给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？
当频率是主要目标时，CL值是适当的，并且不可能地增加总值（即定时四个元素中的最后一个）。调节最大基本频率后，可以尝试将电压应用于更大的频率，DDR3 为1 .6 5 V，DDR4 为.5 V。
将一般频率值添加到齿轮（每个齿轮约为2 6 6 MHz）中，并且CL值添加到三月中。
（对于同一内存是正确的。
）例如，DDR3 1 6 00MHzCl9 的内存通常在2 1 3 3 MHzCl1 1 上超频，当然也可以达到1 8 6 MHzCl1 0 （1 6 00-1 8 6 6 -2 1 3 3 9 -1 0-1 1 ）如果您的水平更高，则可以尝试应用张力。
当然，最重要的是身体健康。
目前，最好使用三星B-DIE芯片的内存，例如3 000MHz CL1 4 频率，然后是3 000MHzCl1 6 DDR3 最好的是1 6 00MHz，CL8 ，1 .3 5 V，并且仅CL9 在2 1 3 3 MHz（1 .5 V）的情况下过度固定，这非常强大。
4000频率内存最佳时序电压
电压为1 .4 5 V. 4 000C1 4 的延迟应约为5 2 -5 3 N。DDR4 颗粒通常可以抵抗1 .4 5 V内的紧张局势，而专门的超频颗粒甚至可以抵抗1 .7 V内的紧张局势。
因此，频率存储器的最佳时间电压4 000为1 .4 5 V。
内存超频时序设置参数介绍
内存超频的定时参数简介？ 1 DDR4 存储器正时参数可以直接增加3 2 00（1 6 ）8 G×1 6 1 2 1 2 1 3 3 ，1 .3 5 V，2 尝试首先是DDR4 存储器的首次接近。首先，您应该从第二次开始设置。
TRFC和TREF可以获得更高的频率。
DDR4 内存和DDR4 和DDR4 2 是不同记忆的不同记忆。
CR对记忆和性能没有太大影响。
TRTP，TRITW和TRTW和TRTTRT对性能几乎没有影响。
高度关闭后，避免稳定并试图避免世界的稳定性，第三次可以忘记和第三次表演，但第三次是第三次时间表，也是第三次高频。
超频为什么要改内存时序
1 由于超频，内存同步的修改将使系统更稳定。2 如果内存超频的性能很差，则可以通过内存的默认值来定义此值，也可以尝试增加TRCD值。
3 通常，频率日历的增加将增加。
我将看一下张力，不超过2 .4 V，因为在2 .4 V中，小的D9 可能不是很稳定。
扩展信息在9 系列主板上的1 00系列主板的优点是，内存已升级到DDR4 ，并且存储频率仍得到改善。
对于DDR4 内存，工作电压较低，通常1 .2 V，内存频率更快。
通常大于2 1 3 3 MHz，这是真实的DDR4 内存，容量也更大。
当前的DDR4 内存，容量通常为每件8 克。
尽管与DDR3 相比，DDR4 内存得到了很大改善，但追求较高频率的挑战从未停止。
许多玩家和互联网用户都继续了。
CPU超频和图形卡的超频不仅进入了超频的字段。
内存超频还需要很多耐心。
错误的参数将导致系统不稳定性或无法激活。
对于Xiaobai而言，内存超频一直是无法克服的障碍，但是现在X.M.P技术更加成熟和流行，并且内存超频不再是可保证的差距。
