内存时序是不是越低越好详情
1 因此，在确保稳定性的假设下，记忆时间越低，越好。但是我们知道，现在许多记忆棒可以被超频，高频和低时序是矛盾的。
通常，随着频率的增加，必须处死时间。
如果时间安排足够低，则很难增加频率，例如，在今年大型存储制造商发布的DDR5 中。
2 时间对性能只有4 5 ％的影响。
现在，高频的时机让人联想到相对较大的时间。
不用担心以这种方式选择频率是您的CPU可以拉起的皇家假设，否则将毫无用处。
3 时间并不重要，性能差异不大。
频率为2 4 002 1 3 3 1 6 00。
时间表示延迟。
通常，SPD官方参数是DDR2 5 3 3 4 4 4 1 2 DDR2 6 6 7 它是5 5 5 1 5 通常，只能将AMD头卡设置为1 H或2 T，但是最好以双通道模式设置2 T，以避免在不引起内存时避免不稳定的因素。
5 这主要取决于张力。
如果CPU超频，则内存通常会略微下降。
如果电压不够，请在BIOS设置中添加一些电压。
这是一个向上的01 V。
如果可以稳定，它将成功。
但是，我真的不建议超频。
如果您不能玩，则看不到性能的提高。
您甚至可以浪费硬件。
有什么可悲的。
6 定时越少，反应时间越快，但此差距以毫秒为单位。
您在使用过程中无法感觉到它。
已经测试了制造商装配线的内存颗粒，并用于制造铂金垃圾箱或超频条。
价格比普通酒吧昂贵。
如果您不超频，则该粒子在过载条件下可能会更稳定。
7 CL4 4 4 1 2 ，标准是这样，但通常情况下，频率为8 00m 5 5 5 1 5 在6 6 7 m时，4 4 4 1 2 Zhiqi DDR2 8 00 CL5 5 5 5 1 5 应该很好。
我使用Jinbang Heilongtip DDR2 8 00，这是少数8 00m频率刺激4 4 4 1 2 内存之一。
8 从理论上讲，这种现代性，性能越强，超频空间越高的记忆时机越高，内存频率就越高。
时间将在不同程度上增加。
在GDR中，1 G的标准昏暗通常为3 3 3 8 9 后者是内存频率和内存正时综合效应的结果。
增加频率和减少记忆力可以减少内存的延迟。
低内存延迟是游戏所需的，记忆频率越高，时间越好，时间越好，越好。
但是，两者都不现实，因为您可以看看。
1 0时间是内存延迟。
越低越好。
如果您想要高频记忆棒，通常很难抑制时间安排。
因此，高频和低时序的内存通常比图的左侧要贵，但是时间更好，右侧的频率更高，时间安排更差。
根据总绩效，它的正确性更高，并评估价格。
1 1 trfc值属于另一个小参数，表明更新间隔期，单位是周期，值越越好。
DDR3 存储器通常为9 01 2 0，低于8 0，这可能导致不稳定的Cltrcdtrp和TRAS称为第一个计时，对粒子性能的影响是最明显的，最重要的是内存时间定时英语内存。
1 2 一切都很重要。
某些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编码和解码，图像渲染以及具有高物理效果的游戏。
1 3 存储参数通常缩短为2 2 2 6 1 1 1 T。
该格式代表Castrcdtrascmd 2 2 2 6 1 1 1 值的最后两个时间参数，即TRA和CMDCommand的缩写。
这些是更复杂的时序参数。
前市场了解这两个参数的那一刻。
1 4 时间越低，越好。
但是，根据频率，必须增加内存超频。
DDR2 S 5 5 5 1 5 可以超频至8 00MHz。
标准8 00MHz也是标准GDR -Standard调光3 3 3 9 2 T4 00MHZDDR2 标准计时5 5 5 5 1 5 2 T8 00MHZDDR3 标准。
