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揭秘:计算机发展历程及第四代计算机特点

目前使用的计算机是第几代计算机

这是第四代(1 9 4 6 -1 9 5 7 ),是一台电子计算机。
它的基本电子组件是电子管。
内部内存使用延迟的汞线。
外部记忆主要使用鼓,纸带,卡片,磁带等。
由于当时电子技术的限制,计算速度仅为每秒几千倍,而成千上万的基本操作只有几千个单词。
编程语言处于最低阶段,主要是使用带有二进制表示的机器语言编程,下一步使用汇编语言进行编程。
因此,第一代计算机很大,消耗了很多功率,具有低速,高成本和令人尴尬的用途;它们主要限于某些军事和科学研究部门进行科学计算。
第二代(1 9 5 8 -1 9 7 0)是晶体管计算机。
1 9 4 8 年,美国贝尔实验室发明了晶体管。
十年后,晶体管取代了计算机中的电子管,并诞生了晶体管计算机。
晶体管计算机的基本电子组件是晶体管,内部存储器在磁性材料中使用大量磁性内存。
与第一代电子管计算机相比,晶体管计算机小,消耗较小的功率,低成本,固体逻辑功能,易于使用和高可靠性。
第三代(1 9 6 3 -1 9 7 0)是一台集成电路计算机。
随着1 9 5 8 年夏季在德克萨斯州的半导体技术的发展,美国成为了第一个综合半导体电路。
集成电路是由几个平方毫米的基板组成的逻辑电路,该电路集中了数十个或数百个电子组件。
第三代集成电路计算机的基本电子组件是集成的小电路和中型电路。
磁核的记忆已经发展,并且具有更好性能的半导体记忆开始,计算速度每秒传递至数十万个基本操作。
由于使用集成电路,第三代计算机的性能在各个方面都得到了很大改善:尺寸降低,价格降低,功能提高,可靠性得到了显着提高。
第四代(1 9 7 1 天)是一台大型集成电路计算机。
随着大规模集成电路和具有超大标度的集成电路的出现,这些电路量表包含数千个甚至数以万计的电子组件,电子计算机的开发已经进入了第四代。
第四代计算机的基本组件是大规模集成电路,甚至是超级土地集成电路。
高度集成的半导体记忆代替了磁核的内存,计算速度可以达到每秒数百万个基本操作,甚至数亿次。

计算机内存的作用

内存是计算机中内存的简短名称。
它主要用于存储程序和数据以及计算机内存功能,以确保它们可以正常运行。
内存可以根据其目的将两类分为两类:主内存和辅助内存。
主要内存是我们通常称为内部内存的。
例如,如果在粘贴后复制某些成分而没有粘贴或未保存,则这些临时数据将暂时存储在内存中。
支持内存包括硬盘,SSD等设备。
内存由两个部分组成:随机内存(RAM)和仅REID的内存(ROM)。
计算机存储器主要使用DRAM技术,即动态随机访问存储器,这是最常见的系统存储器。
DRAM通过电容器存储数据,但只能在短时间内捕获数据。
为了防止数据丢失,必须定期刷新电容器,否则数据将丢失。
记忆棒的组成包括电路板,记忆芯片,金指和电容器抑制剂。
电路板称为PCB,并连接了黑色存储器粒子。
与内存和主板有关的金属棒称为金指金指。
电容器和电阻器也混合在电路板上,由于任何零件都缺少,内存通常无法运行。
记忆金指(称为抗替换口)之间存在差异。
这种内存差异的位置不同的一代不同。
主板上的内存插槽只能插入与它们的代数相匹配以防止内存燃烧的内存棒中。
此差异是为此目的而设计的。

目前的计算机是第几代

当前的计算机是第四代。
第一代:第一代是电子计算机,其基本电子组件是电子管,内部记忆使用汞延迟线,外部记忆主要使用鼓声,纸带,磁带等。
第一代计算机的尺寸很大,消耗了很多电力,这些电量具有成本和科学的计算,并且对科学考试进行了科学检查和科学考试的知识。
第二代:第二代是晶体管计算机。
晶体管计算机的基本电子组件是晶体管,并且内部内存使用大量磁性材料制成的磁性磁盘。
与第一代电子管道计算机相比,晶体管计算机较小,使用性能较低,廉价,强大的逻辑功能,易于使用和高可靠性。
第三代:第三代是集成电路计算机。
在集成电路的帮助下,第三代计算机降低了其尺寸,降低了价格,扩展功能并大大提高了可靠性。
第四代:这是一台大型集成电路计算机。
第四代组件的基本组件是大型集成电路,甚至是集成的集成电路。
高度集成的半导体内存取代了磁性磁性记忆,计算速度可以达到数百万美元的基本操作,甚至数亿次。

计算机的内存储器有哪几种?

通常,微型计算机的内存是磁芯存储器和半导体内存,微型计算机的内存是半导体内存。
在用法功能方面,半导体内存包括随机访问记忆(RAM),也称为读取记忆; READONLYMEMORY(无线电访问信息,称为ROM)。
1 随机访问随机访问信息,是一个可以随机读/写数据的内存,也称为读/写内存。
RAM具有以下两个特征:一个是可以读出或写入。
原始存储的在读取时不会损坏原始存储的,而原始存储的仅在编写时进行修改。
其次,RAM只能用于临时存储信息。
断电后,存储的将立即消失,这是挥发性的。
RAM通常由MOS-TYPE半导体内存组成,并且可以根据其存储数据的机制分为两类:Dynamic(DynamiCRAM)和静态(staticram)。
DRAM的特征是其高度整合,主要用于大容量的内部记忆。
SRAM的特征是其快速访问速度,主要用于缓存内存。
2 读取的记忆rom是只读的内存。
顾名思义,它的特征是它只能读取原始,并且不能由用户写入新。
原始存储的是由制造商使用面具技术写成的,并永远保存。
它通常用于存储专用的固定程序和数据。
仅读取内存是一种非易失性内存。
一旦写出信息,就无需添加外部电源来保存信息,并且由于停电而不会丢失。
根据是否可以执行在线重写,将其分为无法在线重写的ROM和可以在线重写的ROM。
无法在线重写的ROM包括Mask ROM(Maskrom),可编程ROM(PROM)和可擦除的可编程ROM(EPROM); 可以在线重写的ROM包括可擦除的可编程ROM(EEPROM)和快速擦除的ROM(Flashrom)。
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