内存时序是不是越低越好详情
1 在保证稳定性的前提下，记忆的时间更少，性能越好。但是，我们知道许多内存棒现在能够超频，高频和低时时间是矛盾的。
通常，当频率增加时，必须处死时间。
例如，今年主存储生产商发布的DDR5 内存的时机较低，但频率相对较低。
2 时代对性能的影响仅为4 5 ％左右。
当前，高频内存的时间相对较大，因此不必担心太多。
选择频率是关键，但前提是CPU可以支持它。
如果CPU无法支持它，则增加频率是没有用的。
3 例如，2 4 00MHz，2 1 3 3 MHz和1 6 00MHz。
4 当然，记忆的时机越低，越好。
定时序列是指延迟，例如，DDR2 5 3 3 的官方SPD参数为4 4 4 -1 2 ，DDR2 6 6 7 为5 5 5 -1 5 通常，只能将AMD母亲设置为1 T或2 T，但是在双通道模式下，最好设置为2 T，以避免不稳定。
5 这主要取决于CPU的张力。
如果CPU过度锁定，则存储器通常会适当降低频率或在BIOS设置中添加较小的张力。
但是，并不是真的建议过度电阻。
无法玩的超频会造成硬件损坏，但是性能的改善并不明显。
6 时间越小，反应时间越快。
但是，这个差距是毫秒毫秒，几乎在日常使用中几乎令人不安。
记忆粒子离开工厂时将测试。
良好的颗粒用于生产铂杆或超频条，价格比普通棒贵。
如果预计不会超频，这些颗粒在过载条件下更永久地工作。
7 8 从理论上讲，同一世代内存的时机越低，性能越强，超频空间就越大。
随着记忆频率的增加，时间也将在不同程度上增加。
例如，在DDR时代，预定义的1 GHz时间通常为3 3 3 -8 ，而DDR4 的最后时间则上升至1 6 -1 6 -1 6 -3 5 9 后者是内存和内存时间频率综合效应的结果。
频率的增加和减少内存的时间可以减少内存的延迟，而内存的潜伏期则正是游戏所需的。
简而言之，记忆的频率越大，时间越好，越越越好，但是两者都不是现实的。
1 0Timpism是记忆的延迟，较低。
如果您想要高频内存，通常很难抑制时间，因此高频和低时机的内存通常更昂贵。
例如，左侧内存的频率很低，但时间较好，而右侧的频率很高，时间稍差。
从整体绩效来看，右侧的表现更强，但是如果考虑价格，左侧的价格可能会更合适。
1 1 TRFC值是第二个较小的参数，该参数指示更新间隔期，单位是周期，最少的是价值，越好。
DDR3 存储器的值通常为9 -0-1 2 0，在小于8 0 1 2 时可能会导致不稳定。
一切都很重要。
某些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码器，具有高物理效果的图像和游戏的渲染。
1 3 .内存时序参数通常缩写为2 -2 -6 -1 -1 -1 -T，该参数分别代表CAS-TRCD-TRP-TRAS-CMD的值。
市场（命令）理解Trans和CMD的两个参数存在一些差异。
1 4 时间越多，越好，但也必须考虑频率。
当内存过度时，必须增加时间。
例如，DDR2 的5 5 5 -1 5 可以以8 00 MHz的速度过度，而且预定义的时间为8 00 MHz。
1 5 即使图形卡和CPU较高，购买高频内存也只能改善某些帧的性能。
1 6 不，DDR8 00是6 -6 -6 -1 6 您认为它比1 6 00好吗？只能说，在相同的频率下，最好有一个较小的时机。
1 7 .当然，低时机更好，CL9 绝对比CL1 1 更好。
在这种情况下，带宽比延迟更为重要，因为1 3 3 3 MHz的带宽有点低。
怎样看主板的内存时序？
问题1 ：如何在狮子的内存中查看参数，该参数通常存储在内存模块的SPD中。2 -2 -2 -8 4 个数字的含义是：电缆（短时间内1 5 0个价格）内存cas延迟时间。
是重要参数内存之一。
在树的记忆中记录了一些面孔并打印1 5 0个值。
Ras-to-casdoly（TRCD）延迟时间存储订单列地址。
Row-PrecharackeLay（TRP），内存行地址门脉冲预刻时间。
行 - activelay（TRAS），内存行订单地址延迟。
这是四个狮子，指的是球员最担心的。
大多数主板都可以在BIOS中。
模块模块制造商还计划发射低延迟超频内存模块劣等JEDEC认证标准。
在相同的频率日落下，“ 2 -2 -2 -5 ”的狮子最低序列的记忆模块确实可以带来比“ 3 -4 -4 -4 -8 ”更高的记忆性能，幅度为3 至5 个百分点。
当在某些技术接头中真诚地引入内存参数时，相应的参数编号“ A-B-1 00-5 00”通常为“ 1 5 0-TCD，TRP-TRACS”。
