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购买内存并不容易，如何选择可靠？下面向您揭示。
对于那些预算适当的人，您不必直接选择高价的内存，但是对于大多数人来说，以下几点更实用： 8 GB足以容纳日常游戏和办公室工作，而1 6 GB可确保多年不需要改进。
选择良好的谷物制造商 他们的产品具有可持续的性能和高成本性能。
频率和时间：遵循速度 频率越高，时间越低，性能就越好，但是应注意的是，频率超过3 8 00MHz可能不适合第三代Ryzen。
2 4 00MHz和3 6 00MHz C1 6 频率通常满足大多数要求，但必须通过XMP函数激活。
通道 内存就像数据的快速渠道，其重要性是自我的。
不足的内存能力将使该程序起作用，因此保证至少8 GB或更多。
现在，内存价格处于低位，现在是购买的好时机。
1 单击会话框中以打开硬件革命设备。
2 单击记忆信息以获取思维的详细信息。
我今天会花时间写。
1 三星和三星官方命名文件如下：示例：第一行：“ sec8 4 3 ”重要信息8 4 3 表示8 4 3 内存粒子生产日期。
第二行：“ K4 A4 G08 ”重要信息代表4 G08 存储粒子的容量和位宽度（Ag表示1 6 GB）。
第三行：“ 5 WTBCTD”是重要的信息t和td，t代表t粒子版本。
我是t-dai。
TD内存表示频率和时机，TD为2 6 6 6 C1 9 ，RC为2 4 00C1 7 ，PB为2 1 3 3 C1 5 第四行：我不知道角度标记的定义是什么。
当时，我有时间研究三星粒子编号的各自的频率时间表：三星颗粒目前以我而闻名（我还没有看到一些粒子）：A-dai（1 6 GB，3 2 GB），B-D（8 GB，1 6 GB，1 6 GB），C-D（C-D（8 GB），D-DI（4 GB，8 GB，8 GB），4 GB（4 GB），4 GB（4 GB（4 GB））。
B），M-DAI（1 6 GB），S-DAI（4 GB，8 GB），T-DYE（4 GB）在某些三星的ETT颗粒（白色碎片）的常规记忆工厂中发现。
2 官方微型微米粒子标记的官方定义文件的示例：第一行：“ 7 UE7 5 ”，7 U代表生产现象产生的现象7 1 7 年代表U 4 2 周（实际上U 2 1 点为2 1 *2 = 4 2 ），电子分段代表E-Diovision，E-Dio，e-Dio，E-Dio，E-Dio，E-Dio，Edio，7 5 代表粒子粒子的空间，四个代表粒子的空间，分别代表粒子粒子空间是中国。
第二行：“ D9 VPP”微米的FBGA代码具有更多的粒子信息，并且需要通过微米查询系统进行解码。
网站：https：//www.micron.com/support/tools-and-tilites/fbga Micron粒子命名规则示例示例：MT4 0A1 G8 SA-07 5 ：EFBGA代码：D9 VPP重要信息：重要信息：4 0 DDR4 8 GB1 6 BIT，代表07 5 频率，时间为07 5 IS 2 6 6 6 C1 9 ，08 3 IS 2 4 00C1 7 ，09 3 E IS 2 1 3 3 C1 5 ，E颗粒版本E-DYE E-DYE微米数量和频率定时对应表：实际上，实际上，确定微小颗粒不存在。
，常见的眼镜（大S）粒子上也有一些编码。
示例：编号：PS02 9 -09 3 TPPS02 9 此代码类似于Micron的FBGA代码。
您还可以在官方网站上查看信息网站：https：//www.sptek.com/menus/mark_code.aspxspetek粒子命名规则示例示例： suu5 1 2 m1 6 z1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 M1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 备1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 E1 1 ENS （Micro）可用于确认微米的核心代码和粒子版本的粒子版本之间的对应关系。
因此，我的粒子是e-dee09 3 ，它代表2 1 3 3 C1 6 Spetek编号和频率计时表TP，代表粒子质量级别3 HynixHynix Hynix官方命名文件：示例：第二行号：“ H5 AN8 G8 NCJR”：“ HH5 AN8 G8 NCJR”重要信息8 G8 粒子容量8 GB和位宽宽，c-disterlant，c-Disterlant，c-Disterlant，c-Distertenlant，c-distertenlant，c-disterten c-dir和时间代表。
8 2 9 代表生产日期。
相关表的第四行和频率时间可能具有角度标记的某些连接。
实际上，AFR，CJR和MFR我们经常说这不是僵化的。
实际上，只有第一个粒子代表版本，第二个包装类型表示确实，第三章中没有任何意义。