1 5 如果您的计算机具有不是顶端的图形卡CPU，则不必购买以特别高的频率购买存储棒。
尽管图形卡CPU是顶端，但购买高频存储棒只能增加十帧以上。
1 6 不，DDR8 00为6 _6 _6 1 6 您认为它比1 6 00好吗？您能说相同频率的延迟估计值较小吗？ 1 7 .当然，低时机更好，CL9 绝对比CL1 1 更好。
第二个问题是1 6 00。
在这种情况下，带宽比延迟更为重要，因为1 3 3 3 带宽略低。
内存时序是不是越低越好详情
内存的同步越低，越好。接下来的是记忆同步的详细说明：同步的含义：内存的同步是指内存所需的时间以完成读取和写作操作所需的时期，通常由诸如caslatence，trcd，trp和tras之类的参数表示。
这些参数确定内存的反应速度。
定时越低，反应时间越快。
低矩的优点：低同步内存可以更快地响应处理器指令，从而改善系统的整体性能。
尤其是在对内存延迟敏感的程序中，例如多媒体编解码器，图像渲染和高物理效果，低 - 时间内存可以改善性能。
频率和日历之间的妥协：尽管短时间是一个优势，但内存的频率也是影响性能的重要因素。
高频和低力矩通常是矛盾的，频率的增加通常会在一定的时机上牺牲。
因此，当您选择记忆棒时，必须权衡实际需求和预算。
实际应用中的考虑：对于大多数用户而言，增加的存储频率对性能的影响更大。
关于稳定性，高频记忆棒可能具有优先级。
当然，如果预算允许并且有极高的性能要求，则可以选择具有高频和低日历的高端存储棒。
超频和同步：当内存棒被超频时，可能必须相应地调整时间以确保稳定性。
提高超频提供的性能可能并不明显，并且可能会损坏设备，因此不建议普通用户超频操作。
总而言之，记忆时间的确是最好的时间，但是必须根据实际需求和预算来权衡。
选择记忆棒时，必须深入考虑频率，日历，容量和价格之类的因素。
内存时序是不是越低越好 内存性能详情介绍分享
记忆时机的减少是否更好？内存性能是详细的介绍。内存时间顺序和内存频率是我们在比较内存性能时会注意的问题，但是对于初学者来说，我们不知道如何看待它，也不知道我们的内存时间越小，内存时间就越多。
最小的内存时间，越好：答案：是的，内存正时越小，越好。
1 简而言之，内存时间是获取数据所需的时间。
2 我认为每个人都可以理解，花费的时间越多，速度就越快。
3 但是，除了查看时间安排外，内存的频率还会影响其性能。
4 内存的频率越高，内存的性能越高。
5 但是，记忆频率的增加也将增加内存的时机，从而导致阅读时间增加。
6 可以看出，两者相反，通常，内存重复对性能有更大的影响。
7 因此，选择记忆棒时，您必须首先比较频率，然后以相同的频率比较内存正时。
购买内存时，许多用户在购买内存时看不到内存正时。
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内存时序是不是越低越好详情
1 保证稳定性时，存储时间越低，性能就越好。但是，我们知道许多内存棒现在都可以超频，高频和低时机是矛盾的。
通常，必须以增加频率牺牲时间。
例如，大型存储器制造商今年发布的DDR5 内存的时机较低，但相对较低。
2 时间对性能的影响仅为4 5 ％。
目前，高频内存的时间相对较大，因此不必担心太多。
频率的选择是关键，但前提是您的CPU可以支持您。
如果CPU无法支持它，则增加频率是毫无意义的。
3 定时序列并不是最重要的，性能的差异不大，主要是频率。
例如2 4 00 MHz，2 1 3 3 MHz和1 6 00 MHz。
4 存储时间越低，越好。
定时顺序是指延迟，例如DDR2 5 3 3 4 4 4 -1 2 和DDR2 6 6 7 5 5 5 -1 5 的官方SPD参数。
