x99主板用d3还是d4好
P>选择主板X9 9 时，内存类型的选择是关键因素。特别是选择DDR3 还是DDR4 取决于您的需求和预算。
下面我们将从几个方面详细分析此问题。
首先，从性能的角度来看，DDR3 和DDR4 内存具有其自身的优势。
尽管DDR3 内存较慢，但其延迟较低，这使其适用于需要快速阅读和录制的方案。
DDR4 内存具有更高的带宽，特别适合需要大型内存能力的任务，例如启动大型软件和游戏。
其次，有必要考虑兼容性问题。
如果您的计算机当前使用DDR3 内存，则DDR4 的更新可能需要更改处理器和主板。
相反，如果您的计算机当前使用DDR4 内存，则更新为DDR3 还需要更改处理器和主板。
因此，选择一种内存类型时，有必要考虑设备的一般配置是否兼容的问题。
此外，价格也是一个重要因素。
一般而言，DDR3 内存的成本较低。
如果您想在短期内以较低的成本获得更大的记忆，那么DDR3 可能是一个更经济的选择。
但是，如果您努力争取更高的带宽和处理能力，那么DDR4 将是最佳选择。
通常，选择用于使用DDR3 或DDR4 内存的X9 9 主板需要全面考虑性能，设备兼容和预算系数的要求。
如果您需要更高的性能和吞吐量，DDR4 将是最佳选择。
但是，如果您需要更快的内存速度并且预算有限，DDR3 可能对您来说更好。
无论您选择的内存类型如何，确保它与处理器和主板兼容非常重要。
电脑三代内存跟四代内存哪个好三代内存条与四代内存条究竟有何区别
①S是第三代存储棒和第四代内存之间的区别。DDR4 和GDR3 之间的最大区别是：1 ）处理器：每次更新内存时，都必须支持处理器。
Haswell E平台的记忆是在IVB-E/SNB-E等方形设计中设计的。
GDR4 存储频率支持NATIV 2 1 3 3 MHz，与IVB-E的GDR3 天然1 8 6 6 MHz相比，起始频率的显着增加。
作为一个新的旗舰产品，哈斯韦尔 - 有两个最大的进步：一个是将6 个内核改进8 个内核，另一个是GDR4 的支持。
列表初期的总成本很高，它将不支持DDR3 和DDR4 内存，因此增加了GDR4 的阈值。
2 ）关于频率，GDR3 存储器的起始频率为8 00，最高频率达到2 1 3 3 DDR4 的内存开始频率达到2 1 3 3 ，最大质量频率达到3 000。
从内存频率的角度来看，与GDR3 相比，DDR4 的角度显着提高。
3 ）当然，DDR4 最重要的任务是增加频率和带宽。
GDR4 存储器的每支笔可以提供2 GBIT/S（2 5 6 MB/S）带宽，DDR4 -3 2 00为5 1 .2 GB/S，比DDR3 -1 8 6 6 高7 0％以上。
4 ）GDR4 的存储容量已得到显着改善并达到1 2 8 GB：上一代GDR3 内存的最大一次性能力为6 4 GB，您可以购买的实际含量为1 6 GB/3 2 GB，而新一代的DDR4 存储器的最大容量为每件1 2 8 GB，与SSD相当。
5 ）使用3 DS堆叠包装技术后，单个内存的容量最多可以达到当前产品的8 倍。
例如，具有较大容量的一般内存的一个容量为8 GB，而DDR4 可以达到6 4 GB甚至1 2 8 GB。
关于电压，DDR4 是使用低于2 0 nm的过程产生的，并且电压从1 .5 V DDR3 降低到1 .2 V DDR4 ，并且移动版本的SO-DIMMDDR4 的电压降低了。
②第四代存储棒和第三代内存之间的性能有什么区别？ 1 不同的接口2 不同的频率。
D4 在速度方面更快。
但是，如果比较D3 的D3 和2 4 00频率的2 4 00频率，则没有差异。
第三和第四代记忆棒的性能体验有多大差异。
性能体验的差异并不太大。
使用相同的图形卡和同一CPU时，用户体验不是很大。