The current particles are currently known in HYNIX (I have seen most of them): A-DIE (4 GB, 8 GB, 1 6 GB) is common AFR, B-Die (4 GB) I have seen that bjr is rare, C-Dee (8 GB, 1 6 GB) Famous CJR, M-Dee (4 GB, 8 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, is common.许多hynix膜颗粒被放置在记忆品牌徽标中，他们只能依靠台风软件来识别它们，但不幸的是，当heinix识别台风软件时，我发现粒子的某些角度可以估计粒子的某些粒子，只是个人摘要，官员没有说这是粒子的下部！如果有任何错误，请随时指出。
不同制造商的记忆分子存在差异。
以下是关于常见计算机记忆棒分子的详细差异和流行的科学：1 主要制造商和三星特征：优点：它以其连接的同志和出色的稳定性而闻名，并且运营频率的参与者喜欢它。
BDIE颗粒：尤其是著名的，它正在努力多次更新操作频率记录，并且具有良好的兼容性。
新分子：Adie和Edie颗粒在密度方面得到改善，性能频率性能基本上像BDIE或更好，并且能力更大。
Hynix：CJR颗粒：具有良好的健身，与AMD Ryzen平台的兼容性良好，并且很容易达到更高的频率。
JJR分子：运行频率性能性能比CJR粒子低一些，但它仍然是一个更好的选择。
镁：稳定和永久：镁记忆分子以其稳定性和耐用性而闻名，并且它们在提高工作频率方面的性能不如三星。
BDIE颗粒：稳定且耐用，不适合继续提高严重工作频率的用户。
Edie分子：有些玩家可以将其频率提高到更高的频率，但是他们需要更高的努力，这使得时间表很难。
2 记忆粒子对工作频率性能的影响：粒子的物理构成越好，提高工作频率频率的功率越强。
对于继续提高严重工作频率的用户，选择正确的内存粒子尤其重要。
稳定性和兼容性：对于普通用户，内存粒子的选择主要影响内存稳定性和兼容性而不是性能。
3 如何查询记忆粒子检测程序：您可以使用thaiphoonburner程序来检测内存粒子，并通过读取内存信息来确定粒子模型。
直接报价：裸胶带存储器可以直接向粒子显示定义以确定颗粒的类型。
摘要：对于普通用户，对内存能力和品牌的关注就足够了。
对于提高工作频率的玩家，适当的内存粒子的选择将显着提高记忆力的性能。
买内存怎么看颗粒和时序？
在Ryzen的第三代到来之前，人们严重讨论了记忆选择，CJR，B-DIE和E-VIE等术语感到困惑。购买内存并不容易，如何选择可靠？下面向您揭示。
对于那些预算适当的人，您不必直接选择高价的内存，但是对于大多数人来说，以下几点更实用： 8 GB足以容纳日常游戏和办公室工作，而1 6 GB可确保多年不需要改进。
选择良好的谷物制造商 他们的产品具有可持续的性能和高成本性能。
频率和时间：遵循速度 频率越高，时间越低，性能就越好，但是应注意的是，频率超过3 8 00MHz可能不适合第三代Ryzen。
2 4 00MHz和3 6 00MHz C1 6 频率通常满足大多数要求，但必须通过XMP函数激活。
通道 内存就像数据的快速渠道，其重要性是自我的。
不足的内存能力将使该程序起作用，因此保证至少8 GB或更多。
现在，内存价格处于低位，现在是购买的好时机。
如何查看内存条连号
内存货币经理可以知道硬件以查看信息。1 单击会话框中以打开硬件革命设备。
2 单击记忆信息以获取思维的详细信息。
k4b4g16多大内存？
因为昨天，Chh看到一个人使用局部方法来判断微米粒子版本，在B站，有人问我如何使用它来判断内存粒子版本。我今天会花时间写。
1 三星和三星官方命名文件如下：示例：第一行：“ sec8 4 3 ”重要信息8 4 3 表示8 4 3 内存粒子生产日期。
第二行：“ K4 A4 G08 ”重要信息代表4 G08 存储粒子的容量和位宽度（Ag表示1 6 GB）。
第三行：“ 5 WTBCTD”是重要的信息t和td，t代表t粒子版本。
我是t-dai。
TD内存表示频率和时机，TD为2 6 6 6 C1 9 ，RC为2 4 00C1 7 ，PB为2 1 3 3 C1 5 第四行：我不知道角度标记的定义是什么。
当时，我有时间研究三星粒子编号的各自的频率时间表：三星颗粒目前以我而闻名（我还没有看到一些粒子）：A-dai（1 6 GB，3 2 GB），B-D（8 GB，1 6 GB，1 6 GB），C-D（C-D（8 GB），D-DI（4 GB，8 GB，8 GB），4 GB（4 GB），4 GB（4 GB（4 GB））。
B），M-DAI（1 6 GB），S-DAI（4 GB，8 GB），T-DYE（4 GB）在某些三星的ETT颗粒（白色碎片）的常规记忆工厂中发现。
2 官方微型微米粒子标记的官方定义文件的示例：第一行：“ 7 UE7 5 ”，7 U代表生产现象产生的现象7 1 7 年代表U 4 2 周（实际上U 2 1 点为2 1 *2 = 4 2 ），电子分段代表E-Diovision，E-Dio，e-Dio，E-Dio，E-Dio，E-Dio，Edio，7 5 代表粒子粒子的空间，四个代表粒子的空间，分别代表粒子粒子空间是中国。
