数据结构的四种存储类型，结点是什么
哪些数据结构存储的四种类型是节点？节点的存储称为计算内存中数据的存储结构，即计算机上逻辑结构的实现。有四种常见的存储类型。
顺序存储结构：所有数据元素都占据了内存的完整存储空间，相邻元素与内存相邻。
每个逻辑序列编号对应于数据元素。
可以直接通过索引找到元素的存储地址以获取元素值。
链存储结构：每个逻辑元素都使用单独的分配内存节点存储，并通过指针字段连接节点，以指示数据之间的逻辑关系。
数据是通过指针连接的，数据是通过链条连接的，数据是在之前和之后连接的。
索引存储结构：存储数据元素信息时设置了其他索引表。
索引表中的索引项包括数据元素和存储地址。
哈希存储结构：通过基于元素的关键字的哈希功能来计算存储地址。
顺序存储和链存储库是最常见的存储方法。
链存储在数据结构中起着重要作用，并且均构成了数据结构的基础。
该节点由两个部分组成：元素数据和下一个节点的指针。
在数据结构中，每个元素称为节点。
数据结构中提到的“节点”代表节点，而不是“节点”。
电脑的内存是怎么讲的?
类别：计算机/网络>>硬件分析：内存或内部内存，也称为主内存，是影响计算机运行性能的关键组件之一，无疑非常重要。为了加快系统的速度并提高系统的整体性能，我们看到计算机中配置的内存量越来越大，并且内存的类型也越来越多。
新的内存技术访问计算机说明的访问时间主要取决于内存。
对于当今大多数计算机系统，内存访问时间是限制系统性能改进的主要因素。
因此，在判断某个系统的性能时，您不能仅依靠内存量，而是查看其使用的内存类型和工作速度。
关于内存有很多名词。
为了促进读者的评论，将以集中的方式引入以下。
ROM: Read-only memory RAM (RandomAccessMemory): Random memory DRAM (DynamicRAM): Dynamic random memory PMRAM (PageModeRAM): Page mode random memory (i.e. normal memory) FPMRAM (FastPageModeRAM): Fast page mode random memory EDORAM (ExtendedDataOutputRAM) expansion Random memory BEDORAM (BurstExtendedDataOutputRAM): Burst Extended Data Output Random memory SDRAM（sychronisdynamicram）：同步动态随机内存SRAM（sticram）：静态随机内存rasyncsram（asyncsticram）：异步静脉随机内存随机内存Syncburstsram（syncburstsram） static random memory Cache: Cache L2 Cache (Level2 Cache): Level 2 cache (usually composed of SRAM) VRAM (VideoRAM): Visual Frequency Random Memory CVRAM (CachedVedioRAM): CachedVedual Random Memory SVRAM (SynchronousVRAM): Synchronous Video Random Memory CDRAM (CachedDRAM): CachedDRAM (EnhancedDRAM): Enhanced Dynamic Random Memory Various Memory 技术功能DRAM动态随机内存DRAM主要用作主要内存。
很长一段时间以来，我们使用的动态随机内存是PMRAM，后来的是FPMRAM。
为了跟上越来越快的CPU速度，已经开发了一些新型的主内存类型。
它们是Edoram，Bedoram，Sdram等。
DRAM芯片的设计就像二进制位的矩阵，每个位都有一个行地址和列地址。
内存控制器必须给出芯片地址才能从芯片中读取指定位的数据。
标记为7 0NS的芯片将需要7 0NS来读取一些数据。
而且还需要额外的时间才能从CPU获取地址信息来设置下一项指令。
芯片生产技术的持续发展使该处理效率越来越高。
在fpmram快速页面模式中，所谓的“页面”随机内存是指DRAM芯片中的存储阵列上的2 04 8 位片段。
FPMRAM是最早的随机内存，过去一直是主流PC的标准配置。
当我们谈论内存速度时，我们曾经说过“ bar 7 ”和“ bar 6 ”，这意味着它的访问时间为7 0ns和6 0n。
