内存条时序高好还是低
存储棒是计算机上重要的组件，对于计算机的性能和稳定性很重要。购买存储棒时，不仅要注意容量和频率，而且时间安排也是关键指标。
那么如何选择计时？内存块正时代表以四个数字表示的读取和编写数据的时间顺序。
例如，1 6 -1 9 -1 9 -3 6 意味着时机为1 6 、1 9 、1 9 、3 6 时机直接影响计算机的性能。
低计时意味着阅读和编写数据和更好的性能。
相反，时间越高，性能越好。
选择记忆棒时，您需要考虑很多元素。
首先，建议选择较低的时间来根据个人要求和预算（例如游戏或高性能计算）提高性能。
您可以为办公室或学习目的选择一个成本效益的临时时间。
其次，选择一个众所周知的稳定品牌，例如金斯敦，奇奇和海盗船。
知名品牌的记忆棒在质量方面相对出色，稳定性。
另外，有必要考虑记忆棒和计算机的兼容性。
其他主板和CPU对内存棒有不同的要求，因此您需要选择与计算机兼容的存储棒。
例如，英特尔平台可以选择与X9 9 或Z1 7 0主板兼容的DDR4 存储棒。
最后，记忆棒的容量和频率也会影响性能。
容量越大，频率越高，性能越高。
因此，购买时应全面考虑这些因素。
总而言之，时间水平对计算机性能有一定的影响，但是时间越高，越好。
选择记忆棒时，您需要全面考虑个人需求和预算，同时，专注于选择高质量的品牌以确保与计算机的兼容性。
内存时序对性能的影响大吗？
1 因此，在确保稳定性的假设下，记忆时机越低，越好。但是，我们可以超频许多记忆棒，并知道高频和低时序不一致。
通常，增加频率需要牺牲时机。
如果时间安排足够低，则很难增加频率，例如今年主要存储制造商发布的DDR5 2 时间仅对性能影响4 5 ％。
当前，高频存储器时机相对较高。
不必担心以这种方式选择频率。
国王的前提是CPU可以举起的前提将是没有用的。
3 时机并不重要，性能差异并不显着。
频率为2 4 002 1 3 3 1 6 00。
4 当然，内存正时越低，越好。
时机意味着延迟。
通常，DDR2 5 3 3 的官方SPD参数为4 4 4 1 2 DDR2 6 6 7 那是5 5 5 1 5 通常，您只能将AMD主板设置为1 T或2 T，但是建议以双通道模式将其设置为2 T，以免发生不稳定的因素，以防万一不发生内存。
5 这主要取决于电压。
当CPU超频时，内存通常会略有下降。
如果电压不够，请在BIOS设置中添加一点电压。
这是一个略有向上的01 V试验。
如果您可以稳定，您将成功。
但是我真的不建议超频。
如果您不能玩，您将无法看到性能的任何改进。
您也可以浪费硬件。
有什么伤心？ 6 定时越低，反应时间越快，但此间隙为毫秒。
您在使用时无法感觉到它。
已经测试了制造商装配线的内存颗粒，并用于制造铂或超频条。
价格比普通酒吧贵。
如果不超频，该粒子在过载条件下可以更稳定。
7 CL4 4 4 1 2 ，标准是这样的，但是8 00m的频率通常为5 5 5 1 5 对于6 6 7 m，4 4 4 1 2 Zhiqi DDR2 8 00 CL5 5 5 5 1 5 应该很好。
我正在使用Jinbang Heilongtip DDR2 8 00。
这是8 00m频率计时4 4 4 1 2 记忆之一。
8 从理论上讲，这种现代记忆的时机越低，性能越强，超频空间就越大，记忆频率就越高。
时间安排在不同程度上增加。
在DDR时代，1 G的默认时间通常为3 3 3 8 根据百度百科全书，迄今为止最新的DDR4 时间安排已上升至1 6 1 6 1 6 3 5 9 后者是内存频率和内存正时的综合效果的结果。
增加频率和减少的内存时间可以减少内存延迟。
低内存延迟是游戏仅需要的东西。
内存频率越高，时间越低，就越好。
但是，两者都不现实。
因为你可以看到。
1 0时机是内存延迟。
越低越好。
当需要高频记忆棒时，通常很难抑制正时。
因此，高时光的内存通常比图的左侧要贵，但是时间安排更好，在右侧更频繁，时间稍差。
根据整体性能，右侧的性能更强，并且要考虑价格。
1 1 TRFC值属于第二个小参数，并指示更新间隔的持续时间。
单位是周期，值较低。
