笔记本内存条48好还是44好
笔记本电脑存储器棒4 + 8 更好还是4 + 4 ？使用升级的内存时，它并不像您想象的那样简单。选择选择插入容量并不容易，但也取决于主板的规格。
如果内存插槽提供的主板仅支持一个4 G内存棒，则不需要4 + 8 解决方案。
小明有些卡片8张8张的分剩4张 4张的分剩多少
4 是4 和8 的一般排水，因此从2 4 开始，找到一个符合条件的数字。换句话说，您只能执行4 4 个排水。
验证：4 4 /4 = 1 1 ，刚分开，4 4 +4 = 4 8 ，4 左侧。
（4 4 排水包括4 4 ）不要忘记采用它！
请教一个关于内存芯片容量的问题
各种制造商都有不同的符号，但是一旦达到容量符号，一个是1 2 8 米，另一个是2 5 6 米，例如：Samsung4 H2 8 08 3 B -TCB0主要含义：PIT 1 st Pruncision K，意味着内存芯片。第二位 - 4 型，代表DRAM。
第三个位置 - 芯片类型的另一个描述表示SDRAM，H表示DDR，代表G sgram。
第五和第五位 - 容量和更新。
内存具有相同容量的不同更新，也将使用不同的数字。
6 4 、6 2 、6 3 、6 5 、6 6 、6 7 、6 a代表6 4 MB的容量； 2 8 、2 7 、2 a代表1 2 8 MB的能力； 5 6 、5 5 、5 7 、5 a代表2 5 6 MB的容量； 5 1 代表5 1 2 MB的容量。
第六位和第七位 - 数据库引脚的数量，08 代表8 位数据； 1 6 代表1 6 位数据。
3 2 代表3 2 位数据。
6 4 代表6 4 位数据。
第1 1 号 - 联系“ - ”。
1 4 和1 5 位 - 芯片速率，例如6 0是6 ns； 7 0是7 N。
7 b为7 .5 NS（Cl = 3 ）; 7 C为7 .5 NS（Cl = 2 ）; 8 0是8 N。
1 0是1 0NS（6 6 MHz）。
知道内存分子的主要数量的含义，在获得记忆棒后，很容易计算其能力。
例如，三星DDR存储器充满了1 8 块Samsungk4 H2 8 08 3 B-TCB0颗粒。
粒子数的第四位和第五位“ 2 8 ”表示粒子为1 2 8 MB，粒子的Tat 6 和7 “ 08 ”表示粒子是8 位数据域的宽度。
这样，我们可以计算出存储棒的容量为1 2 8 MB（MB）x 1 6 件/8 位= 2 5 6 MB（MB）。
注意：“ bit”是“ digit”，“ b”表示字节“字节”，如果一个字节为8 位，则在计算时将其分为8 关于记忆容量帐户，本文中提到的示例中有两种情况：其中一个是非ECC内存，其中8 个数字数据的每8 个片段显示可以形成存储器；另一个是ECC内存，在每6 4 位数据后，添加了ECC 8 -PIT验证代码。
通过验证代码，可以为此发现错误，实际上未计算检查位，并且具有ECC功能的1 8 个分子的记忆棒的实际容量为1 6 次。
购买时，您还可以根据此确定1 8 或9 内存分子的记忆棒是ECC。
HYNIX（现代）现代记忆的含义：HY5 DV6 4 1 6 2 AT-3 6 HYXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX转hy是一种现代产品2 内存芯片的类型：（5 7 = sdram，5 d = dsdram）; 3 工作电压：空= 5 V，v = 3 .3 V，U = 2 .5 V 4 芯片容量和更新速率：1 6 = 1 6 mbits，4 kref; 6 4 = 6 4 mbits，8 kref; 6 5 = 6 4 mbits，4 kref; 1 2 8 = 1 2 8 mbits，8 kref; 1 2 9 = 1 2 8 mbits，4 kref; 2 5 6 = 2 5 6 mbits，1 6 kref; 2 5 7 = 2 5 6 mbits，8 kref5 ，代表了一点芯片出口：4 0、8 0、1 6 和3 2 代表4 位，8 位，8 位，1 6 位和3 2 位，分别是：1 、2 和3 代表2 、4 和3 代表2 、4 和8 A row K is 2 7 . Core Core: It can be empty or letters like A, B, C, D. The more it goes, and the more Kernel 9 repre sents energy consumption: L = Low Power Chip, Blank = Normal Chip 1 0. TD = 1 3 mtSOP-ⅱ, TG = 1 6 mtop-ⅱ 1 1 . Work speed: 5 5 : 1 8 3 MHz, 5 : 2 00 MHz, 4 5 : 2 2 2 MHz, 4 3 : 2 3 3 MHz, 4 : 2 5 0 MHz，3 3 ：3 00NHz，L：DDR2 00，H：DDR2 6 6 B，K：DDR2 6 6 AINFINEON是Sima，German的一个分支。
