求问着个三星内存的编号是什么意思？
编码规则：k4 xxxxxxxx -main含义：1 位-Chip函数K。第二位-DRAM -TYPE芯片类型4 第三位置-CHIP类型的进一步描述代表SDRAM，H表示DDR，G代表Sgram，g表示Sgram，B表示DDR3 系列。
第四位和第五位 - 容量和刷新。
具有相同容量的内存也采用其他新的刷新费用和其他数字。
2 G表示单剂量的2 5 6 m（2 G/8 ，特定原因）位6 和7 位 - 数据线的数量，08 代表8 位。
1 6 是1 6 位 光，位8 -内存库：3 ：4 bank（2 ^（3 -1 ）），4 ：8 bank（2 ^（4 -1 ））位9 电压“ 6 ”表示电压标准，即1 .5 V，1 0位 - “ C”。
换句话说，粒子数和标签编号的位置必须相对应。
第1 1 号 - 连接“ - ”。
位置1 3 -“ C”表示为1 .5 V和1 .3 5 V，如果为“ Y”。
第1 4 位和1 5 位-CHIP速度，H9 -bit CL9 规格。
。
ETC。
三星颗粒型号怎么区分的
目前，许多存储器制造商选择三星的内存颗粒来产生记忆棒，这使得三星在市场上占据着重要地位。由于产品线丰富，三星记忆颗粒的命名规则显得特别复杂。
三星内存粒子模型用1 6 位数字编码命名。
用户最关心的是识别内存容量和工作率，因此这两个部分的含义将在此处介绍。
编码规则的解释：k4 xxxxxxxxx，xxxxx的主要含义如下：第一位置：代表内存芯片的芯片函数标识符k。
第二位：芯片类型标识4 ，代表DRAM。
第三位置：进一步的类型描述，S表示SDRAM，H表示DDR，而G表示Sgram。
第四位和第五位：容量和刷新率。
即使具有相同的容量，不同的刷新率也将使用不同的数字。
例如，6 4 、6 2 、6 3 、6 5 、6 6 、6 7 、6 a代表6 4 mbit的容量； 2 8 、2 7 、2 a代表1 2 8 mbit的容量； 5 6 、5 5 、5 7 、5 a代表2 5 6 毫米的容量； 5 1 代表5 1 2 毫米的容量。
第六和第七位：数据线销的数量。
08 代表8 位数据； 1 6 代表1 6 位数据； 3 2 代表3 2 位数据； 6 4 代表6 4 位数据。
另外，第1 1 位是连接标记“”，第1 4 位和第1 5 位代表芯片速率。
例如，6 0表示6 N； 7 0表示7 N； 7 b表示7 .5 NS（Cl等于3 ）; 7 C也表示7 .5 NS，但CL等于2 ； 8 0表示8 NS； 1 0表示1 0N（适用于6 6 MHz）。
一般内存条上都有标贴注明 ,但在没有标贴注明的情况下如果辨别出内存条的型号
三星内存粒子具有复杂的命名规则，其模型以1 6 位数值代码命名。其中，第四和第五数表示6 4 、6 2 、6 3 、6 5 、6 6 、6 7 、6 a的容量代表6 4 mbit的容量； 2 8 、2 7 和2 A代表1 2 8 毫米的容量； 5 6 、5 5 、5 7 和5 A代表2 5 6 Mbit的容量； 5 1 代表5 1 2 毫米的容量。
第六和第7 位数字表示数据线引脚的数量，08 表示8 位数据； 1 6 代表1 6 位数据； 3 2 代表3 2 位数据； 6 4 代表6 4 位数据。
第1 4 和第1 5 位表示芯片的程度，6 0是6 ns。
7 0是7 N； 7 b为7 .5 NS（Cl = 3 ）; 7 C为7 .5 NS（Cl = 2 ）; 8 0是8 ns； 1 0是1 0NS（6 6 MHz）。
记忆记忆三星DDR作为例如，如果使用1 8 片，则Samsungk4 H2 8 08 3 8 B-TCB0颗粒，第4 和5 “ 2 8 ”部分意味着粒子为1 2 8 mbits，第6 和7 位“ 08 ”表示粒子是8 位带宽。