现在，“ 2 -3 -3 -6 ”是什么意思，对吗？呢^ ^ ^ This introduction to the parameters and other parameters, which affects memory performance in the Bios Setting the Memory delay "in Bios and find" DRAMTIMESSEBLINGLE "in BIOS and DRAMTIMINGSSBLEPS BIOS and find" dramtiminebleps "in BIOS and Dramtimingssellectadius in Bios and find "dramtimineblingle" in BIOS and find "dramtim repeats" in BIOS and the first.其他描述可以出现在BIOS设置，自动配置，戏剧性，Timin Gsegus，TimingOnfiguringByspd，TimingOnfiguringByspd等，设置为 /禁用，以记忆为狮子的记忆，您应该首先转向手动设置，然后将其设置为详细的lion参数。
（1 T），禁用（2 T）。
因此，当内存需要大量时间时，您需要调整此参数。
目前，大多数主板立即将此参数放置。
此参数的默认值是禁用（2 T），如果玩家的内存质量良好，则可以将其设置为启用（1 T）。
caslatitinconcontrol（TC）可选设置：自动，1 、1 .5 、2 、2 .5 、3 、3 .5 、4 、4 .5 通常，当我们查看内存的参数时，即3 -4 -4 -8 “相应的参数为” 1 5 0，TCD，TRP-TRACS。
“这是第一个参数。
castatitercycontrol（并被描述为TCL，1 5 0，Caslatistenhy，Casslatency，“记忆中的记忆读写操作前的操作”。
案例控制了指令和实现六次六次纪律问题之间的指令和实施之间的时间，这些问题是什么是什么，是什么是什么，>>最重要的是延迟的时间为3 drecy 3 ddr nime ddr in 1 0 ddr in 1 0 ddr。
1 6 .2 5 n的时钟与您的DDR3 3 2 G1 8 6 6 MHz内存相比，默认值是1 5 01 TCD，TRP（1 3 -1 3 -1 3 ），因此您的内存不仅被要求符合标准可能最好或不需要软件来衡量性能。
问题3 ：如何调整狮子的记忆？前4 个项目应为1 1 -1 1 -1 1 -3 0，而狮子现在使用的是比默认狮子更好。
您可以去BIOS执行最低调整。
如果蓝屏的死亡屏幕可容纳稳定。
问题4 ：如何查看CPUZ狮子的记忆？您将CPU-Z用于这两个内存棒中的机器，这意味着它们兼容。
与9 -9 -9 -2 4 的记忆的记忆相同，与9 -9 -9 -9 -9 -2 4 的记忆相同，您可以看到记忆选项，两者等。
但是没有绝对。
例如，三星3 0nm黑色战士的默认时机也为1 1 -1 1 -1 1 -3 0，但通常可以超过2 1 3 3 一些9 -9 -9 -9 -2 4 不使用CPU-Z单击SCD选项卡来查看它！问题6 ：如何在线查看存储棒的时机。
接下来称为：CPU-Z工具（大量在线），内部内存列。
您可以看到问题7 ：如何查看计算机的内存大小，频率，LEO参数，可以使用CPUZ或AIDA6 4 之类的工具来查看内存参数。
问题8 ：如果您可以看到记忆棒的时机，请登上并帮助我。
xiaobai看不到1 8 6 6 年的内存。
您以1 6 00的频率运行，您可以输入BIOS以手动调整至1 8 6 6 年。
问题9 ：CPUZ中狮子的内存是什么不同。
在三个不同的外国频率之前，这可能是外部频率。
问题1 0：如何使用CPU-Z查看内存的时间。
BIOS，您还可以看到BYSD或自动的内存，即自动设置。
内存时序对性能的影响大吗？
1 因此，确保稳定性的前提下的内存正时越低。但是我们知道，现在许多记忆棒可以被超频，高频和低时机是矛盾的。
通常，当频率增加时，必须处死时间。
如果时间安排较低，则很难增加与DDR5 相同的频率，DDR5 是由主要存储制造商发布的。
2 时间对性能影响4 5 ％。
高频存储器时机现在相对较大。
不用担心以这种方式选择频率。
这是CPU可以上升的皇家前提。
否则，这是没有用的。
3 时机并不重要，性能差异也不大。
频率为2 4 002 1 3 3 1 6 00。
