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揭秘三星内存真假:DDR5时代识别指南

如何区分三星内存真假?

欢迎来到记忆世界。
我是您的专业歧视者。
让我们一起发现三星记忆的真实性的秘密。
经过几个月的观察,我终于提出了期待已久的教程,以识别DDR5 记忆的真实性。
在今年的上半年,我与B站,Byte系列和Kuaishou Group合作,帮助超过成千上万的用户识别他们的眼睛并避免伪造产品的陷阱。
但是,令人失望的是,尽管DDR5 时代到来,但假冒技术似乎并没有取得太大的突破,这无疑是令人振奋的模仿制造商的讽刺。
首先,让我们回顾DDR4 期间的成功经历。
我已经帮助成千上万的人确定了难以通过海鲜市场和在线平台区分真实和虚假的记忆。
在此期间,三星,Hynix和Inruida镁被认为是主要的原始制造商,其正宗产品具有显着差异。
三星内存清除三星徽标,指示DDR5 SODIMM规范。
每个内存的SN码和生产周期信息,例如2 2 4 1 ,代表2 2 年零4 1 周内的生产,QR码进行扫描和验证。
对于容量,频率和模型信息,请注意标签和实际内存信息是否一致。
例如,BBO代表B-DIE,QR码确保每个粒子的独特性。
精致的做工是真实性的标志。
hynix内存简单易懂,具有原始规格和频率清晰可见。
PN代码和SN代码的生产周期可能会有所不同,但最终部分基于粒子QR码。
通过A-DIE或M-DIE粒子识别来判断,字体识别也是经验的一部分。
Micron Yingruida尽管在早期有黑色PCB警告,但DDR5 时代的黑色是最初的特征。
标签信息易于检查,但是1 6 G粒子信息受到限制,可以在官方网站上检查并确认3 2 G。
不同的QR码是判断真实性的关键,而出色的工艺是真实性的保证。
摘要点:标签QR码和序列号信息的一致性是关键。
粒子类型和标签信息对应于B-DIE和BB0,A-DIE和AGB。
生产周期差异可能很大,但仅参考。
粒子QR码的独特性需要字体识别的经验。
真正产品的精美工艺是假冒产品之间的明显差异。
尽管有认可技巧,但要保持警惕,因为模仿版本将继续升级。
接下来,我将展示六年调查的结果,以揭示那些不可预测的伪造记忆,以帮助您在购买时变得更聪明。
请继续关注,让我们共同揭露记忆市场的真实面貌并保护消费者权利。

海力士三星闪存颗粒怎么看容量

如何查看闪光灯 - 玛玛特hynix三星的能力? hynix,三星DDR4 粒子代码总共有1 4 位。
前4 位主要是固定的,我们不看它,让我们看一下最后1 0位-AG8 NMJRVKC(5 -1 4 )。
条例5 、6 和7 代表粒子容量的参数,其中Ag8 是粒子1 6 GBX8

三星820C怎么看颗粒

为了在序列号8 2 0c结束后进行判断,此内存8 位宽度,hynix粒子,原始芯片和第三个版本可以是。
如果您想了解特定的粒子模型,则可以使用台风软件(Thaiphon燃烧器)进行检查。
打开软件后,单击SMBUS在SMBUS上的EEPROM读取ROM以显示它。
当然,软件检测仅作为参考。
此外,您还可以直接参考存储粒子表面上的激光注入代码以确定,但是某些批次可以是次要的或用原始参数覆盖的。

怎样辨别三星内存和海力士内存条?

通过裂缝的记忆棒,销钉的外观。
如果您适合运行计算机检查,也可以使用该程序来区分它。
1 通过DDR1 (第一代),一级,9 2 个侧面,销钉,1 8 4 电压,电压2 .5 伏,内存颗粒的频率:2 6 6 、3 3 3 、4 00DDDR2 (第二代)(第二代)的频率,一个二级,一个销钉1 2 0,面部为2 4 0个销钉,2 4 0销,电压1 .8 伏特,平方内存。
一代),没有单个方形工作规格,1 2 0个侧面,双面销钉,双面销,电压1 .5 伏,粒子频率:1 06 6 ,1 3 3 3 ,1 8 00Ddr4 用于存储器。
三星样品属于UDIMM的类型,容量为2 GB,仅1 .2 伏操作电压和2 1 3 3 MB的频率,并且具有新圆的结构,它可以达到3 2 00 MHz。
相反,DDR3 内存是唯一的1 6 00MHz,并且工作电压通常为1 .5 伏,节能版本也包含1 .3 5 伏。
仅使用此功能,DDR4 存储器最多可提供4 0%的能量。
2 通过操作计算机之间的差异,在计算机上下载Master Lu。
安装完成后,打开主LU,寻找设备的检测并打开设备的检测。
您可以看到设备信息,主板,存储棒和处理器。
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