6 0NS FPMRAM可用于6 6 MHz（MEGAHERTZ）的总线速度（CPU主频率为1 00、1 3 3 、1 6 6 和2 00MHz）中。
快速页面模式内存通常用于视频卡中，我们通常称之为“ DRAM”。
专门设计的内存之一的存储时间和访问时间仅为4 8 N，因此我们此时称其为VRAM。
该专门设计的内存具有“双端口”，其中一个端口可以通过CPU直接访问一个端口，并且可以通过RAM“ Direct Access Channel”独立访问另一个端口，因此内存的“直接访问通道”可以同时工作，而无需等待CPU完成访问，这比普通DRAM更快。
Edoram扩展数据输出随机内存在DRAM芯片中。
除了记忆单元外，还有一些其他逻辑电路。
现在，人们已经注意到，可以通过添加少量额外的逻辑电路来增加RAM芯片的其他逻辑电路，从而增加每单位时间的数据流量，这称为增加带宽。
江户正在尝试这种方式。
扩展数据输出（扩展数据输出 EDO，有时称为超页模式）DRAM，而Burst Edo（Bustedo-Bedo）DRAM是基于页面模式内存的两种内存技术。
江户于1 9 9 6 年左右被引入主流PC中。
此后，它已成为许多系统制造商的主要内存选择。
贝多（Bedo）相对较新，其对市场的吸引力尚未达到江户的水平。
EDO的工作与FPMDRAM非常相似，并且EDO的理想爆发读循环时钟布置比FPMDRAM更快。
这允许在6 6 MHz总线上从DRAM读取一组四元素数据块时保存3 个时钟周期。
Bedoram爆发数据输出随机内存Bedoram和其名称一样，在“爆发动作”中读取数据，这意味着在提供内存地址后，CPU假定后续数据地址并自动预取。
这样，当读取三个数据中的每个数据中的每个数据时，仅使用一个时钟周期，CPU可以在爆发模式（使用5 2 NSBEDO和6 6 MHz BUS）中读取数据。
这样，指令的传输速度大大提高，并且可以有效地填充处理器的指令队列。
如今，这种RAM仅由Via Chipsets 5 8 0VP，5 9 0VP和8 6 0VP支持。
这个真正快速的bedoram也存在缺陷，那就是它无法与超过6 6 MHz的频率相匹配。
SDRAM同步动态随机内存SDRAM可以说是最有希望的内部内存，目前这种RAM非常受欢迎。
目前，市场上大多数奔腾级的主板和奔腾II主板都支持这种记忆。
正如此内存的名称所示，此RAM可以将所有输入和输出信号与系统时钟同步。
不久前，这只有SRAM才有可能。
SDRAM与系统时钟同步，并使用管道处理。
指定特定地址时，SDRAM可以读取多个数据，这意味着实现爆发传输。
具体而言，第一步是指定地址。
第二步是将数据从存储地址传输到输出电路。
第三步是将数据输出到外部。
关键是上述三个步骤是独立执行并与CPU同步的。
过去，只有在从头到尾执行这三个步骤后才可以输出数据。
这是SDRAM高速的秘诀。
SDRAM读写周期为1 0至1 5 n。
SDRAM基于双重内存库结构，并包含两个交织的内存数组。
当CPU从一个内存库或数组访问数据时，另一个可以读取和写数据。
通过在两个存储阵列之间的紧密切换，读取效率会加倍。
1 9 9 6 年推出的SDRAM的最高速度可以达到1 00MHz，与中端奔腾同步，并且存储时间短至5 至8 NS，这可以提高奔腾系统的性能1 4 0％。
与CPU（例如Pentium1 00、1 3 3 、1 6 6 等）相比，只能将每级绩效提高几十％，而切换到SDRAM似乎是一种更明智的升级策略。
目前，市场支持SDRAM的几乎所有奔腾级和高于主板。
SDRAM不仅被用作主内存，而且还广泛用于图形卡专用内存中。
对于显示卡，数据带宽越宽，它同时处理的数据越多，显示的信息越多，并且显示质量越高。
以前，可以同时读取和编写的双端口视频内存（VRAM）用于增加带宽，但是此内存成本很高，并且应用程序非常有限。
因此，在一般显示卡上，便宜的DRAM和有效的edodram被广泛使用。
但是，随着6 4 位图形卡的发布，带宽已扩展到Edodram可以达到的带宽极限。
为了达到1 6 00×1 2 00的更高分辨率并最小化成本，您只能使用频率为6 6 MHz和高带宽的SDRAM。
SDRAM还将应用于共享内存结构（UMA），该结构集成了主内存和显示内存。
这种结构大大降低了系统成本，因为许多高性能图形卡都很昂贵，因为它们的专用显示内存非常昂贵。
UMA技术将使用主要内存作为显示内存，而不再需要添加专用的显示内存，从而降低了成本。
SramStaturam静态随机内存根据生成时间和工作方法进行分配，并且静态随机内存也分为异步和同步。
在某些纳米制造技术下，SRAM容量低于其他类型的内存，因为SRAM需要更多的晶体管来存储一点（位），因此它要贵得多。
静态随机存储器主要用于2 级别。
