内存上的编码怎么看
现代记忆号详细说明现代记忆粒子编号现代记忆粒子由四个字符或数字组成。A部分表示生产Pastilles -Hynix的公司的名称。
B部分表示记忆模块的生产日期，该日期以三个阿拉伯图形的形式表示。
第一个阿拉伯人的数字表示生产年份，最后两个数字表明它是在一年中XX周生产的。
如上图所示，该模块是在2 005 年第1 7 周产生的。
C部分表示内存粒子的频率和延迟参数。
它由1 到3 个字母和数字组成。
根据频率和延迟参数，可以用“ D5 ，d5 ，d4 3 ，d4 ，j，m，k，k，h，l”的八个字母组合来表示。
含义为D5 代表DDR5 00（2 5 0 MHz），延迟3 -4 -4 ； D4 3 代表DDR4 3 3 （2 1 6 MHz），延迟3 -3 -3 ； D4 代表DDR4 00（2 00MHz），延迟3 -4 -4 ； J表示DDR3 3 3 （1 6 6 MHz），延迟2 .5 -3 -3 ； M表示DDR2 6 6 （1 3 3 MHz），延迟2 -2 -2 ； k代表DDR2 6 6 A（1 3 3 MHz），延迟2 -3 -3 ； H表示DDR2 6 6 B（1 3 3 MHz），延迟为2 .5 -3 -3 ； L代表DDR2 00（1 00 MHz），延迟2 -2 -2 数字D号实际上由1 2 个小部分组成，分别代表了内存模块的容量，粒子位的宽度，工作时间和其他信息。
特定细节如图2 所示。
小部分的数字1 2 部分示意分解采用了现代粒子的内存粒子的近距离。
第1 部分代表粒子制造商。
“ hy”是hynix的缩写，这意味着粒子是在现代制成的。
第2 部分代表由两个数字或字母组成的产品家族，“ 5 D”被指定为DDR存储器，“ 5 7 ”被指定为SDRAM内存。
第3 部分代表操作电压，由字母组成。
意思是V表示VDD = 3 .3 V＆VDDQ = 2 .5 V; U代表VDD = 2 .5 V＆VDDQ = 2 .5 V; W表示VDD = 2 .5 V＆VDDQ = 1 .8 V; s表示VDD = 1 .8 V＆VDDQ = 1 .8 V分别表示不同的工作电压。
第4 部分表示由两个图或字母组成的内存模块的容量和刷新参数。
对于DDR存储器，“ 6 4 、6 6 、2 8 、5 6 、5 7 、1 2 、1 G”分别代表不同的容量和刷新参数。
含义为：6 4 代表6 4 MB的容量，4 K茶点； 6 6 代表6 4 MB，2 K茶点的容量； 2 8 代表1 2 8 MB的容量，4 K茶点； 5 6 代表2 5 6 MB的容量，茶点为8 K； 5 7 代表2 5 6 MB，4 K茶点的容量； 1 2 代表5 1 2 MB的能力，茶点为8 K； 1 G代表1 GB的容量，茶点为8 K。
第5 部分表示由1 或2 个数字组成的记忆粒子位的宽度。
它分为4 种情况，“ 4 、8 、1 6 、3 2 ”分别代表4 位，8 位，1 6 位和3 2 位。
第6 部分代表由1 个数字组成的银行编号。
有三种情况，即“ 1 ”代表2 bank，“ 2 ”代表4 Bank，而“ 4 ”代表8 Bank。
第7 部分代表接口的类型，由数字组成。
在三种情况下，“ 1 ”代表sstl_3 ，“ 2 ”代表sstl_2 ;和“ 3 ”代表SSTL_1 8 第8 部分代表由字母组成的粒子的版本。
这部分的字母越多2 6 字母，记忆粒子的最新版本是。
到目前为止，有5 个版本的HY内存，以该数字表示。
空白代表第一个版本“ A”代表第二版，等等。
在第五版中，“ D”代表它。
购买内存时的版本越多，新设备性能就越好。
第9 部分代表能耗。
如果零件为空，则意味着粒子的能量消耗是正常的。
