什么是内存时序，怎样选择时序好的产品？
内存时间是内存的重要参数之一，反映在内存的SPD中，以四个数字2 -2 -2 -8 表示。每个数字都对应于一个特定参数，包括caslatency（Cl值），内存后期，RAS-to-Casdolay（TRCD），列的内存线地址的延迟时间，Riga PrechargedElay（TRP），Gate Dell地址内存线脉冲预处理时间和行 - 贝蒂维德莱（TRAS），内存线地址的门的延迟。
玩家要注意这四个定时调整，这可以在大多数母亲的BIOS中设置。
为了提高性能，一些内存模块的制造商推出了低潜伏期的超频存储模块，低于JEDEC认证标准。
在相同的频率设置下，定时的较低时机（例如“ 2 -2 -2 -5 ”）可以导致更高的内存性能，范围从3 到5 个百分点。
因此，选择具有良好时机的产品对于提高计算机性能至关重要。
内存的时序是怎么回事，衡量内存性能的指标都有哪些？
内存时间表对性能，通常是行轮，行（trop）和行影响很大。该玩家可以在许多主板BIOS中准备。
模块制造商可以从JDIC证书要求中制作低的纪念模块。
也有各种制造商和技能的影响。
16-20-20-38分别对应哪几个
与四个数字相对应的参数的内存时间是CL，TRCD，TRP和TRAS。CL（CASLATENCY）：列地址访问的延迟时间，这是定时TRCD（rastocasdelay）中最重要的参数：内存行地址的延迟时间延迟时间trp trp（raspre lligeTime）：内存行的预努加载时间，记忆行地址地址strobe strobe strobe脉冲TRAS（rasactivetime）：线路地址的激活时间