可以计算出记忆棒的容量为1 2 8 mbits×1 6 个PC / 8 BITS = 2 5 6 MB（Megabytes）。
如果内存支持ECC函数，则计算容量时应排除位检查ECC。
例如，将1 8 块颗粒记忆棒的实际容量计算为1 6 件。
微米内存粒子的编码规则相对简单。
MT4 8 LC1 6 M8 A2 TG-7 5 代表微米（MT）制造商的名称，内存类型（4 8 ），电源电压（LC代表3 V），内存粒子容量（1 6 m8 ，1 2 8 MBITS），必需的内存版本编号（A2 ），包装方法（TG），包装方法（TG）和（TG）的费率（TG）1 3 3 MHZ）。
以Micronddr存储器为例，如果使用1 8 个具有MT4 6 V3 2 M4 -7 5 数字的粒子来产生，则存储器支持ECC函数，并且每个库都是内存粒子的奇怪部分。
其容量计算为：容量3 2 m×4 bit×1 6 芯片/8 = 2 5 6 MB（Megabytes）。
内存模型西门子详细列出了数据的内存能力和宽度。
例如，HYB3 9 S1 2 8 4 00为1 2 8 MB/4 BIT。
“ 1 2 8 ”表示粒子的能力，最后三个数字表示存储器数据的宽度。
HYB3 9 S1 2 8 8 00为1 2 8 MB/8 BIT； HYB3 9 S1 2 8 1 6 0为1 2 8 MB/1 6 BIT； HYB3 9 S2 5 6 8 00为2 5 6 MB/8 BIT。
表示工作率的方法是在其模型末端增加一条短线，然后标记工作率，例如-7 .5 表示1 3 3 MHz，而-8 表示1 00MHz。
KINGMAX内存为例，其KSVA4 4 T4 A0A内存粒子的模型代表6 4 mbits，1 6 m地址空间×数据宽度； KSV8 8 4 T4 A0A代表6 4 mbits，8 m空间地址×8 位数据宽度； KSV2 4 4 T4 XXX代表1 2 8 mbit，3 2 m地址×4 位数据宽度； KSV6 8 4 T4 XXX代表1 2 8 mbits，1 6 m地址×8 位数据宽度； KSV8 6 4 T4 XXX代表1 2 8 mbits，8 m空间地址×1 6 位数据宽度。
在模型之后，标记了Kingmax内存操作的程度，为-7 a表示PC1 3 3 /Cl = 2 ； -7 表示PC1 3 3 /Cl = 3 ; -8 a表示PC1 00/Cl = 2 ; -8 表示PC1 00/Cl = 3 建模（现代）为例，其SDRAM芯片编号的格式为Hy5 abcdefghlm-NO。
其中，EN代表现代产品； 5 a代表芯片的类型； b代表工作张力； CDE代表刷新的能力和速度； FG代表芯片出口数据的宽度； H表示由几家银行组成的内存芯片；我表示接口； J代表内核的版本； K代表能耗； LM代表包装的形式；否代表速度。
例如，HI5 7 V6 5 8 01 0CTC-1 0S，处女膜代表现代芯片，5 7 代表SDRAM，6 5 代表6 4 mbit和4 krefreshcycles/6 4 ms，8 代表8 位代表8 位生产，1 0个银行，C是4 00miltsop-ii套餐的第四版，C是4 00miltsop-ii套餐。
一般内存条上都有标贴注明 ,但在没有标贴注明的情况下如果辨别出内存条的型号
如何识别记忆尺寸攀登外观。存储棒可用于控制记忆粒子模式以确认其容量。
以下是使用某些关键制造商的内存粒子编码规则作为说明识别内存能力的方法的示例。
三星记忆粒子目前使用三星记忆粒子来产生记忆棒，并且它们的市场份额很高。
由于其较大的产品线，三星记忆粒子的名称规则非常复杂。
三星内存粒子以1 6 位数字代码命名。
