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内存CL值与频率:影响性能的关键指标

cl和内存频率的关系

CL越低,越好。
性能具有更高的影响。
例如,当DDR2 被GDR2 取代时,DDR2 5 3 3 5 3 3 MHz和DDR4 00 4 00 MHz的频率比后者的性能要差。
这是因为在DDR2 延迟后,DDR2 的延迟继续增加,高CL的缺点逐渐被频率补偿。
当前的问题也发生在GDR3 上。
DDR3 1 06 6 的性能并不比DDR2 1 06 6 的性能强。
如果要比较内存,则需要使用相同频率或相同CL比较另一个参数。
对于爱好者,选择系统中的一些良好的内存粒子,可以在较低的Cl值下实现较高的频率以最大化理论性能

内存的CL值是啥意思

内存Cl值是Caslatiny的缩写,它指的是CPU从内存读取数据时需要等待的周期数。
该值越低,内存响应速度越快和数据传输速度更快。
一般而言,较低的CL值可以改善内存性能。
例如,常用的DDR4 内存CL值范围从CL9 到CL1 9 ,CL9 存储器的存在比CL1 9 的内存快得多。
因此,选择内存时,您应该特别注意内存的CL值,并选择最低CL值的内存。

谁能告诉我DDRⅡ内存条CL数值大了好还是越小越好

当然,一点更好。
母纸还将根据具有不同参数的多个内存时间使用文本。
例如,您有两个内存点,一个是5 3 3 ,CL4 ,另一个是6 6 7 CL5 这次,所有媒体都减少到5 3 3 Shilo 5

怎么看内存的CL值?

Cl值:CL是Caslatenia的缩写,是记忆性能的重要指标,是垂直存储器地址的冲动的反应时间。
当计算机必须在内存中读取数据时,通常会有一个“缓冲阶段”在实际读取之前,“缓冲区期”的长度是此CL。
内存的Cl值越低,越好,因此缩短CAS循环有助于以相同频率的速度加速内存的工作速度。
该CL值也与内存频率有关。
例如,对于相同的内存,图中DDR3 3 3 的Cl值为2 .5 如果以2 6 6 的频率工作,则可以设置Cl值2 有一个特殊的术语可以详细说明内存的延迟,称为“延迟”。
为了生动地了解延迟,我们还可以将内存作为数据存储矩阵或Excel表处理,并确定每个数据的位置。
每个数据都用行和列系统编号标记。
确定行和列的数量后,数据将是唯一的。
当内存工作时,当必须读取或编写某些数据时,内存控制芯片将首先传输数据行地址,并激活RAS信号。
在转换行数据之前,需要几个执行周期,因此CAS信号被激活。
引用上面:百度百科全书 - 内存延迟
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