内存时序是不是越低越好 内存性能详情介绍分享
记忆时机越低吗？记忆性能的详细介绍。内存时间顺序和内存频率是比较内存性能时要注意的问题，但是对于初学者来说，他们不知道如何查看它。
另外，我不知道内存正时越小，内存时间越高。
内存正时越低，越好：答案：是的，内存正时越低，越好。
1 简而言之，内存时机是检索数据所需的时间。
2 我认为每个人都可以理解，它所需的时间越长，自然就会越快。
3 但是，除了查看时间安排外，内存频率还会影响性能。
4 您的内存越多，您的内存性能就越好。
5 但是，增加的内存频率也增加了内存正时和读取时间。
6 您可以看到这两个是对立面。
一般而言，记忆频率对性能有重大影响。
7 因此，选择记忆棒时，您必须首先比较频率，然后以相同的频率比较内存正时。
许多用户甚至在购买内存时都不会查看内存的时间。
谢谢你的观看。
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内存时序高好还是低好？
内存定量或撞击是四个参数，描述了时钟周期中同步动态随机访问存储器（SDRAM）的能力：CL，TRCD，TRP和TRAS。那么，拥有高内存正时还是低？ 内存定时1 对于相同频率的内存，时间越低，则越好。
2 计时系列中的Cl-Trcd-Trp（1 1 -1 1 -1 1 ）表示1 1 个时钟。
1 6 00MHz内存中的默认时间为1 1 -1 1 -1 1 ，默认时间为1 3 3 3 MHz为9 -9 -9 3 因此，1 6 00MHz的时机比1 6 00MHz1 1 -1 1 -1 1 -1 1 -1 1 的内存快，谢谢。
CPU_Z测的内存时序第5项TRFC行周期时间是大好还是小点好？
TRFC值属于第二个小参数，表明续订周期为一个周期，值越小，越好。DDR3 内存通常很重要9 0-1 2 0。
在8 0岁以下，可能会发生不稳定。
CL，TRCD，TRP和TRA被称为第一次，它们对粒子性能的影响是最明显和最重要的。
首先，内存时间（英语：内存时间或拉姆时间）是四个参数，描述了时钟周期中随机访问的同步动态内存的性能（SDRAM）：CL，TRCD，TRP和TRAP。
显然，计算机应该有序地工作，并且对生成时间，稳定时间，取消时间以及各种操作信号之间的关系存在严格的要求。
应用于操作信号的时间控制称为时间管理。
只有严格的时间控制才能保证有机计算机系统与各种功能组件结合使用。
扩展信息：影响内存持续时间的因素：将内存时间转换为实际延迟时，最重要的是注意时钟周期作为单元。
如果不知道时钟周期的时间，就无法确定一组数字是否比另一组更快。
例如，DDR3 -2 000内存的时钟频率为1 000 MHz，时钟周期1 NS。
基于此手表1 NS，Cl = 7 指定的绝对延迟为7 NS。
更快的DDR3 -2 6 6 6 （时钟1 3 3 3 MHz，每个周期0.7 5 ns）可以使用较大的Cl = 9 ，但生成的绝对延迟为6 .7 5 ns，较短。
Modern Dimm包括DIMM ROM -CHIP，其中包含推荐的自动配置内存时间。
PC上的BIOS可以使用户可以调整时间以提高生产率（存在稳定性降低的风险）或在某些情况下会增加稳定性（例如，使用推荐时间）。
笔记。
内存吞吐量测量内存能力，通常受传输速度而不是延迟的限制。
多亏了几家SDRAM国内银行的交替，您可以不断传输到峰值。
您可以通过增加延迟来增加带宽。
特别是，每一个新一代的DDR内存都具有更高的传输速度，但是绝对延迟并没有发生重大变化，尤其是市场上第一批新一代，通常比上一代更长。
即使内存延迟增加，内存能力的增加也可以通过多个处理器或多个性能流动来提高计算机系统的性能。
更高的容量还将提高没有特殊图形内存的集成视频卡的性能。
参考来源：百度百科全书 - 内存时间来源的参考来源：百科全书百度 - 控制临时序列
CPU_Z测的内存时序第5项TRFC行周期时间是大好还是小点好？
1 TRFC，即更新间隔的期限，是内存时间的参数。价值越小，越好。
对于DDR3 存储器，典型的TRFC值在9 0到1 2 0之间变化，小于8 0涉及不稳定。
2 3 这意味着时间，稳定性，操作信号的撤销及其相互关系的产生。
4 内存时间的实际延迟取决于时钟周期。
例如，DDR3 -2 000内存中的Cl = 7 表示延迟7 纳秒，而DDR3 -2 6 6 6 存储器也可以由于其较短的时钟周期而获得相似或更短的绝对延迟。
5 ModernDimm包括对串行存在（SPD）的ROM芯片检测，该检测存储了推荐的内存时间表设置。
用户可以通过BIOS调整时间以提高性能，但这可以伴随着稳定性的降低，或者在某些情况下会增加稳定性。
6 通过交织SDRAM的多个内部银行，可以连续传输峰值速度，但这可能需要额外的延迟。
7 即使这样，内存带宽的增加也可以显着提高多处理器或多执行线程系统的性能，并且也可以提高没有专用图形内存的集成图形卡的性能。