其中，用户更关心确定记忆能力和工作程度，因此我们专注于理解这两个部分。
编码规则：K4 XXXXXXXXXX -XXX主要含义：1 -函数 - 功能K，代表内存芯片。
位2 -芯片类型4 ，代表戏剧。
第三位置 - 芯片类型的进一步描述S表示SDRAM，H表示DDR，而G表示SRAM。
第四和第五位 - 刷新的容量和程度。
具有相同容量的内存批准了不同的刷新率和不同的数字。
6 4 、6 2 、6 3 、6 5 、6 6 、6 7 、6 a代表6 4 mbit的容量； 2 8 、2 7 、2 a代表1 2 8 mbit的容量； 5 6 、5 5 、5 7 、5 a代表2 5 6 毫米的容量； 5 1 代表5 1 2 毫米的容量。
第六和第7 位 - 数据线销，08 呈现8 位数据； 1 6 代表1 6 位数据； 3 2 代表3 2 位数据； 6 4 代表6 4 位数据。
nr。
1 1 -连接“ - ”。
第1 4 位和1 5 位 - 芯片的尺度，6 0是6 ns； 7 0是7 N； 7 b为7 .5 NS（Cl = 3 ）; 7 C为7 .5 NS（Cl = 2 ）; 8 0是8 ns； 1 0是1 0NS（6 6 MHz）。
知道内存粒子主要人物的含义，在收到记忆棒后很容易计算其容量。
例如，使用1 8 件Samsungk4 H2 8 08 3 8 B-TCB0颗粒包装三星DDR存储器。
粒子数的第4 和第5 个“ 2 8 ”部分表示粒子为1 2 8 mbit，第六和第7 个“ 08 ”粒子表示粒子是8 位数据带。
这样，我们可以计算出存储棒的容量为1 2 8 mbits×1 6 个PC/8 BITS = 2 5 6 MB（Megabytes）。
注意：“ bit”是“ digit”，“ b”表示字节“字节”，如果一个字节为8 位，则在计算时将其除以8 关于记忆容量的计算，文章中提到的示例中有两种情况：一个是非ECC内存，其中8 位数据宽度的每8 个部分都可以形成存储器；另一个是ECC内存，在每个6 4 位数据之后，添加了ECC 8 位验证代码。
通过验证代码，可以检测到内存数据中的两位错误，并可以纠正一位错误。
因此，在实际能力计算中，没有计算控制部件，并且具有ECC函数的1 8 个粒子的实际容量为1 6 倍。
购买时，您还可以根据此确定1 8 或9 内存粒子的内存粘合是ECC内存。
微米记忆颗粒微米的记忆粒子比三星要简单得多。
以下是MT4 8 LC1 6 M8 A2 TG-7 5 数字，用于说明微米内存编码规则。
含义：MT-微米制造商的名称。
4 8 --内存类型。
4 8 代表SDRAM； 4 6 代表DDR。
LC-电源电压。
LC代表3 V； C代表5 V； V代表2 .5 V。
存储粒子的1 6 M8 容量为1 2 8 mbit，计算方法为：1 6 m（地址）×8 位数据宽度。
A2 -内核的内核版本。
TG-包装方法，TG是TSOP包装。
-7 5 -记忆工作程度，-7 5 表示1 3 3 MHz； -6 5 表示1 5 0MHz。
示例：由1 8 个颗粒计算的MT4 6 V3 2 M4 -7 5 制成的Micronddr存储棒。
此内存支持ECC功能。
因此，每个银行都是内存粒子的奇怪部分。
其容量计算为：容量3 2 m×4 bit×1 6 芯片/8 = 2 5 6 MB（Megabytes）。
西门子的记忆颗粒当前，西门子的一个分支Infineon目前仅产生具有两个能力的记忆粒子：容量为1 2 8 mbits和颗粒的颗粒，其容量为2 5 6 mbits。
内存能力和数据宽度详细列出。
该组织的Infineon内存管理模型由4 个粒子库组成。
因此，他的记忆粒子相对较少，并且更容易区分。
