在手机论坛中常可以看到“NAND”，“NAND”是什么？
NAND Technology Nand Samsung，Toshiba和Fujisu支持NAND Technology Flashmemory。此结构的闪存适用于存储纯数据和存储文件。
它主要用作SmartMedia卡，CompactFlash卡，PCMCIAATA卡和固体状态平板电脑的存储方式，并已成为Flash Disk技术的本质。
NAND Technology FlashMemory具有以下特征：（1 ）页面单元中的阅读和编程操作，2 5 6 或5 1 2 B（字节）；以4 K，8 K或1 6 KB为单位的擦拭操作。
它具有快速的编程功能和快速擦除，擦拭时间为2 毫米。
而被阻塞的块没有达到数百个。
（2 ）数据和地址用于实现串行阅读。
随机阅读速度很慢，不能被枪支随机编程。
（3 ）小芯片和几个指甲的大小，它是最低的位置内存，很快就会打破每MB $ 1 的价格。
（4 ）幻灯片包含故障块，最大数字可以达到3 〜3 5 个块（取决于内存的强度）。
故障块不会影响正确的块的性能，但是设计人员需要在的时间表中隐藏失败的块。
三星在1 9 9 9 年底开发了世界上1 gbnand的第一张闪存。
据说这种闪光灯能够存储5 6 0个高分辨率或3 2 首压缩平板电脑歌曲，并将成为下一代便携式信息产品的理想方式。
三星使用多种DRAM工艺技术，包括第一个0.1 5 μm制造工艺来生产此闪光。
K9 K1 2 08 UOM采用了0-1 8 μm的大量生产产品，存储容量为5 1 2 MB。
Ultranand AMD和Fujisu被称为常见的Ultranand技术记忆高级NAND。
它与NAND标准兼容：NAND技术的可靠性较高；它可用于存储代码，这反映了第一次应用代码的NAND技术成本；他没有失败的块，因此它不需要在系统级别和校正下的错误验证功能，并且可以更有效地使用内存能力。
像Dinor Technology一样，尽管Ultranand Technology具有优势，但技术NAND仍然是当前市场中的主要电流。
Ultranand家族的第一个成员是AM3 0LV006 4 ，它采用0.2 5 μm的制造，没有故障块。
它可以在至少1 04 个擦除周期中实现无误差过程。
它适用于需要高可靠性的场合，例如沟通，网络系统，个人学说，稳固的地位驱动力等AM3 0LV01 2 8 以下1 2 8 MB开发，在AMD计划中，Ultranand Technology将显示每兆字节1 美元的最高价格，这表明它是技术的另一个功能。
3 和技术和技术是获得专利的日立技术。
日立和三菱共同支持闪存和技术。
NAND等技术采用了“更多声音内存”的概念，该概念当前是闪存存储技术，数据存储和文档存储中的另一个任务。
日立和三菱使用MLC技术的0.1 8 μm制造工艺生产5 1 2 MB和一个具有较小芯片尺寸，较大的存储容量和低能消耗的Lucamia。
接下来，使用DDP双包装技术（双拒绝包技术），将两个5 1 2 MB的芯片安装在一个TSOP4 8 包装中，形成1 GB芯片。
HN2 9 V5 1 2 1 1 T具有不同的低能消耗特性，其2 mA读数流仅受益于1 μa。
同时，由于与质量的大小相一致的内部内存RAM的内部存在，因此该技术在写作性能中不会危险地降低，例如使用MLC的其他闪存技术。
日立使用此芯片制造1 2 8 MB多媒体卡和2 MB PC-SATA智能手机，个人数字助手，PC，数码相机，相机，移动音乐播放器等。
一些制造商使用EEPROM（例如Atmel，SmallSectoCtorflashmory和巨大的Atmel内存）生产另一种类型的血管。
这种类型的设备具有EEPROM与NOT TechnolySxontinue之间的比较性能属性，以重写数据。
该页面在编程前消除了，但是与块或闪存技术的结构相比，其页面的大小较小，并且具有随机读取，快速编程和快速扫描的特征。
（2 ）与EEPROM相比，它具有明显的成本优势。
（3 ）存储密度大于EEPROM，但它小于NOT技术闪存的信息。
例如，SmallSectorFlashMemory的存储密度为4 MB，而DataFlashMemory芯片为3 2 MB，带有实验样品。
这恰恰是由于这种类型的性能设备的灵活性和成本优势，当今仍在闪存市场中占有一席之地。
SmallSectorFlashMemory采用并行的平行结构（一页为1 2 8 或2 5 6 b）来执行页面读写。
因此，它具有随机随机阅读技术的优势，并且没有编程和擦除功能的缺点。
