内存DDR4和DDR3的区别
有七个区别； 这两个插槽都位于插入旁边，但是DDR4 插槽的位置略有不同，以避免在主板或不兼容平台上安装模块。2 与DDR3 相比的容量，理论DDR4 可以达到每个DIMM模块5 1 2 GIB的容量，而DDR3 的每个DIMM模块的理论最大容量仅为1 2 8 GIB。
3 DDR3 的最大速度为2 1 3 3 mt/s，DDR4 数据传输速率也从2 1 3 3 mt/s开始。
5 DDR3 操作电压的能耗为1 .5 V，而DDR4 为1 .2 V，节省4 0％。
6 在Anandtech免费测试中的性能，DDR4 性能比DDR3 好一些，但增益很小。
7 通常，当首次推出新型内存类型时，它们的价格将相对较高。
随着时间的流逝，价格将降至上一代产品的水平，然后大量普及，以取代上一代产品。
DDR扩展的信息，也称为SDRAM两次，DDR SDRAM DDSM的两次日期是高速CMO的动态记忆。
2 000年6 月，JEDEC固态技术协会宣布了双DATA动态内存规范（DDR SDRAM）JESD7 9 宽带也可以达到2 .1 2 8 GB/s。
DDR不支持3 .3 V电压的LVTTL，但支持SSTL2 2 .5 V标准。
DDR内存代表了可以将来与漫步的记忆发展的方向。
什么是DDR4 内存？ - 高性能|。
内存条4代和3代的区别
根据接口类型，第三代模块使用DDR3 接口。使用了第四代DDR4 接口。
这种差异不仅反映在外观上，而且直接影响了记忆棒的性能和速度。
第三代记忆棒基于2 GB，4 GB，8 GB和8 GB。
第四个面条基于4 GB，8 GB和1 6 GB。
这意味着与存储相比，第四代内存和更令人难忘的带宽。
第三代记忆棒不仅增加了1 3 3 3 MHz，1 6 00 mmHz，2 1 3 MHz，2 4 00 mMHz，并且可以显着改善系统的性能。
根据价格，由于更大的能力和速度，在先进的技术中实行了较高技术的曝光率也相对较高。
一般来说，记忆备忘录比第三代记忆棒贵2 0％。
简而言之，存储导师的原型是接口的类型和接口的类型。
但是特定的应用在一种情况下，第三代棍棒是高性能的。
因此，根据选择适当的存储棒表格和规范时的实际要求和应用条件。
应该考虑。
4代内存条和3代的区别
第四代记忆棒和第三代记忆棒之间的差异：1 最直接的方面是尘埃端口的位置不同。此外，金指的索引不同，有2 8 4 个DDR4 ，而DDR3 为2 4 0。
2 两种类型的内存不能混合，插槽是不同的。
3 主板的质量取决于材料和制造。
随机访问存储器（缩写：RAM），也称为主要内存，是内部内存，它直接与CPU交换数据。
它可以随时读取和写入（除了刷新时），并且通常是操作系统或其他执行程序的临时数据存储介质。
RAM工作时，可以从任何时间指定的任何地址编写（存储）或读取（恢复）信息。
IT和ROM之间的最大区别是数据的挥发性性质，也就是说，在电力故障时存储的数据将丢失。
RAM用于计算机和数字系统中临时存储程序，数据和中间结果。