4 当然，内存正时越低，越好。
时机意味着延迟。
通常，DDR2 5 3 3 的官方SPD参数为4 4 4 1 2 DDR2 6 6 7 通常，只能将AMD主板设置为1 T或2 T，但是当不发生内存时，最好以双通道模式设置2 T，以避免不稳定的元素。
5 这取决于电压。
当CPU超频时，内存通常会略微下降。
如果电压不够，请在BIOS设置中添加一些电压。
略有01 V向上测试。
如果可以稳定，它将成功。
但是我不建议超频。
如果您不能玩，则看不到性能的提高。
您也可以浪费硬件。
有什么伤心？ 6 我在使用它时感觉不到它。
制造商装配线的记忆颗粒用于制作测试和铂杆或超频杆。
价格比普通酒吧贵。
如果该粒子没有超频，则可以在过载条件下更稳定地执行。
7 CL4 4 4 1 2 ，标准相同，但通常，8 00m的频率为5 5 5 1 5 6 6 7 m至4 4 4 1 2 Zhiqi DDR2 8 00 CL5 5 5 5 1 5 可能很好。
使用Jinbang HeilongTip DDR2 8 00。
这是8 00m频率计时4 4 4 1 2 内存之一。
8 从理论上讲，现代记忆时机的越低，性能越强，超频空间就越大，内存频率就越高。
时间安排增加到各个程度。
根据百度百科全书，DDR时代的默认时机通常为3 3 3 8 直到今天，最新的DDR4 时序已增加到1 6 1 6 1 6 3 5 后者是内存频率和内存时间综合效果的结果。
增加频率并减少内存正时减少内存等待时间。
记忆力低的等待时间是只需游戏。
内存频率越高，时间越好。
但是，拥有这两个东西是不现实的，因为您可以看到它。
1 0定时是内存延迟。
越低，越好。
如果您想要高频的记忆棒，通常很难抑制时间安排。
因此，高频和低时序的记忆通常比图片的左侧要贵，但是时间安排更好，右侧的高频很高，时间略有恶化。
根据总体表现，右侧的性能更强，并且考虑了价格。
1 1 TRFC值属于第二个小参数，代表新的刷新间隔期，单位是周期，值越小。
DDR3 存储器通常小于9 01 2 0和8 0，这可能导致不稳定的Cltrcdtrp，TRA是第一个时机，对粒子性能的影响最为明显，最重要的是内存时机英语内存。
1 2 一切都很重要。
某些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编码和解码，图像渲染以及高物理效果。
1 3 内存定时参数通常缩写为2 2 2 6 1 1 1 T。
该格式表示Castrcdtrascmd 2 2 2 6 1 1 1 T值的最后两个定时参数，TRAS和CMDCommand的缩写。
这些是更复杂的定时参数。
目前，市场了解这两个参数。
1 4 时间越低，越好。
但是，您需要根据频率增加内存超频的时间。
DDR2 的5 5 5 1 5 可以以8 00MHz的速度超频。
默认的8 00MHz也是默认的DDR默认计时3 3 3 9 2 T4 00MHZDR2 默认值5 5 5 5 1 5 2 T8 00MHZDR3 默认值。
1 5 如果计算机具有不是顶级的图形卡CPU，则无需高频购买存储棒。
即使图形卡CPU是最好的，您也只能通过购买高频存储棒来增加1 0帧。
1 6 不，DDR8 00为6 _6 _6 1 6 您认为它比1 6 00好吗？您能说相同频率的延迟较小吗？ 1 7 .当然，最好的时间很低。
CL9 绝对比CL1 1 更好。
第二个问题是1 6 00，在这种情况下，1 3 3 3 带宽略低，因此带宽比等待时间更重要。
内存时序是不是越低越好 内存性能详情介绍分享
内存的同步越低，它越好？内存性能详细介绍。记忆时间的顺序和内存的频率是我们在比较内存的性能时要注意的问题，但是对于新手来说，我们不知道如何看待它，并且我们知道，内存的同步越小，内存的同步越小，内存同步越小。
内存的同步越小，越好：是的，内存的同步越小，越好。
1 简而言之，内存同步是获取数据所需的时间。
2 我相信每个人都可以理解，花费的时间越多，它就会越快。
3 但是，除了查看日历外，内存的频率还会影响其性能。
4 内存频率越高，内存性能越高。
5 但是，内存频率的增加也会增加内存同步，从而增加阅读时间。
6 我们可以看到两者是对立的，通常，内存的频率对性能有更大的影响。
7 因此，选择记忆棒时，您必须首先比较频率，然后比较以相同频率的内存同步。
购买内存时，许多用户甚至都不看内存同步。
谢谢你的观看。
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