HYB3 9 S1 2 8 4 00为1 2 8 MB/4 BIT。
“ 1 2 8 ”表示粒子的能力，最后三个数字表示存储器数据的宽度。
其他人也是如此，例如：HYB3 9 S1 2 8 8 00为1 2 8 MB/8 BITS； HYB3 9 S1 2 8 1 6 0为1 2 8 MB/1 6 BIT； HYB3 9 S2 5 6 8 00为2 5 6 MB/8 BIT。
表示Infineon记忆粒子的工作程度的方法是在其模式的末端增加一条短线，然后标记工作规模。
-7 .5 - tabalakjo表示内存的工作频率为1 3 3 MHz； -8 -表示内存的工作频率为1 00MHz。
例如：1 金斯敦记忆棒是使用Infineon的1 6 HYB3 9 S1 2 8 4 00-7 .5 生产的。
它的容量计算为：1 2 8 mats（Megabits）×1 6 芯片/8 = 2 5 6 MB（Megabytes）。
1 使用8 HYB3 9 S1 2 8 8 00-7 .5 内存粒子产生1 Ramaxel存储棒。
它的容量计算为：1 2 8 mats（Megabits）×8 芯片/8 = 1 2 8 MB（Megabytes）。
Kingmax记忆粒状Kingmax记忆都在Tinybga包（TinyBallGridarray）中。
而且该包装模型是专利产品，因此我们看到所有由Kingmax颗粒制成的记忆棒都是由工厂本身生产的。
Kingmax记忆粒子具有两个容量：6 4 mbits和1 2 8 mets。
在这里，您可以列出每个容量系列的内存粒子模式。
容量注意：KSVA4 4 T4 A0A-6 4 MBITS，1 6 m地址空间×4 位数据宽度； KSV8 8 4 T4 A0A-6 4 TMBITS，8 M地址×8 位数据宽度； KSV2 4 4 T4 XXX-1 2 8 THTS，3 2 M地址空间×4 位数据宽度； KSV6 8 4 T4 XXX-1 2 8 THTS，1 6 m地址空间×8 位数据宽度； KSV8 6 4 T4 XXX-1 2 8 THTS，8 M地址××1 6 位数据宽度。
有四个Kingmax内存工作率，这意味着使用短行符号将内存工作率分开：-7 a -pc1 3 3 /cl = 2 ; -7 -pc1 3 3 /cl = 3 ; -8 a -pc1 00/cl = 2 ; -8 -pc1 00/cl = 3 例如，Kingmax存储棒由1 6 个内存粒子KSV8 8 4 T4 A0A -7 A制成，其容量计算为：6 4 mbits×1 6 PC/8 = 1 2 8 MB（Megabytes）。
现代（现代）现代SDRAM记忆合规性非常好。
支持DIMM的主板通常可以平稳地使用它。
SDRAM芯片的格式是：hy5 abcdefghijklm-no代表现代产品； 5 a代表芯片类型（5 7 = SDRAM，5 D = DDRSDRAM）; b表示工作张力（空白= 5 V，v = 3 .3 V，u = 2 .5 V）; CDE代表清爽的能力和速度（1 6 = 1 6 mbits，4 kref，6 4 = 6 4 mbits，8 kref，6 5 = 6 4 mbits，4 kref，4 kref，1 2 8 = 1 2 8 mbits，8 kref，8 kref，8 kref，1 2 9 = 1 2 8 mbits，4 kref，4 kref，4 kref，4 kref，4 kref，2 5 6 = 2 5 6 mbits，2 5 6 mbits，2 5 7 = 2 5 6 mbits））; FG代表芯片出口数据的宽度（4 0、8 0、1 6 、3 2 代表4 位，8 位，1 6 位和3 2 