为什么第四代DDR4内存条的电压都是1.2V的？
第四代DDR4 存储棒的紧张局势全部为1 .2 V，这是由制造商严格确定的。DDR4 存储器没有低压产品。
所有产品的电压均为标准配置。
只有DDR3 具有标准电压和低压，DDR3 L为1 .3 5 V，标准DDR3 为1 .5 V。
DDR4 和DDR3 ：1 6 位预取机制（DDR3 为8 位）之间存在三个主要差异，并且具有相同的核心频率，理论速度是GDR3 的两倍。
转移规格更可靠，并且数据可靠性得到进一步提高；操作电压降低到1 .2 V，从而使其能够储蓄更大。
扩展数据1 高频2 4 00MHz：DDR4 存储器的主要优点是频率和带宽的增加。
市场上的主流频率为DDR4 -2 1 3 3 ，而爆炸性1 6 GB DDR4 软件包频率为2 4 00MHz。
较高的频率将导致更快的带宽。
新内存的每个棍子都可以给出2 Gbps（2 5 6 MB/s）带宽DDR4 记忆磁带宽2 5 00比DDR4 -2 1 3 3 高3 0％。
2 较低的电压突出了高频和节能的好处。
DDR3 固定内存的标准电压为1 .5 V，甚至节能版本仅为1 .3 5 V。
DDR4 固定内存的标准电压将进一步降低至1 .2 V。
DDR4 继续向高频和低电压发展，显示了高频节能的好处。
3 添加6 个RAS功能。
与DDR3 相比，DDR4 添加了6 个RAS函数，因此DDR4 变得更可靠。
这六个属性是命令/地址，数据，机械损坏，声誉，压力抵抗力和位置修复。
如何区分内存条是几代的
随着计算机技术的持续开发，记忆棒被不断升级和改进。从最初的DDR到最新的DDR5 ，每一代的内存棒都具有独特的功能和优势。
多少一代记忆棒？以下是外观，规格和性能方面的一些细节。
首先，让我们将另一代的记忆棒与形状区分开。
DDR生产记忆棒的金指是平行的，DDR2 生产记忆棒的金指中间略微下沉。
同样，DDR3 产生的记忆棒的金指比DDR2 生产记忆棒的金指宽略宽，并且DDR4 生产记忆棒的金指比DDR3 生成的记忆棒的金指稍窄。
另外，世代记忆棒的大小和数量各不相同。
例如，DDR生成的内存棒使用1 6 8 -PIN DIMM接口，而DDR2 生成的内存棒使用2 4 0 -PIN DIMM接口，但是DDR3 生成的内存棒使用2 4 0 -PIN DIMM接口，但是DDR4 生成的内存棒使用2 8 8 -Pin DIMM接口。
DDR5 创建内存棒使用3 2 0 -PIN DIMM接口。
接下来，让我们看规格的差异。
DDR生产记忆棒的电压为2 .5 V，时钟频率为4 00 MHz，容量为6 4 MB至5 1 2 MB。
DDR2 产生的内存棒的电压降至1 .8 V，时钟频率从4 00MHz增加到8 00MHz，容量从1 2 8 MB增加到1 GB。
DDR3 生成的存储棒的电压添加到1 .5 V，时钟频率从8 00 MHz增加到1 6 6 6 MHz，容量从1 GB增加到1 6 GB。
DDR4 产生的内存棒的电压降低到1 .2 V，时钟频率从1 6 00MHz增加到3 2 00 MHz，容量从4 GB增加到1 2 8 GB。
最后，DDR5 生产记忆棒的电压下降到约1 .1 V，时钟频率从4 8 00 MHz增加到6 4 00 MHz，剂量范围为1 6 GB至1 TB。
在性能方面，多个世代记忆棒存在显着差异。
通过采用不对称的读取和编写任务，DDR生成的内存模块在处理大量数据时非常有效。
DDR2 生成的存储棒采用低压设计和快速数据传输速度，从而大大提高性能。
DDR3 生成的内存模块采用新的包装技术和更高的传输速度来提高性能。
DDR4 生成的存储棒使用低压和更高的传输速度，以进一步提高能源效率和性能。
DDR5 生成记忆棒采用新的体系结构和更高的传输速度，从而使性能定性。
应该注意的是，其他世代的记忆棒无法混合。
当将DDR3 创建的内存棒插入DDR2 生成的插槽中时，系统可能无法正常启动。
因此，在升级或购买内存时，检查主板支持的内存类型和规格。
简而言之，您可以通过观察外观，规格和性能来轻松区分记忆棒的产生。