通常，只能将AMD的主板设置为1 T或2 T，但是在双通道模式下，最好将其设置为2 T，以避免不稳定。
5 这主要取决于CPU电压。
当CPU超频时，内存通常会适当降低频率或在BIOS设置中增加一些张力。
但是，真的不建议超频。
您无法玩的超频会造成硬件损坏，但是性能的改善并不明显。
6 时间越小，反应时间越快。
但是，这一差距是毫秒毫秒的，在日常使用中几乎是无法理解的。
记忆粒子离开工厂时会测试它们。
良好的颗粒用于生产平台摊位或超频条，价格比普通梁更昂贵。
如果这些颗粒不打算超频，则在过载条件下更稳定。
7 CL4 4 4 1 2 是这样的品牌，但通常在8 00 MHz频率下，时间通常为5 5 5 1 5 ，而可以是6 6 7 MHz 4 4 4 1 2 例如，Zhiqi DDR2 8 00的Cl5 5 5 5 5 1 5 在Zhiqi ddr2 8 00的Cl5 5 5 5 5 1 5 中可以更好，而i -imind timind timind tirsity则可以是我的时机-ddddddddr2 8 00具有定时的-ddddddddr2 8 00机械手，带时-TIMING -DDDR2 8 值，带时-IM -4 4 1 2 -DDDDDDDR2 8 00，带时-DDDDDDR2 8 00，带时-DDDDDR2 8 00，timing -timing -timing -timing -timing -timing -dddr2 8 -。
8 00 MHz。
8 从理论上讲，同一一代的存储时间越低，性能就越多，按任务越多。
随着记忆频率的增加，定时会增加不同程度。
例如，在GDR时代，1 GHz的标准时间通常为3 3 3 -8 ，而最新的GDR4 时序已上升至1 6 -1 6 -1 6 -3 5 9 后者是内存频率和存储时间点的组合效应的结果。
增加频率和减少的存储时间可以减少存储潜伏期，而低内存的延迟正是游戏所需要的。
简而言之，内存频率越高，时间越好，越好，越好，但是两者都不是现实的。
1 0时机是内存延迟，越低越好。
如果您想拥有高频内存，通常很难抑制正时，以便高频和低时序的内存通常更昂贵。
例如，左侧的内存频率很低，但时间更好虽然右边的频率很高，并且时间安排较差。
根据整体绩效的判断在正确的情况下更强，但是如果考虑到价格，链接可能更合适。
1 1 TRFC值是指示更新时间间隔时间的第二小参数。
单元是周期，值越小，越好。
GDR3 存储器的值通常为9 -0-1 2 0，如果它低于8 0。
CL（CAS）-TRCD -TRP和TRAS首先称为计时，并且对粒子性能具有最明显，最重要的影响。
1 2 这都是重要的。
某些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码器，图像复制和具有高物理效果的游戏。
1 3 存储器的时间参数通常被缩写为2 -2 -2 -1 -1 -1 -T，代表CAS-TRCD-TRP-TRAS-CMD的值。
对TRA和CMD（命令）的两个参数的市场的理解有一定的差异。
1 4 时间越低，越好，但也必须考虑频率。
如果内存超频，则必须增加时间。
例如，DDR2 的5 5 5 -1 5 可以超频至8 00 MHz，并且标准时间为8 00 MHz。
1 5 如果您的计算机图形卡和CPU没有顶端，则不必购买特别高频存储棒。
即使图形卡和CPU具有顶端，购买高频内存蝙蝠只能改善几帧的性能。
1 6 不，DDR8 00是6 -6 -6 -1 6 您认为它比1 6 00好吗？只能说，以相同的频率，最好的延迟时间较低。
1 7 .当然，低时机更好，CL9 绝对比CL1 1 更好。
在这种情况下，带宽比潜伏期更重要，因为1 3 3 3 MHz的带宽有些低。