位）； h表示由几家银行组成的内存芯片（分别为2 、4 和8 银行，这是2 的订单顺序）；我表示接口接口（0 = lvttl [lowvoltagettl]）; j表示内核版本（可能是空的，也可以是a，b，c，d等字母，而内核变成年轻的内核）； k表示能耗（L =低功率芯片，空白=普通芯片）; LM表示包装的形式（JC = 4 00milos，TC = 4 00miltSop-II，TD = 1 3 mmtsop-II，TG = 1 6 mmtsop-ii）; NO表示速度（7 = 7 NS〔1 4 3 MHz〕，8 = 8 NS〔1 2 5 MHz〕，1 0p = 1 0ns〔PC-1 00CL2 或3 〕，1 0S = 1 0NS = 1 0NS〔PC-1 00CL3 〕，1 0 = 1 0NS = 1 0NS〔1 00NS〔1 00NS〔1 00MHz〔1 00MHz〔1 00MHz〕，1 2 NS〔，1 2 NS〔8 3 MHz〔8 3 MHz〔，1 5 ns 1 5 ns。
HY5 7 V6 5 8 01 01 0CTC-1 0S，HI代表现代芯片，5 7 代表SDRAM，6 5 代表6 4 Mbit和4 krefreshreshcycles/6 4 ms/6 4 ms，8 位生产8 位生产，1 0是银行，C是4 th Kernel版本，TC是4 00miltsop-iiiiii IIIII III III IIIII III III III III III II II II II IS PC代表PC
内存编码含义Samsung
内存加密是描述内存芯片特征的代码。首先，分析加密位以更好地了解内存属性。
第一个位是K，代表内存芯片。
第二位是4 ，表示DRAM的类型。
S，H，G，T和D位于代表SDRAM，DDR，SGRAM，DDR2 DRAM和GDDR1 （视频存储器粒子）的第三名。
第四位和第五位表示内存容量和刷新速度，并且值与内存容量密切相关。
例如，诸如6 4 、6 2 、6 3 、6 5 之类的值对应于不同的功能。
位6 和7 表示数据引脚的数量，08 代表8 位数据，1 6 代表1 6 位数据等。
第8 位是一个数字，表示内存的物理库（粒子数据位的宽度）。
通常，值为3 或4 ，表示4 或8 个银行。
第9 位表示字符的电压标准，Q代表SSTL-1 .8 V电压，该电压用于比较DDR和DDR2 的电压标准，其中DDR2 更能节省能量，适合超频。
第1 0位的角色代表校准版本，M代表第一代产品，A到F代表了周六的第二代产品。
当前，主粒子被封装在E和F中。
线“ - ”在第1 1 位，空位。
第十二个咬合字符显示了包装的类型G和S的类型，指示FBGA（PIN）和Z包表示FBGA（无针）包装。
第1 3 个特征表明，温度和电压标准标准“ C”表明商业温度和正常容量以及“ L”表明，商业和低容量适用于超频，但很少用于共同记忆。
第1 4 位和第1 5 位代表芯片速度，例如6 0、7 0、7 B，7 C，8 0、1 0等，与内存的工作频率相对应。
数字1 6 、1 7 和1 8 位并不常见，并且经常在OEM或特定字段中使用，因此此处不会详细描述。
仅通过确定加密中的主要位，记忆容量的计算也非常简单。
以三星DDR存储器为例，它使用1 8 件Samsungk4 H2 8 08 3 8 B-TCB0颗粒进行包装。
第四和5 “ 2 8 ”位代表1 2 8 mbits，第6 和7 “ 08 ”位代表8 位数据带宽和计算为2 5 6 MB（Megabyte）的内存能力。
了解内存编码有助于我们识别并选择更好的内存，尤其是ECC内存。
在实际应用中，可以通过加密来确定容量和记忆棒，这对记忆的性能和稳定性产生了重要影响。
三星视频记忆扩展信息
