大型程序。
从理论上讲，内存棒容量越大，内存棒的速度就越快。
指出，当他们为从事正常办公室工作或仅在互联网上冲浪或看电影的人购买记忆棒时，基本上可以处理4 GB的记忆。
当然，如果您有条件，请使用8 GB内存，这足以处理它。
对于那些经常玩普通游戏的人，请使用至少8 GB内存来确保游戏的平稳操作。
如果您玩大型3 D游戏，建议至少增长1 6 GB的内存。
您可以使用两个8 GB单存储器来使双通道1 6 GB总内存。
超频旨在增加电压，以便以更高的速度运行内存频率允许被允许，而无需花费额外的资金来实现一些绩效改革。
总体而言，这是为了增加频率并减少时间。
内存的性能指标
内存性能指标如下。1 存储速度：内存存储速度由数据输入时间表示，该单元为纳秒，并记录为NS，1 秒= 1 0亿纳秒，即1 纳秒=1 0ˉ9 秒。
NS值越小，进入时间越短，速度就越快。
2 容量：记忆力越大，口吃的可能性就越小，但受主板支持的最大容量的限制。
单个内存的容量是1 GB，2 GB，4 GB等。
主板上通常至少有两个内存插槽。
如果安装了多个内存，则总体计算机存储容量是所有内存能力的总和。
3 CLCL是Caslstency的缩短，即CAS延迟的时间，它是指纵向记忆地址脉冲反应时间。
它是以一定频率以不同规格测量内存的重要符号之一。
4 SPD芯片SPD是一种带有8 针2 5 6 字节的EERROM芯片（仅通过电气读数可读取可编程的内存）。
该位置通常位于存储棒正面的右侧，并记录参数的信息，例如内存速度，容量，电压和行，列地址，频带宽度等。
如果可能的话，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
5 工作电压：由于低电压存储器必须低于1 .5 V的标准电压，以确保稳定的操作，因此低电压存储器的产生需要更高的质量。
工厂内存电压越高，内存质量越糟，这也是低压内存的优势之一。
因此，记忆棒的高压和低压之间的差异是，低压记忆棒的能量比高压记忆棒少，并且更环保。
延长信息：记忆构建和原理。
内部内存结构是PC芯片中最简单的。
它由许多重复的“细胞” - 细胞组成。
大提琴电池由电容器和晶体管（通常是N通道的Moset）组成。
电容器可以存储1 个小数据，充电和放电后的负载（高和低电位）与二进制数据0和1 相对应。
由于电容器将有泄漏，因此一段时间后的关税将丢失，导致潜在的潜力和数据丢失。
因此，通常应该进行充电以保持潜力。
这种充电的充电称为令人耳目一新，因此动态内存具有刷新的特征，并且这种清爽操作必须继续进行，直到数据的更改或功率更改为止。
MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。
由于其简单的结构，戏剧可以到达很小的区域和较大的存储容量。
