内存时序c16与c22差距多大
内存时间是影响计算机性能的关键元素，尤其是在处理大量数据并执行高强度计算时。C1 6 和C2 2 是两个常见的内存定时规范，其主要区别是阅读速度和等待时间。
首先，您需要了解什么是内存时间。
内存时机通常表示内存控制器访问Caslatency（CL）表示的内存所需的时间。
CL值显示了等待内存控制器访问相同内存地址并在时钟周期中的时间。
C1 6 表示CL值为1 6 ，C2 2 的Cl值为2 2 接下来，让我们看一下C1 6 和C2 2 之间的特定差异。
在阅读速度方面，C1 6 具有较小的CL值和更快的阅读速度。
具体而言，如果将内存控制器的读取操作定义为一个“周期”，则C1 6 必须等待1 6 个周期访问相同的地址。
对于C2 2 ，您需要等待第2 2 周期。
因此，C1 6 的阅读速度比C2 2 快约1 8 ％。
就等待时间而言，C1 6 也可以更好地执行。
同样，完成完整读取任务所需的时间称为“延迟”。
在C1 6 的情况下，内存控制器必须等待1 6 个周期，然后才能完成读取。
对于C2 2 ，您需要等待第2 2 周期。
因此，C1 6 的延迟比C2 2 小约1 8 ％。
除了阅读速度和延迟外，C1 6 和C2 2 之间的差异在其他方面反映了。
C1 6 消耗的功率更少，在某些情况下可以提供更好的能源效率比率。
C1 6 的读取速度也更快，因此在需要缓存的某些应用程序方案中可以做得更好。
总之，C1 6 和C2 2 之间的主要区别是阅读速度和延迟。
C1 6 由于其较小的Cl值和较低的等待时间而较小。
这些差异对计算机性能有很大的影响，因此，当您选择内存时，需要根据实际要求选择正确的内存时间。
到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序
在为计算机购买内存时，大多数人都会注意内存能力和频率参数。一般而言，容量越大，越频率就越大。
当然，这两个参数非常重要，但是每个人经常忽略的另一个重要参数是内存时机。
那么，什么是内存时机？另外，对内存性能有什么影响？在流行科学的本期中，Chandejun开始理解此内存参数。
时间序列会影响内存芯片上各种常见操作之间的延迟。
如果延迟超过一定限制，则会影响内存性能。
为了在一个句子中总结一下，内存时机是对记忆在执行各种操作时所经历的固有延迟的解释。
记忆时机是通过时钟周期衡量的。
您可能会在记忆棒产品页面上看到一系列破折号分隔的数字，例如1 6 -1 8 -1 8 -3 8 ，称为内存正时。
本质上，它们代表延迟，因此时间越低，越好。
这四个数字代表所谓的“主要时间”，对延迟产生最大的影响。
对应于内存时间的四个数值值的参数是Cl，TRCD，TRP和TRA，并且单元均为所有周期。
Cl（Caslatency）表示“列列访问列的延迟时间，这是时机中最重要的参数”。
TRCD（rastocasdelay）表示将存储行地址发送到列地址的延迟时间。
TRP（raspre chargetime）表示“在存储器低地址处的频道脉冲的预读时间”。
TRA（rasactivEtime）表示“行地址激活的时间”。
阅读上述后，您是否更加困惑？不用担心，让我们看看一个简单的例子。
您可以想象数据将数据存储在存储器中作为网格，并且每个网格都存储不同的数据。
CPU发布了许多与内存相对应的数据指令。
例如，CPU想要在C3 位置的数据。
从CPU接收指令后，您必须首先确定数据是哪一行。
定时TRCD的第二个参数代表这次。
也就是说，在收到一条线的指令后，内存控制器需要多长时间才能等待此行？在内存确定数据的位置后，您需要确定列以查找数据。
第一个时间数是Cl。
这意味着在访问特定列之前，内存需要等待行数需要多长时间。
确定行的数量和列的数量后，可以准确找到目标数据，因此CL是一个确切的值，并且变化会影响目标数据的位置。
因此，它是定时中最重要的参数，并且在内存性能中起着至关重要的作用。
内存正时TRP的第三个参数是确定等待另一行所需的时间。
第四参数TRA可以很容易地理解为编写数据或在内存中读取的时间。
这通常接近前三个参数的总和。
因此，在确保稳定性的同时，内存正时越低，越好。
但是，我们可以超频许多记忆棒，并知道高频和低时序不一致。
通常，当频率增加时，必须牺牲时机。
如果时机足够低，则很难增加频率。
例如，今年主要存储制造商发布的DDR5 内存的频率实际上正在增加，但是时间安排远高于DDR4 内存。
3400频率内存条最佳时序
3 4 00最佳时间1 8 -2 0-2 0-2 0-2 0-2 0。扩展数据DDR4 3 4 00内存最佳时机4 ,000至4 2 6 6 次。
记忆棒的时机，更好的超频能力。
但是，与记忆棒的频率相比，3 6 00频率高于3 2 00，但1 8 和1 6 之间的差异不大。
对于高频率，略宽的总团块高达4 000至4 2 6 6 ，超过3 2 00个频率。
金士顿3200超频3600最佳时序
1 8 -2 2 -2 2 -4 2 当Kingston 3 2 00至3 6 00内存上提高工作频率时，最佳时间为1 8 -2 2 -2 2 -4 2 CAS（CL）延迟设置为以1 8 个周期的存储单元设置，RAS-TO-LAS（TRCD）延迟设置为2 2 小时，并在全时钟全天2 2 发的课程中设置了pre at餐时间。可以在保持稳定性的同时获得高性能。
内存时序c16与c18差距多大
当我们为计算机配置设备时，我们通常会遇到长时间的斗争，就像选择内存棒时一样。内存C1 6 和C1 8 的同步价格不同，那么两者之间的性能差距的大小是多少？实际上，这不是很重要，约为1 ％-3 ％。
我们通常可以根据自己的经济条件进行选择。
以下是作为参考。
内存C1 6 和C1 8 的同步之间有什么区别：答案：内存C1 6 和C1 8 同步之间的差异为1 ％-3 ％。
1 从理论上讲，在相同的频率下，C1 6 和C1 8 之间的差异约为1 ％。
2 但是，AMD平台具有很高的内存同步要求，因此差异可以达到3 ％。
3 但是，不仅受内存性能影响的频率和日历也是其他因素。
4 .因此，由于各个方面的完整参数，实际使用，C1 6 和C1 8 之间的体感几乎没有差异。
5 直观的差异将主要反映在执行下的评分中。
当C1 6 的比赛得分时，将比C1 8 的时间高约1 00分。
以上是关于内存C1 6 和C1 8 同步之间差异的大小。
通常，如果您拥有丰富的经济学，则可以购买C1 8 ，否则您只需选择C1 6 即可。
无论如何，差距不高。