差异只能通过专业软件来衡量。
这也取决于存储棒的模型。
它不一定比第三代更好。
第四代记忆和第三代内存主要不同于工作电压和笔。
总而言之，处理有差异。
性能取决于特定模型。
这并不意味着第四代绝对比第三代更好。
今天的主板支持DDR4 或DDR3 两者都不能同时使用。
一些主板同时配备了两个插槽DDR4 和DDR3 ，但只能使用。
（3 ）更好的是，第三代或第四代记忆的记忆一代：与DDR2 相比，在GDR3 -AERA中，DDR3 具有较低的操作电压和更好的性能和更多的性能节省。
DDR2 的4 位读数已在8 位阅读中更新。
DDR3 目前可以达到2 000 MHz的最大速度。
尽管最快的DDR2 内存速度提高到8 00 MHz/1 06 6 MHz，但DDR3 存储器模块仍然从1 06 6 MHz跳下。
GDR3 在GDR2 上采用的新设计为：1 .8 位预设计设计，而DDR2 4 位初步和DRAM核心仅是接口频率的1 /8 ，而DDR3 -8 00的核心工作频率仅为1 00 MHz。
2 接管点对点拓扑，以减轻地址/命令和控制总线的压力。
3 在生产过程以下低于1 00 nm的过程中，工作电压从1 .8 V降低到1 .5 V，并增加异步重置和ZQ校准函数。
一些制造商已经推出了GDR3 内存的1 .3 5 V浪费版。
DDR4 ERA在2 01 2 年，将启动GDR4 -AERA，起始频率下降至1 .2 V，频率增加到2 1 3 3 MHz，并且第二年的电压进一步降至1 .0 V，频率为2 6 6 7 MHz。
GDR4 存储的新一代将具有两个规格。
在半导体行业引入了许多相关员工之后，GDR4 内存将与单端信号方法（传统SE信号）共存。
其中，来自AMD的Philhester先生也证实了这一点。
预计这两个标准将各种芯片产品推向市场。
在DDR4 -商店 - 时代，我们将看到两个不兼容的内存产品。
④第三代和第四代计算机记忆蝙蝠之间是否有很大的区别？第二代接口和第三代内存生成变化，因此计算机不能同时连接到第二代和第三代存储。
第二代内存和第三代存储内存的调用模式也不同。
GDR2 是4 位进步，而DDR3 是8 位进料。
两者的电压要求也不同。
GDR2 为1 .8 V，而GDR3 为1 .5 V.⑤第三代和第四代记忆棒之间的差异。
在GDR2 时代，有2 GB的单个内存和4 GB的双重内存。
对于按顺序排列的GDR3 机器，单个8 /1 6 -GB -DDR3 机器的寿命与DDR4 相同。
只有在平台使用此内存时，完全消除了它才能移动。
因此，替换主要是由于记忆频率的增加，速度的增加大大远大于体积带来的经验。
但是，GDR4 是GDR系列中最大的变化，因为它是从SDRAM出生的。
如果DRAM核心频率不变，则通过增加预装位数来提高传输速度。
例如，使用相同的1 00 MHz的核心频率，并且在周期中记录一次SDRAM的速度，并且存储器控制器的速度为1 00 mt/s（在此，t表示传输）。
GDR倾斜度的降落边缘和案例被采用一次，这对应于2 个初步后代，并且公交速度变为2 00。
GDR2 变为4 NPrefetch，公交速度变为4 00；根据这些信息，GDR3 在第8 00/S4 生产之前将存储棒8 N带来，因此低频率率会降低功耗，并且可以大规模堆叠简单的过程变得。
GDR外部巴士的带宽可以稳步增加，但成本并没有增加，这是两全其美的。
但是，当涉及DDR4 时，此组不起作用。
因为8 n预取达到了性能瓶颈。
我们必须假设核心频率不是1 00-2 6 6 MHMZ，而必须直接从2 00至4 00 MHz。
因此，核心频率可以提高，并提高了总线速度。
因此，问题是何时在商店中可用DDR5
