到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序
购买计算机的内存时，大多数人都会注意内存能力和频率参数。通常，容量越高，频率越高。
当然，这两个参数非常重要，但是每个人都经常忽略了另一个重要的参数。
这是一个记忆时机。
内存时机是什么，它将如何影响内存性能？在这个流行的科学问题中，Shaandejun将使此内存参数理解。
定时顺序会影响内存芯片的各种常见任务之间的延迟。
如果延迟超过某些限制，则会影响内存的性能。
总而言之，在一句话中，内存时间是对执行各种任务时可以体验到的独特延迟的描述。
记忆时机是通过时钟周期衡量的。
记忆棒的产品页面（例如1 6 -1 8 -1 8 -3 8 ）称为内存正时，可以显示在虚假的数字字符串上。
从本质上讲，时间越低，越好。
这四个数字代表了所谓的“主要时间”，并且对延迟的影响最大。
对应于内存正时四个数字的参数是CL，TRCD，TRP和TRA，并且单元均为所有周期。
Cl（Caslatency）表示“列的延迟时间地址访问的延迟时间，这是时机中最重要的参数。
” Rastocasdelay（TRCD）表示“转移到内存行地址的延迟时间地址”。
RasPrechargetime（TRP）表示“存储行的预充电时间地址地址稻草脉冲”。
TRA（rasactivEtime）表示“行地址激活时间”。
阅读上述后，您是否更加困惑？不用担心。
让我们以一个简单的例子。
您可以想象一个将数据存储在内存中的地方，并且每个网格存储不同的数据。
CPU与许多数据一样，发布记忆指南。
例如，CPU希望来自C3 位置的数据。
从CPU接收命令后，您必须首先确定数据打开的行。
定时的第二个参数TRCD代表这次。
换句话说，这意味着从行接收命令并访问内存控制器需要多长时间。
内存确定数据的行后，仍然有必要确定列以查找数据。
第一个计时是Cl。
换句话说，在访问某个列之前，要等待内存决定行数需要多长时间。
由于在确定列数之后可以精确地找到行和列的数量，因此Cl是一个确切的值，因此所有变化都会影响目标数据的位置。
因此，它是定时中最重要的参数，并且在内存性能中起重要作用。
内存正时TRP的第三个参数是确定您需要等待另一行的时间。
第四参数TRA可以很容易地理解为在内存中写或读取的时间，这通常接近前三个参数的总和。
因此，确保稳定性的同时记忆时机越低，则越好。
但是我们知道，现在许多记忆棒可以被超频，高频和低时机是矛盾的。
通常，当频率上升时，必须牺牲时机。
如果时机足够低，则很难增加频率。
例如，今年主要存储制造商发布的DDR5 内存的频率实际上增加了，但时间安排比DDR4 内存的时机高得多。