DDR3 存储器通常低于9 01 2 0和8 0，这可能导致不稳定的Cltrcdtrp，而TRA称为第一个时机，对粒子性能的影响最为明显，最重要的是，内存的时机英语内存。
1 2 .一切都很重要。
一些程序对内存延迟非常敏感，包括多媒体编码和解码，图像渲染以及具有高物理效果的游戏。
1 3 .内存定时参数通常缩写为2 2 2 6 1 1 1 T。
该形式代表了Castrcdtrptrascmd 2 2 2 6 1 1 1 T值的最后两个定时参数，这是TRA和CMDCommand的缩写。
这些是更复杂的定时参数。
目前，市场了解这两个参数。
1 4 时间越低，越好。
但是，根据频率，您需要增加内存超频时机。
DDR2 上的5 5 5 1 5 可以超频至8 00MHz。
默认的8 00MHz也是默认的DDR默认计时3 3 3 9 2 T4 00MHZDDR2 默认时间5 5 5 5 1 5 2 T8 00MHZDDR3 默认值。
1 5 如果您的计算机具有非顶端图形卡CPU，则无需购买特别高频记忆棒。
即使您的图形卡CPU位于顶端，购买高频存储棒也只会增加1 0帧。
1 6 不，DDR8 00为6 _6 _6 1 6 您认为它比1 6 00更好吗？您能说相同频率的延迟时机减少吗？ 1 7 当然，较低的时机更好。
CL9 绝对比CL1 1 更好。
第二个问题是1 6 00。
在这种情况下，1 3 3 3 带宽略低一些，因此带宽比延迟更为重要。
内存时序高好还是低好？
内存定量或击时间是四个参数，描述了时钟周期中同步动态随机访问存储器（SDRAM）的能力：CL，TRCD，TRP和TRAS。那么拥有高或低的记忆时间会更好吗？内存时间1 对于相同频率的内存，时间越低，则越好。
2 在1 6 00 MHz的内存中预定义的时机为1 1 -1 1 -1 1 ，预定义的时间为1 3 3 3 MHz为9 -9 -9 3
内存时序是不是越低越好 内存性能详情介绍分享
内存的同步越低，它越好？内存性能详细介绍。记忆时间的顺序和内存的频率是我们在比较内存的性能时要注意的问题，但是对于新手来说，我们不知道如何看待它，并且我们知道，内存的同步越小，内存的同步越小，内存同步越小。
内存的同步越小，越好：是的，内存的同步越小，越好。
1 简而言之，内存同步是获取数据所需的时间。
2 我相信每个人都可以理解，花费的时间越多，它就会越快。
3 但是，除了查看日历外，内存的频率还会影响其性能。
4 内存频率越高，内存性能越高。
5 但是，内存频率的增加也会增加内存同步，从而增加阅读时间。
6 我们可以看到两者是对立的，通常，内存的频率对性能有更大的影响。
7 因此，选择记忆棒时，您必须首先比较频率，然后比较以相同频率的内存同步。
购买内存时，许多用户甚至都不看内存同步。
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内存时序高好还是低好？
在记忆生产率方面，通常认为频率越高，时间越低，性能就越好。例如，以1 6 00 MHz的速度记忆，该版本的时间比1 1 -1 1 -1 1 的版本快9 -9 -9 纪念时间主要包括代表CAS延迟的CL-TRCD-TRP-TRA参数，该行的地址延迟了列的地址，分别分别延迟了行地址的初步时间的时间并延迟了行地址。
在加速优化时，专家将同时调整对更高生产率的渴望的频率和时间。
例如，与“ 3 -4 -4 -8 ”相比，某些低延迟内存模块（例如2 -2 -2 -5 序列）可能会导致性能提高的3 -5 ％。
在访问过程中，TCA提出了解决该列所需的时钟周期，TRCD是时钟周期的线路和地址周期之间的差异，TRP是对下一个访问的初步费用所需的时间，而TRA是从操作开始到寻址末端的总时间。
理想的时间设置应提供平滑的数据传输，通常比TRCD加上TCA，以及两个时钟周期，以确保数据传输的完整性和效率。
通常，为了记忆生产率，频率和优化时间相互补充，在较低的时间内，这意味着更快的数据传输，但是还应考虑其他因素（例如稳定性）来找到最佳的性能平衡。