目前，Infineon是西门子的子公司，在本地市场中仅产生两种类型的存储分子：容量为1 2 8 MB和2 5 6 MB分子的颗粒。
列出了内存能力，并在数字中详细显示数据。
Infineon内存管理管理模型由每个粒子的4 个银行组成。
因此，它们的记忆分子相对较低，并且最容易区分。
HYB3 9 S1 2 8 4 00为1 2 8 MB/4 位。
“ 1 2 8 ”表示粒子的容量，最后三个数字表示显示内存数据的显示。
也适用于其他人，例如：HYB3 9 S1 2 8 8 00为1 2 8 MB/8 B。
HYB3 9 S1 2 8 1 6 0为1 2 8 MB/1 6 -位； HYB3 9 S2 5 6 8 00为2 5 6 MB/8 B。
表示Infineon存储器粒子的方法是在其模型末端添加一条短线，然后标记动作速率。
-7 .5 -内存频率为1 3 3 MHz； -8 -内存工作频率为1 00 MHz。
例如：1 金斯敦记忆棒是使用Infineon的HYB3 9 S1 2 8 4 00-7 .5 存储粒子产生的。
其容量的计算如下：1 2 8 MB（Megadigital）x 1 6 件/8 = 2 5 6 MB。
Ramaxel 1 记忆棒是使用Infineon的HYB3 9 S1 2 8 8 00-7 .5 存储粒子产生的。
其容量的计算如下：1 2 8 MB（Megabits）x 8 芯片/8 = 1 2 8 MB（MB）。
Tinybga包（Tinybaallgridarray）中Kingmax和Ktikingmax Kingmax的描述。
该包装模型是专利产品，因此我们看到所有由Kingmax分子制成的记忆棒都是由同一工厂生产的。
Kingmax内存粒子具有两个容量：6 4 MB和1 2 8 MB。
在这里，您可以列出每个链的内存粒子。
容量注意：KSVA4 4 T4 A0A-6 4 MBITS，数据1 6 M x数据4 位数据； KSV8 8 4 T4 A0A-6 4 MBITS，数据8 M x 8 位; KSV2 4 4 T4 XXX-1 2 8 MBITS，面积为3 2 米x数据4 位数据； KSV6 8 4 T4 XXX-1 2 8 MBITS，x 8 位地址的1 6 m宽度； KSV8 6 4 T4 XXX-1 2 8 MBITS，8 M x x 1 6 位数据。
有四种kingmax存储器平均值的情况，这是使用简短代码在形式之后分离的记忆率：-7 a -pc1 3 3 /cl = 2 ; -7 -pc1 3 3 /cl = 3 ; -8 a -pc1 00/cl = 2 ; -8 -pc1 00/cl = 3 例如，Kingmax内存棒由1 6 片组成KSV8 8 4 T4 A0A-7 A记忆粒子，其容量的计算如下：6 4 mbits（megabits）x 1 6 件/8 = 1 2 8 mb（megabytes）。
MT4 8 LC1 6 M8 A2 TG-7 5 使用MICRON来澄清微米内存加密规则。
含义：MT-微米制造商的名称。
4 8 -内存类型。
4 8 代表SDRAM。
4 6 代表DDR。
LC-能源供应秃鹰。
LC站在3 V上。
C代表5 伏。
v站立在2 .5 伏。
1 6 M8 -内存粒子的容量为1 2 8 MB，计算方法为：1 6 m数据显示（地址）x 8 位。
A2 -血液中的内核版本编号。
TG-包装方法，TG是TSOP软件包。
-7 5 - 内存工作率，-7 5 表示1 3 3 MHz； -6 5 表示1 5 0 MHz。
示例：Micronddr存储棒，由1 8 MT4 6 V3 2 M4 -7 5 制成。
此内存支持ECC功能。
因此，每个银行都是内存粒子的奇怪部分。
它的容量计算如下：3 2 m x 4 bit x 1 6 芯片/8 = 2 5 6 MB（megabyte）。
Winbond：Winbond：WXXXXXXXX1 2 3 4 5 1 W表示内存粒子。
2 视频内存类型：9 8 是SDRAM，9 4 是DDRRAM吗？ 3 危险版本编号：常见版本编号为b和h； 4 软件包是，H是TSOP软件包，B是BGA软件包，D是LQFP软件包5 操作频率：0：1 0NS，1 00MHz; 8 ：8 ns，1 2 5 MHz; Z：7 .5 NS，1 3 3 MHz； Y：6 .7 NS，1 5 0MHz； 6 ：6 ns，1 6 6 MHz； 5 ：5 ns，2 00 MHz