它适用于存储代码和存储较小的容量数据，并广泛用于替换EPROM。
DataFlashMemory是获得专利的ATMEL产品。
SPI串行接口只能读取序列中的数据，但会导致降低成本，提高系统的可靠性并减少包装的大小。
主要存储区域按页面结构采用。
SRAM数据有一个与主存储区域和串行接口之间页面大小相对应的僵局。
特殊结构确定它包含多个读取和写作渠道：可以直接从主存储区域读取，也可以从主存储区域通过临时商店读取或写入主存储区域。
可以互相读取或写入，并且也可以将主存储区域与临时商店进行比较。
适用于数据存储应用程序或文件，例如回复设备，著作，数码相机等，可以接受串行接口和阅读速度较慢。
3 发展趋势，内存开发具有更大，较小和较小的方向，这在闪存行业中尤为活力。
随着半导体制造操作的开发，采用了盛行的闪存0.1 5 μm。
有了高级操作的优势，闪存的功能可能会更大：技术不含2 5 6 MB，NAND和技术已经具有1 GB设备；同时，芯片包装量较小：从初始DIP包装到PSOP，SSOP，TSOP软件包，然后再到BGA包装，它已变成很小的闪光灯。
先进的过程技术还定义了内存的低压特性，从1 2 V初始编程电压到5 V，3 .3 V，2 、7 V和1 .8 伏的单个电压电源的电压逐步逐步。
这符合降低能源消耗的国际趋势，并增强了便携式产品的开发。
另一方面，新技术和新工艺也促使闪光灯的成本大幅下降，作者：在英特尔（Intel），而不是技术，而不是技术，并且将超过NAND技术和USD技术的闪光灯，这使其能够替换传统的磁盘存储。
世界上大约1 /4 的DRAM市场的闪存市场正在迅速发展。
与DRAM和SRAM一起，三个主要产品都在记忆市场中。
FlashMemory是货币和技术的快速发展。
新产品出现高性能和不断低成本的成本，刺激了更广泛的燃烧应用，并增强了行业的前进。
nor flash 和nand flash 的区别
简要说明：Nandflash的内部结构由使用NAND门的内存单元组成。它具有快速的非易失性和快速的读写速度，使其容易实现大容量。
目前，单个芯片nandflash可以达到8 Gbit（1 Gbyte）。
没有闪光也非易失。
随机存储速度比Nandflash快得多。
因此，Norflashes通常用作存储片或数据缓冲。
Nandflash通常用于存储数据。
例如，让我们从多个角度进行比较并介绍它们，例如USB Drive.mp3 在实际开发中，设计师可以根据产品需求做出合理的闪存选择。
1 接口的比较没有闪光灯具有一般的SRAM接口，可以很容易地将其附加到CPU地址和数据总线上，并且CPU接口要求较低。
Norflash的特征是芯片内执行（XIP，executeInplace），允许应用程序直接在闪存闪存内存上运行，而无需将代码读取到System RAM中。
例如，可以直接在Norflash中运行UBOOT的RO段。
只需复制RW和ZI段，然后将其运行。
Nandflash设备使用复杂的I/O端口连续访问数据，并使用八个引脚传输控制，地址和数据信息。
由于时机相对复杂，最好将典型的CPU与NAND控制器集成在一起。
此外，Nandflash未连接到地址总线，因此，如果您使用Nandflash作为系统的启动磁盘，则CPU需要特殊功能。
例如，如果选择S3 C2 4 1 0作为Nandflash启动模式，则它将自动将Nandflash 4 K数据读取到SRAM时，请在地址0处的SRAM读取。
如果CPU没有此特殊功能，并且用户无法直接在Nandflash中运行代码，则可以完成其他方法。
例如，许多使用Nandflash的开发板都使用小型闪光灯来运行启动代码。
2 容量和成本的比较。
与Nandflash相比，Norflash的容量较小，通常为1 -1 6 米。
一些新过程使用芯片叠加技术来增加Norflash的能力。
在价格方面，Norflush高于Nandflush。
例如，市场上4 MBYTE AM2 9 LV3 2 0 NORFLASH的零售价约为2 0元，而1 2 8 MBYTE K9 F1 G08 NANDFLASH的零售价约为3 0元。
Nandflash的生产过程更简单，NAND结构可以在特定的霉菌尺寸内提供更高的容量，从而导致价格下降。
3 可靠性比较：随机分布NAND设备中的不良块。
我以前曾试图消除不良块，但是我发现收益率太低，成本太高。
NAND设备需要对媒体进行初始化扫描以找到不良块，并将其标记为不可用。
如果已经创建的设备无法以可靠的方式执行此过程，则将导致高故障率。
Norflash中不存在不良块问题。
关于闪光钻头翻转（1 位翻转）现象，NAND的概率似乎比Norflash的概率高得多。
