内存条的时序是什么？
发现内存粘性时间的奥秘：计算机硬件世界的频率和速度背后的数字游戏，内存栏的性能不仅取决于频率，而且还取决于时间参数，这也非常重要，但是对于许多用户来说，它可能不是这样，著名的。频率和时间，就像内存的两个机翼一样，并确定数据传输的速度和有效性。
频率（例如运动员的速度频率）决定了内存的处理速度。
如果您只想选择和购买它，则可以这样理解：时间，例如隐藏的密码集，包括3 至5 个数字，通常由4 个数字表示，每个数字，每个数字代表潜伏期，但不是时间，而是在时钟周期中。
例如，对于DDR3 3 000的内存，时钟周期为0.6 6 6 ns，而DDR3 2 6 6 6 的内存为0.7 5 NS，这意味着延迟越小，内存响应速度越快。
接下来，请深入分析这个神秘的数字字符串：列的延迟（cas）（cas）（摘要CL）：内存控制器的焦点到列地址，代表了手表周期，从发送地址读取地址的事实内存控制器和内存之间同步基准的第一位。
RowAccessrobe（RAS）Tocolunnnaccesstrobe（CAS）延迟时间（TRCD）：货物和列地址之间的延迟，确保打开新行和访问列的最短时间记录为TRCD Plus Cl。
RasPrechargedElaytime（TRP）：货物前的时间，从发行Precharge命令到下一个开口，读取与未经TRP Plus TRCD和TRCD和CL激活的商品相关的数据。
ROWACTIVAYTIME（TRAS）：激活时间（如果被忽略）通常等于TRCD Plus Cl。
这是刷新内部商品，与TRCD重叠的过程。
commandrate：尽管不流行，但在某些情况下，这是将第一个命令发送到内存的延迟，通常简化。
每个时间参数的准确优化是为了确保数据传输的平稳性和一致性。
对这些数字的更深刻的理解与对内存性能的钥匙的控制相同，使您的计算机运行更顺畅，更顺畅。
内存的频率和时序有什么关系？
对于具有相同频率的内存，时间越低，越好。在此期间，CL-TRCD-TRP（1 1 -1 1 -1 1 ）显示了1 1 个时钟。
是1 6 00 MHz。
对于整体超频，除了更改等于1 3 3 3 至1 6 00 MHz的频率外，专家还将改变时间。
参数的基本解释对应于公共数字“ A-B-C-D”是“ Cl-Trcd-Trp-Tras”。
该品牌的内存将在内存杆的标签上打印Cl值； RasPrechargedElay（TRP），内存地址门时间； 这些是玩家最感兴趣的四次调整。
在相同的频率设置中，最低系列的内存模块是“ 2 -2 -2 -5 ”，它确实可以带来更高的内存性能“ 3 -4 -4 -8 ”，幅度为3 ％至5 ％观点。
内存延迟计算公式
记忆时间将随着频率的增加而增加。DDR ：（ Cl3 *2 000） /4 00MHz = 1 5 nSDDR2 ：（ Cl5 *2 000）/8 00MHz=1 2 .5 Sddr3 ：（ Cl9 *2 000）/1 6 00MHz = 1 1 .5 NSDDR4 ：（ CL1 5 *2 000） /2 1 3 = 1 4 N = 1 4 N频率并不多。
当频率相同时，时间越低，延迟就越小。
同样，当定时相同时，频率越高，延迟就越少。