1 .自以来的第3 8 6 台具有2 级缓存（缓存）的计算机以来，出现了AsyncSram异步随机内存，该旧模型属于“ Cacheram（Cache-Type随机”对内存类型的内存开始使用。
价值，数据越快，访问数据的速度不足以与CPU同步，并且CPU必须等待其速度。
6 6 MHz，但是当公交速度超过6 6 MHz（例如Cyrix的6 x8 6 p2 00+型号）时，SY NCBURSTSRAM被超载，这要比PBSRAM的传输速度低得多，因此，当前的pentium Motherboard（总线速度为6 6 MHz），我们应该使用Syncbustsrastsram，最高效率。
但是目前的问题是：很少有主板供应商生产Syncburstsram，因此可以支持Syncburstsram的主板价格很高。
3 PBSRAM管道爆发静态内存管道（管道或管道）的意思是：通过使用输入和输出寄存器，SRAM可以形成数据管道传输模式，例如“管道”。
加载填充寄存器时，尽管需要附加启动周期，但是一旦加载寄存器，一旦加载了寄存器，SRAM就可以形成数据管道传输模式，例如“管道”。
可以实现以下功能：在提供当前地址的数据时，可以提前访问下一个地址。
当总线速度为7 5 MHz且高于7 5 MHz时，此内存是最快的缓存随机内存（Cacheram）。
实际上，PBSRAM可以匹配总线速度高达1 3 3 MHz的系统。
同时，在较慢的系统中，PBSRAM不再比Syncburstsram慢得多。
使用PBSRAM可以达到4 .5 至8 NS的“地址数据”时间。
L2 Cache L2 缓存解决CPU和主内存之间匹配速度的主要方法是在CPU和DRAM之间添加基于SRAM的L2 CACHE，它可以在没有CPU的情况下承担8 5 ％的内存请求，需要添加额外的等待时间。
当使用DOS，Windows 3 .1 ，Windows 3 .2 和WFW 3 .1 1 （工作组的Windows）作为主要操作系统时，确实不需要将L2 Cache设置为2 5 6 KB以上。
但是，自Windows 9 5 操作系统启动以来，已经测试过，当系统只有1 6 MB的RAM时，设置5 1 2 KB缓存可以大大提高系统性能，而不是2 5 6 KB的缓存。
此外，多媒体软件变得越来越普遍，以前的系统无法缓存大多数图形和视频信息，这使得CPU不断处理较慢的主内存，降低系统的性能以及增加CPU的L2 缓存可以解决此问题。
目前，人们越来越倾向于应用3 2 位操作系统。
在多任务操作系统中，将L2 Cache添加到2 MB具有实际意义，并且可以提高系统性能。
这是因为该应用程序越来越大，并且更多的程序正在同时运行。
当CPU在多任务之间切换时，如果缓存没有足够的空间来加载所有执行的代码，则必须从非常慢的主内存中获得所需的信息，并且多任务操作系统无法完全扮演其角色。
因此，在应用现代操作系统时，在系统上加载5 1 2 KB的L2 CACHEE是对计算机系统开发的需求。
基于以下功能，SyncburstSRAM比异步法更适合L2 缓存：（1 ）与系统时钟（2 ）爆发能力（3 ）管道能力同步。
在访问连续存储位置时，这些功能使微处理器比异步SRAM更快。
目前，某些RAM供应商提供的3 .3 V异步SRAM的“时钟到数据时间”为1 5 ns，而使用类似技术的同步SRAM的“时钟到DATA时间”小于6 ns。
随着公交速度的提高，具有最佳性能价格的SRAM技术从异步到同步，然后再到管道同步。
但是，只有少数供应商可以提供同步的SRAM，因此，当系统性能不是很重要时，这是设计人员使用“管道同步”技术的明智选择，以从5 0MHz到6 6 MHz的总线速度。
一些内存设计方案结合了缓存，DRAM和SRAM，例如CDRAM，EDRAM，CVRAM，SVRAM，EDOSRAM和EDOVRAM。
有一些内存设置该解决方案在内存中添加了一些内置的微处理器，例如Smart Ram（Smartram），3 DRAM（用于3 D视频信号处理），RDRAM（RAMBUSDRAM）和WRAM（WindowsRam，使用双端口端口内存视频加速技术）。
可以看到记忆的多样性，并且不同。
闪存，闪存和铁电随机内存闪存是一种可擦除的非挥发性半导体内存，于1 9 8 3 年推出。
它采用了一种非挥发性内存技术，也就是说，如果不应用大电压来擦除它，它可以保留在其州内，并且可以安全地存储信息而无需供电。
它还具有固态电子特性，也就是说，没有可移动的零件和良好的电击性。
同时，它具有卓越的性能，其访问时间仅为3 0n。
与先前可擦除的电气EEPROM相比，闪存的最大差异是，它采用了可擦除的阵列结构，这不仅使其具有快速的擦除速度，而且具有高密度的单管结构（例如EEPROM），这会导致制造成本较低和体积较小。
