内存是频率高好还是时序低好啊
通常,在组装计算机时,我们仅关注内存品牌,内存容量和内存频率。许多人不知道记忆时间。
实际上,内存时间也是内存的参数之一。
那么,什么是内存时间频率?最好有较高或低的记忆时间?下面,编辑器将为您提供有关内存时间的一些基本知识。
记忆时间通常以四组的形式编写,四组被破折号分隔。
例如:内存名称板上标记的“ 1 6 -1 8 -1 8 -3 8 ”表示内存时间。
当然,某些内存仅标记前三个数字和五个数字中的一些,即命令,通常为2 T或1 T,也写为2 N和1 N。
它反映了内存的不同工作链接的延迟。
值越低意味着性能越好。
延迟时间单元实际上确定了平台作为纳米秒(NS,纳秒)的性能。
计算机的记忆时间高或低吗?内存时间是四个参数,描述了同步的随机访问存储器的性能:地址(CL)的地址,等待时间列的商品地址(TRCD),商品地址之前的时间(TRP)和商品地址的操作持续时间(检查)。
单位是时钟周期。
值越小,越好。
其中,值cl,这意味着时间的第一个数字是确切的周期数。
CL对内存性能的影响是最明显的,因此许多产品将在产品名称上标记CL存储器的值,接下来的三个数字是最小循环数。
内存时间参数会影响随机内存速度的延迟。
较低的数字通常意味着更快的性能。
因此,在同一一代和相同的频率中,内存时间越小,越好。
通常,人们只需要查看内存时间中的第一个数字,即值cl。
数字越小,越好。
如何查看计算机内存的时间,我们可以下载CPU-Z软件以查看CL,TRCD,TRP的四个值,并在“内存”选项卡中查找。
通常,当我们查看内存时间时,我们只需要查看Cl值,这意味着开始时的第一组数字。
收集同一一代和相同频率的数字。
内存时序是不是越低越好详情
1 在稳定性提供的溢价中,记忆时间越低,性能就越好。但是,我们知道许多内存棒现在能够超载,高频和低时间是矛盾的。
通常,当频率增加时,必须牺牲时间。
例如,今年主存储制造商发行的DDD5 内存的时间很低,但频率相对较低。
2 时间对性能的影响仅为4 5 %。
当前,高频内存时间相对较大,因此无需担心太多。
频率选择是必不可少的,但前提是您的CPU可以支持它。
如果CPU无法支持它,则增加频率是没有用的。
3 时间顺序不再重要,性能变化不是很大,主要是频率。
例如,2 4 00MHz,2 1 3 3 MHz和1 6 00MHz。
4 当然,记忆时间越低,越好。
时间序列是指延迟,例如,DDR2 5 3 3 的官方SPD参数为4 4 4 -1 2 ,而DDR2 6 6 7 为5 5 5 -1 5 通常,只能将AMD的主板设置为1 T或2 T,但是在两个通道模式下,最好以2 T设置以避免不稳定。
5 这在很大程度上取决于CPU的张力。
如果CPU被超载,则内存通常会正确降低频率,或在BIOS设置中添加轻微的电压。
但是,并不是真的建议过载。
超负荷您无法播放会造成硬件损坏,但是性能的提高尚不清楚。
6 时间越小,反应时间越早。
但是,这个差距是毫秒毫秒,几乎不值得日常使用。
记忆粒子离开工厂时将测试。
良好的颗粒用于制造铂杆或超载杆,价格比普通杆更昂贵。
如果您不打算超载,这些颗粒在过载条件下工作更稳定。
7 CL4 4 4 1 2 是这样的符号,但通常在8 00MHz频率下,时间通常为5 5 5 1 5 ,而在6 6 7 MHz时可能是4 4 4 1 2 8 从理论上讲,同一世代的内存时间越低,性能越强,并且超载空间越大。
随着内存频率的增加,时间也将在不同程度上增加。
例如,在DDR时代,1 GHz的预定时间通常为3 3 3 -8 ,而DDR4 的最后一次增加到1 6 -1 6 -1 6 -3 5 9 后者是记忆频率和内存时间综合效应的结果。
增加频率和减少的内存时间可以减少内存延迟,而低内存延迟正是游戏所需的。
简而言之,内存的频率越高,时间越好,越越越好,但是拥有两者是不现实的。
1 0时间是内存延迟,越少。
如果您想要高频记忆棒,通常很难按时间,因此高频内存通常更昂贵。
例如,左侧的内存频率很低,但是时间更好,而右侧的频率很高,时间稍差一些。
