A板设置XMP内存
1 在已经上电的计算机上，单击菜单，如下图所示。2 单击菜单中的关闭，如下图所示。
3 按[删除]和4 ，如下图所示。
下图：7 接下来，在右侧选择XMP，如下图所示。
按F1 0保存如下图所示。
此时，[XMP]开放。
amd时序标准怎么设置
在BIOS中开放手动设置。在BIOS设置中查找“鼓正时选择”。
BIOS设置中可能出现的其他描述包括自动配置，自动配置，定时选择，SPD时正式配置等。
将价值设置为“ Menual”（可接受的选项是开/关或根据BIOS启用/禁用）。
内存是根据行和列解决的。
当触发请求时，它最初是一个tra。
预充电后，内存将开始初始化RAS。
激活TRA时，RAS（线路地址门控）开始解决所需的数据。
行地址首先初始化TRCD，然后终止循环，然后通过CAS访问所需数据的确切六边形地址。
从CAS开始到CAS结束的时期是CAS的延迟。
因此，CAS是找到您的数据和最重要的存储参数的最后一步。
内存时间是一个通常存储在内存模块的SPD中的参数。
这四个数字2 -2 -2 -8 具有以下含义：CAS-LATENCY（CL值短）内存滞后延迟是内存的重要参数之一。
内存模块标签上找到的一些内存打印CL值。
Ras-to-Cas-delay（TRCD），将内存行地址转换为列地址的延迟时间。
AMD图形卡修改视频记忆时定时方向盘缺勤调整方法1 05 速度调整教程。
AMD RX480系列显卡挖矿修改BIOS教程
为了减少本文的电力咨询，将详细介绍如何修改BIOS的BIOS系列。将使用以下工具：atiflash2 7 4 ，polarrisbiesbiessednoritor-主和atikmdag -patcher。
步骤1 ：获取图形卡BIOS。
打开Atiflash并选择您的图形卡，然后将提取的BIOS文件保存到Atiflash2 7 4 文件夹中。
步骤2 ：使用Polarisberm EL修复BIOS。
打开提取的BIOS文件，并专注于编辑GPU，内存和时机值。
GPU-限制1 1 5 0个频率的速率，并限制了1 000mV左右的电压。
内存：如果您的视频内存频率为1 7 5 0，建议将三星视频记忆设置为2 000年至2 02 5 年或2 05 0年。
及时下载：复制第1 6 2 5 个频率时间。
删除1 7 5 0和2 000设置。
如果需要计算机，则可以下载每个频率时间的1 5 00次，但可能是稳定的。
翻新后，修改后的BIOS文件将保存为XIN.BIO，并将其保存在Atiflash2 7 4 文件夹中。
执行以下命令以冲洗修改的BIOS文件。
更改CMD上的Atiflash2 7 4 文件夹。
添加命令atiflash-p-f0xin.rom。
这是图形卡位置，并调整图形卡的数量。
如果BIOS意外闪闪发光，请。
关闭后，请关闭BIOS卡的其他BIOS卡。
重新启动并重新启动。
向原始的BIOS滑动以解决它。
监视图形卡没有双dio obs连接到合并的图形卡可用于使用BIOS修改。
将视频记忆与视频内存连接起来，以避免损坏损坏。
不。
内存时序问题``高手进~！
不研究正时电路的读者应首先解释读者的内存时间限制。在时间表完成时间表的指导下，每个步骤之间的时间延迟之间的延迟很少。
这些延迟在内存工作字段中称为内存时间参数（或延迟）。
作者将在习俗中解释这些参数，因为大多数人可能会觉得大多数人无法理解它们。
让我们从工作场所开始。
它比上述要点还多。
一般而言，这很复杂，我们可能会认为内存是由表（在下图中）和列中设置的图表组成的。
每个表是B1 在下图中代表B1 的逻辑块。
我们看到内存单元格（图片中的红色块）。
它的块地址（1 ），重新安置地址（2 ）和所需的列地址。