闪存结合了ROM和RAM的性能和高密度。
它是具有较大容量，高速，非易失性和在线重写特征的少数记忆之一。
闪存主要用于系统的BIOS，调制解调器（调制解调器）和某些网络设备（轮毂，路由器）。
铁电随机内存还采用非挥发性记忆技术，并在生产中使用铁氧体。
它优于闪存的是，其性能在多个写入操作后不会降解，并且闪存存在降解问题。
这使铁电随机内存更加有前途。
目前，市场经常在市场上升级各种内存棒和技术功能。
CPU进入了奔腾时代，与此同时，内存系列产品的技术和性能逐渐更新和改进。
记忆棒的格式分为3 0行，7 2 行和1 6 8 行。
当今流行的记忆棒是江户和sdram。
当今的奔驰级别和上面的计算机旨在支持江户和SDRAM记忆棒。
测量记忆棒技术的重要指标是DRAM芯片的访问时间。
常见的是6 0N，7 0N和8 0N。
值越小，速度越快。
Simm内存棒SIMM内存棒的全名是单列存储器模块。
它是一个带有3 至3 6 块DRAM的电路板。
早期PC的主要内存使用了双内线包装（DIP）DRAM芯片。
由于他们的安装位置很大且不方便，因此现在通常使用SIMM内存棒。
安装SIMM等同于安装原始的9 次DIP型DRAM芯片。
当前，大多数集成的SIMM内存棒都是EDO/FPM内存，其主要参数为：1 Simm内存棒上的引脚销数，通常称为“ Golden Finger”。
使用时，内存棒销的数量必须与主板上的Simm Notch中的引脚数匹配。
有3 0针和7 2 针Simm Notches，相应的存储棒销为3 0线和7 2 -WIRE。
在7 2 针系统中，有基于奇偶校验的3 6 位记忆棒，并且没有基于奇偶校验的3 2 位记忆棒。
在普通的3 0针系统中，有基于奇偶校验的9 位记忆棒，并且没有基于奇偶校验的8 位记忆棒。
目前，已经消除了3 0针SIMM存储棒。
2 容量3 0电线存储棒具有共同的能力：2 5 6 KB，1 MB和4 MB。
7 2 线记忆棒的共同容量为4 MB，8 MB，1 6 MB和3 2 MB。
在3 0针引脚系统中，8 位或9 位存储棒的数据宽度为8 位，数据宽度为2 8 6 、3 8 6 SX和4 8 6 SXCPUS是1 6 位，因此必须成对使用； 3 8 6 DX和4 8 6 DXCPU的数据宽度为3 2 位，因此必须用于4 个组中。
在7 2 针引脚系统中，3 2 位或3 6 位存储棒的数据宽度为3 2 位，适用于3 8 6 DX，4 8 6 DX和Pentium（5 8 6 ）微型计算机，可以单一或成对使用。
3 速率内存棒的重要性能指标是速率，以纳秒（NS）表示，它代表了系统在没有错误的情况下提供内存的时间。
通常，有几种类型，例如6 0ns，7 0ns，8 0n，1 2 0ns等，并且记忆棒上标有“ -6 ”，“ -7 ”，“ -8 ”，“ -8 ”，“ -1 2 ”等单词。
该值越小，存储棒的速度就越快。
只有在内存匹配主板速度时，才能达到最大效率。
4 均等微型计算机需要在内存中奇偶校验，但可以无奇偶校验运行。
奇偶校验需要额外的内存芯片。
购买记忆棒时，您经常听到2 件，3 件，3 件，伪造的3 件，8 件，9 件等，这是指存储棒是否具有奇偶校验检查。
2 和8 的记忆棒绝对没有奇偶校验； 3 和9 的记忆棒应该具有均等，但是为了获得更高的利润，一些制造商将坏芯片用作奇偶校验，称为假3 或假9 件。
假3 或假9 件通常可以正常使用，但制造成本很低。
确定内存是否具有奇偶校验更为简单。
安装内存并启动内存后，执行Biossetup程序并选择允许奇偶校验。
如果机器可以正常启动，则意味着内存具有奇偶校验。
如果屏幕发生奇偶校验错误后崩溃，则意味着内存没有奇偶校验。
DIMM内存棒在存储棒模块生产技术方面，新的1 6 8 线DIMM内存棒模块是当今最流行的内存棒，如下图所示。
DIMM是指一个双重在线模块，该模块与早期的SIMM单个在线模块有很大不同。
它使模块的总线宽度增加一倍，长度不高。
DIMM技术的另一个优点是能够制造非常小的3 2 位模块。
这称为sodimm。
它只有7 2 针Simm模块的一半，因此许多笔记本电脑制造商采用了Sodimms作为记忆棒的标准模式。
实际上，无论是内存棒技术的创新还是内存棒模块的转换，最终目标是适应大多数计算机用户的多层次需求。
金斯敦（Kingston）是一家世界知名的记忆棒制造商，强调了其产品生产的专业精神和针对性，并专门为每个不同系统设计。
未来的市场将是强调技术和服务的市场。
出色的技术创新和高质量的服务保证将为计算机用户带来无限的利益。