从总体绩效来看,右侧的表现更强,但如果考虑到价格,左侧的价格更方便。
1 1 TRFC值是第二个较小的参数,指示刷新间隔的周期,单位是周期,值越小,越好。
DDR3 存储器的值通常为9 -0-1 2 0,当它低于8 0时,可能会导致不稳定。
CL(CAS)-TRCD-TRP和轨道首次称为,对粒子性能具有最明显,最明显的影响。
1 2 都很重要。
某些程序对内存延迟非常敏感,例如多媒体编码,图像解释和具有很高物理效果的游戏。
1 3 .内存时间参数通常缩短为2 -2 -2 -6 -1 -1 -T,分别表示CAS-TRP-TRP-TRAS-CMD的值。
TRA和CMD(命令)的两个参数的市场理解有一些变化。
1 4 时间越低,越好,但也应考虑频率。
当内存超载时,必须增加时间。
例如,DDR2 的5 5 5 -1 5 可以超载到8 00MHz,并且预定时间为8 00MHz。
1 5 如果您的计算机和CPU的图形卡不高,则无需购买高频记忆棒。
即使图形和CPU卡最高,购买高频内存只能提高某些帧的性能。
1 6 不,DDR8 00是6 -6 -6 -1 6 您认为它比1 6 00好吗?只能说,以相同的频率,最好的延迟时间更少。
1 7 当然,低时间更好,CL9 绝对比CL1 1 更好。
在这种情况下,频带宽度比延迟更为重要,因为1 3 3 3 MHz频段的宽度略低。
内存时序是不是越低越好 内存性能详情介绍分享
记忆时机越低吗?记忆性能的详细介绍。内存时间顺序和内存频率是比较内存性能时要注意的问题,但是对于初学者来说,他们不知道如何查看它。
另外,我不知道内存正时越小,内存时间越高。
内存正时越低,越好:答案:是的,内存正时越低,越好。
1 简而言之,内存时机是检索数据所需的时间。
2 我认为每个人都可以理解,它所需的时间越长,自然就会越快。
3 但是,除了查看时间安排外,内存频率还会影响性能。
4 您的内存越多,您的内存性能就越好。
5 但是,增加的内存频率也增加了内存正时和读取时间。
6 您可以看到这两个是对立面。
一般而言,记忆频率对性能有重大影响。
7 因此,选择记忆棒时,您必须首先比较频率,然后以相同的频率比较内存正时。
许多用户甚至在购买内存时都不会查看内存的时间。
谢谢你的观看。
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内存条时序有什么影响内存频率和时序哪个重要
在安装时代的背景下,每个人都喜欢安装。选择硬件最重要的是记忆棒。
在此问题中,有很多流行的话语,也就是说,局外人会看到频率和及时的人。
因此,对于许多刚刚学会安装计算机的朋友来说,如何查看记忆棒绝对是一个大问题。
内存选择中还有两个重要的参数。
一个是记忆的频率相同,因此无需说出更多。
频率是通过存储棒数据的参数。
时间只是解释这是一个延迟。
更明确地说,它是记忆棒反应能力的代表,这是传奇延迟的大小。
这个值很容易理解。
时间越小,延迟越小,并且内存速度以相同的频率运行速度越快。
时间通常由四组数字表示,这些数字表示不同的含义:第一个数字值称为简称Cl,代表列访问门中的延迟。
简而言之,当数据传输到内存并开始响应操作时,这是周期的数量:第二个是TRCD值,这只是线路和数据传输列之间的最小循环数。
第三是TRP的值。
用一个词来看,这是预头操作说明和下一行开口之间的最小循环数。
第四个TRA是执行主动说明和教学前指令时最废弃的周期数量。
听起来很困惑。
轻松后,每个人都会了解四个数据代表执行四个常用说明时的第一个周期号。
数字越小,速度运行越快。
如果您想学习区分,则可以通过前两个值识别它。
第一个CL会影响延迟,数量越小,性能越好。
一些朋友还发现,从DDR1 到DDR4 的CL时间越来越大,并且记忆棒的频率增加。
这些值也会影响内存的频率。
TRCD的第二个值对记忆棒的最大频率具有最大的影响,因此可以通过此值来区分超频性能或高频操作。
当然,以上介绍是在相同频率的情况下区分记忆棒。
内存木材的选择是首先看到频率的水平,然后查看时间以区分性能功能和超频记忆棒。
基本上,选择记忆棒时,请基于此选择,这可以帮助每个人选择有用的记忆棒。