那么，现在的内存是什么时候读取此时此块的时间？ 1 同时发送块地址和类地址（如下图所示，请同时发送签名。
通过这两个步骤，我们仅选择内存单元并阅读此操作。
以下周期之间的周期称为trcd（rasdocasdelay）的周期之间的周期之间的周期1 至2 之间的周期之间。
上图是trcd = 3 小时循环的一个示例。
3 你是个好主意。
在内存中，数据在数据的数据（以下数据输出）中找到。
第2 级和3 级之间的周期应具有时间延迟的时间延迟时间来编写最重要的时间表。
上图是CL = 2 小时周期实例。
4 准备第二次阅读另一个单元。
如果此单元在上一个类别中的类别中，请支付班级地址。
此预付费准备过程称为TRP（称为Rowprochecifgeiod的有效周期，预付费）。
是的，如果后一个单元和上一个单元在同一类中，则无需付款。
上图是Trop = 2 小时周期的实例。
上方上方的1 -4 上方的标记是完整的内存。
今天，我找到了三个最重要的内存时间参数。
从解释来看，这些参数较小，因为每个人都知道每个人都很小。
此外，DDR现在是训练有素的时间参数：trares（主要是ActRoochePhangeYyy线）。
这是一个相对特殊的参数，称为相对显着的垃圾。
它表示旧线打开后打开新线路的旧线的最低限度。
这不是一个更好的参数。
与内存存储器中的页数相关。
两者之间的准确关系并不容易解释。
该参数有许多文章需要讨论。
我认为作者认为确定它是一个更好的测试。
但是，总的来说，通常说话比页面要好于页面。
好的，我简要解释了内存的参数。
我们会发现，在购买内存或评论时，总是列出这四个小时。
作者将总结这四个盒子的重要性。
前三个参数较小，具有绝对参数。
重要性是在TRCD→TRP的程序中安排的。
最后一个参数并不小。
除这四个要求外，您还将看到一个障碍参数，CMD（命令）。
我们的理解通常转化为命令的第一个命令。
此参数的含义是关键字激活命令，单元是时钟周期。
选择电影是指物理银行的选择。
如果如果系统是指使用相同的智能，则没有物理选项问题，因为目前只有一个物理库。
在正常意义上，CMDRARE是一个延迟的芯片组延迟。
它根本无法通过内存确定。
这是一个破坏虚拟地址的芯片组芯片组。
估计高密度和大容量系统内存的物理地址范围比双重记忆的物理地址更大，并且单侧单侧单侧的边侧侧面侧面侧面侧面的后侧侧面的后方后单侧侧面的后侧侧面后侧的后侧侧面后侧的后侧侧面后侧的侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧侧侧面侧侧侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧侧侧面侧面侧面侧面侧面侧面侧侧侧侧。
英特尔仅限于Cmdrares中的Cmdrares，因为它对CMD问题非常敏感。
实际上，我没有谈论此参数的详细信息，因为我不足以在主板BIOS中看到此参数。
但是，最新的Socket9 3 9 主板将在BIOS中找到此参数，称为1 T和2 T计时。
Socket9 3 9 主板支持双通道DDR，该双通道DDR包括A6 4 处理器中的内存控制器，因为内存控制器已添加到A6 4 处理器中。
当打开双chann通道时，建议在2 T时间表中指定CMD。
如果您想问自己对CMD性能有多大影响，作者可以说它和CL一样大。
如果您看到了套接字9 3 9 套接字9 3 9 套接字9 3 9 的套接字9 3 9 的套接字9 3 9 检查的比较，我们将理解。
因此，选择新的Socket9 3 9 平台时，我们必须选择内存。
如果是2 t如果只有工作只能是绩效的巨大损失。
在本节的结论中 - 时间表会影响内存的性能。
小内存的前三个参数对提高性能更有帮助。
如果可以调整CMD参数，则应追逐1 T。