当Flash保存重要文件时，此问题是致命的，因此，当使用Nandflash时，建议同时使用EDC/ECC和其他验证算法。
4 寿命比较。
NAND闪存块的最大数量是1 00万次，但不是1 00,000次。
闪存的使用寿命也与文件系统机制有关，该机制要求文件系统具有损失平衡功能。
5 升级比Norflash升级更麻烦。
由于Norflashes的地址线要求不同，因此不方便地替换具有不同容量的Norflash芯片。
通常，通过在电路板的地址线上创建多个跳跃电阻来解决此问题，而没有电容不同的闪光灯。
Nandflash的容量不同的界面是固定的，使其易于升级。
6 .性能比较读写操作：在闪存设备上的写操作只能在空单元或擦除单元上执行。
NAND设备非常容易执行擦除操作，但是在擦除目标块中的所有位之前，它们甚至不需要写入1 擦除NOR设备，并在6 4 至1 2 8 KB之间的块上运行，并且大约需要5 秒钟才能执行擦除/写入操作。
擦除NAND设备在8 -3 2 KB的块上运行，最多可用于执行擦除/写入操作。
阅读操作：它也不比NAND快一点。
7 组件系统Linux系统的比较使用MTD来管理各种类型的闪存芯片，例如Nandflash和Norflash。
支持在Flash中运行的通用文件系统包括CRAMF，JFFS，JFFS2 ，YAFFS，YAFFS2 等。
CRAMFS文件系统是一个只读文件系统。
在Flash中实现读取操作时，通常会在Norflash中使用JFFS和JFFS2 文件系统，以及Nandflash中的YAFFS或YAFFS2 文件系统。
YAFFS2 文件系统支持大页面上的Nandflash内存（超过5 1 2 个字节/页面）。
NAND flash和NOR flash的区别详解
1 差异是1 接口的差异。Norflash具有SRAM接口，并且有足够数量的地址地址，因此内部的每个字节都可以很容易地使用。
Nandflash使用复杂的输入端口 - 输出来依次访问数据，并且每个产品或制造商的方法可能会有所不同。
8 个引脚用于传输管理，地址和数据。
2 各种力量和成本。
Nandflash单元的尺寸几乎是NOR设备的一半。
由于生产过程更简单，因此NAND结构可以在给定的霉菌尺寸内提供较高的容器，因此，这可以降低价格。
Norflash占据了大部分闪光市场市场，其容量为1 至1 6 MB，而Nandflash仅用于8 至1 2 8 MB的产品。
它还表明，这主要不是在代码存储的载体中使用。
NAND适用于数据存储，NAND考虑了Compactflash，SecuryGital，PCCARDS和MMC存储卡市场中最大的份额。
3 不同的预期寿命（耐用性），南弗拉什（Nandflash）中每个区块的最大洗涤量为一百万次，而Norflash的洗涤次数为十万倍。
除了获得块块的1 0 -1 的优势外，Nandflash单元的典型尺寸还比Orflash设备小8 倍，并且每个Nandflash存储器单元在特定时间被删除。
2 原理：闪存的闪存是一种非通信内存，它可以洗涤和重新编程，称为块的内存单元格的块。
任何闪存设备的记录操作只能在空或远程单元格中执行，因此在大多数情况下，必须在执行记录操作之前洗涤。
对于NAND设备，执行擦除操作非常容易，虽然不需要在洗涤前将目标块中的所有蝙蝠记录为0。
3 使用通常用作内存或数据缓冲区的部分。
Nandflash通常用于存储数据。
例如，USB Drive.mp3 等。
扩展的NAR和NAND信息是当今非自由闪存的两种主要技术。
英特尔于1 9 8 8 年首次开发了Norflash技术，完全改变了EPROM和EEPROM最初是团结在一起的情况。
此后，东芝立即发布了1 9 8 9 年的Nandflash结构，强调了每位成本较低，性能较高和通过界面（例如盘）的轻度更新。
但是十多年来，有很多硬件工程师无法确定NOR和闪存之间的区别。
“闪存 - 记忆”通常可以与“无内存”互换使用。
与技术相比，许多行业内部人士也不了解NAND Flash技术的优势，因为在大多数情况下，闪存仅用于存储少量代码，目前闪存不合适。
NAND是高数据存储密度的理想解决方案。
它也不是在芯片（XIP，executeinplace）中执行的特征，因此可以将应用程序直接启动到闪存，而无需在系统RAM中读取代码。
同样，它也没有高传输效率，并且在1 到4 MB的低功率下在经济上非常有效，但其录制和擦除速度较低会极大地影响其性能。
参考资料来源：百度百科全书-Nandflash参考资料来源：百科全书Baidu -Norflash