如果字母“ L”出现在此部分中，则意味着记忆粒子是低能消耗。
第1 0部分表示由一个或两个字母组成的封装存储器的类型。
“ t”表示TOSP软件包，“ Q”代表LOFP软件包，“ F”代表FBGA软件包，“ FC”代表FBGA软件包（UTC：8 x1 3 mm）。
第1 1 部分表示由一两个字母组成的堆叠包。
白色代表普通； s代表hynix; K代表M＆T;我代表其他人； M表示MCP（Hynix）； MU代表MCP（UTC）。
第1 2 部分表示由字母组成的封装设备。
白色表示普通，“ p”表示铅，“ h”表示卤素和“ R”是指铅和卤素。
通常，通过记住第2 、3 、6 和C部分中数字的真实含义，您可以使用现代DDRSDRAM内存轻松识别产品。
特别是数字C号，它将清楚地表明消费者该内存的最大实际工作状态是什么。
因此，即使它在内部，它也会导入存款单上的标签或包装框如何爆炸，您总是可以知道此内存的实际性能。
内存条上有个M标志是什么牌子？
Micro是世界领先的内存颗粒制造公司之一，也是全球记忆中第二大门户资源。在当地市场，镁产品并不常见，这主要是由于公司倾向于为其高质量的OEM市场提供高质量的分子。
镁记忆分子被广泛用于各种国际流行的品牌，例如m.compaq，hp，dell等，这些品牌反映了它们在稳定性和操作频率的性能方面的出色表现。
此外，镁还参与了硬盘驱动器之类的田地。
1 . Methin Technology Co.，Ltd.它是世界半导体解决方案中的开创性供应商之一，因为它提供了DRAM，NAND闪存和CMOS Image Mimage Sensors等产品，计算服务，消费产品，网络，网络和便携式移动设备。
该公司在纽约证券交易所上市。
Micron Technology成立于1 9 8 1 年，并参加了其创始的Ward Parkinson，Jo Parkinson，Denis Wilson和Dog Betman，并拥有他的Wifs Manufacturing Factory。
3 . Methin Technology Co.，Ltd.它是世界上的全球制造商，用于半导体存储和摄影产品，其生产线涵盖了DRAM，NAND闪存和CMOS。
这些高级产品广泛用于多个领域，并为不同行业提供专业解决方案。
4 在1 9 9 0年代初期，Micron Technology建立了一台微米计算机来生产个人计算机，并在后来重命名Micron Electronics。
1 9 9 8 年，Micron获得了交货，并开始生产三张二维纸。
2 002 年，镁参与了关于记忆价格的争议。
2 007 年3 月2 1 日，镁在中国西汉创建了第一家工厂，重点是DRAM和NAND的生产。
海力士a代和m代区别
hynix和漫画之间存在以下差异。1 技术细节：Hynix M生成符合技术细节。
与Hynix及其能耗相比，其性能较低。
2 这是个好主意。
性能：Hynix一代主要支持小型存储产品。
通常，Hynix A和MGESE有自己的症状。
您可以根据需要选择正确的产品。
内存条颗粒哪个好
当前，更好的记忆颗粒是众所周知的三星，羟基和镁颗粒。记忆棒的性能对颗粒有重大影响。
高质量的颗粒可以改善记忆棒。
三星颗粒以其稳定性和性能而闻名。
例如，三星B-DIE颗粒主要用于高级记忆棒。
hynix颗粒具有出色的性能，并广泛用于不同品牌，粒子模型的粒子模型直到死亡。
其中，CJR通常用于DDR4 内存中，并且具有很多高功率。
大多数M-DIS和B-DI通常用于DDR5 内存。
可以通过出色的数学和稳定性来信任镁颗粒的质量，并适应不同的主板和系统。
中国樟脑颗粒正在上升，其性能不断增长。
他们可以满足日常使用和一般游戏要求，并且成本更低。