第二行：“ D9 VPP”微米的FBGA代码具有更多的粒子信息，并且需要通过微米查询系统进行解码。
网站：https：//www.micron.com/support/tools-and-tilites/fbga Micron粒子命名规则示例示例：MT4 0A1 G8 SA-07 5 ：EFBGA代码：D9 VPP重要信息：重要信息：4 0 DDR4 8 GB1 6 BIT，代表07 5 频率，时间为07 5 IS 2 6 6 6 C1 9 ，08 3 IS 2 4 00C1 7 ，09 3 E IS 2 1 3 3 C1 5 ，E颗粒版本E-DYE E-DYE微米数量和频率定时对应表：实际上，实际上，确定微小颗粒不存在。
，常见的眼镜（大S）粒子上也有一些编码。
示例：编号：PS02 9 -09 3 TPPS02 9 此代码类似于Micron的FBGA代码。
您还可以在官方网站上查看信息网站：https：//www.sptek.com/menus/mark_code.aspxspetek粒子命名规则示例示例： suu5 1 2 m1 6 z1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 M1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 备1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 E1 1 ENS （Micro）可用于确认微米的核心代码和粒子版本的粒子版本之间的对应关系。
因此，我的粒子是e-dee09 3 ，它代表2 1 3 3 C1 6 Spetek编号和频率计时表TP，代表粒子质量级别3 HynixHynix Hynix官方命名文件：示例：第二行号：“ H5 AN8 G8 NCJR”：“ HH5 AN8 G8 NCJR”重要信息8 G8 粒子容量8 GB和位宽宽，c-disterlant，c-Disterlant，c-Disterlant，c-Distertenlant，c-distertenlant，c-disterten c-dir和时间代表。
8 2 9 代表生产日期。
相关表的第四行和频率时间可能具有角度标记的某些连接。
实际上，AFR，CJR和MFR我们经常说这不是僵化的。
实际上，只有第一个粒子代表版本，第二个包装类型表示确实，第三章中没有任何意义。
The current particles are currently known in HYNIX (I have seen most of them): A-DIE (4 GB, 8 GB, 1 6 GB) is common AFR, B-Die (4 GB) I have seen that bjr is rare, C-Dee (8 GB, 1 6 GB) Famous CJR, M-Dee (4 GB, 8 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, 1 6 GB, is common.许多hynix膜颗粒被放置在记忆品牌徽标中，他们只能依靠台风软件来识别它们，但不幸的是，当heinix识别台风软件时，我发现粒子的某些角度可以估计粒子的某些粒子，只是个人摘要，官员没有说这是粒子的下部！如果有任何错误，请随时指出。
内存颗粒哪个好？有什么区别？常见电脑内存条颗粒知识科普
记忆分子的质量主要取决于它们在提高工作频率和稳定性方面的性能。不同制造商的记忆分子存在差异。
以下是关于常见计算机记忆棒分子的详细差异和流行的科学：1 主要制造商和三星特征：优点：它以其连接的同志和出色的稳定性而闻名，并且运营频率的参与者喜欢它。
BDIE颗粒：尤其是著名的，它正在努力多次更新操作频率记录，并且具有良好的兼容性。
新分子：Adie和Edie颗粒在密度方面得到改善，性能频率性能基本上像BDIE或更好，并且能力更大。
Hynix：CJR颗粒：具有良好的健身，与AMD Ryzen平台的兼容性良好，并且很容易达到更高的频率。
JJR分子：运行频率性能性能比CJR粒子低一些，但它仍然是一个更好的选择。
镁：稳定和永久：镁记忆分子以其稳定性和耐用性而闻名，并且它们在提高工作频率方面的性能不如三星。
BDIE颗粒：稳定且耐用，不适合继续提高严重工作频率的用户。
Edie分子：有些玩家可以将其频率提高到更高的频率，但是他们需要更高的努力，这使得时间表很难。
2 记忆粒子对工作频率性能的影响：粒子的物理构成越好，提高工作频率频率的功率越强。
对于继续提高严重工作频率的用户，选择正确的内存粒子尤其重要。
稳定性和兼容性：对于普通用户，内存粒子的选择主要影响内存稳定性和兼容性而不是性能。
3 如何查询记忆粒子检测程序：您可以使用thaiphoonburner程序来检测内存粒子，并通过读取内存信息来确定粒子模型。
直接报价：裸胶带存储器可以直接向粒子显示定义以确定颗粒的类型。
摘要：对于普通用户，对内存能力和品牌的关注就足够了。
对于提高工作频率的玩家，适当的内存粒子的选择将显着提高记忆力的性能。
