内存时序低好还是频率高好？cl=4 cl=5 1t 2t ddt533 ddr667怎么优化好？
当然，记忆的时机减少了，这更好。时机意味着延迟。
通常，DDR2 5 3 3 的官方SPD参数为4 -4 -4 -1 2 DDR2 6 6 7 是5 -5 -5 -1 5 通常，AMD主板只能在1 T或2 T上调整，但是最好以双通道模式设置2 T，以避免不稳定的因素。
内存正时和内存频率是一对敌人。
如果定时较低，则频率不会很高。
如果频率很高，则时机应高。
具体的改进取决于法规。
在间平台上，您对时间不感兴趣，因此您只需要增加内存频率即可。
由于AMD平台在AMD CPU中具有内存控制台，因此时间对AMD平台更为重要。
因此，总体想法不是将记忆频率拉到极限，而留下了一个较小的空间来拉动时间。
确切可以忽略的取决于内存系统，主板上使用的粒子系统和材料。
内存延时与频率和时序的关系？
记忆延迟的压力与时间的时间之间的关系很复杂。这种正式延迟显示了时间表比例的比例。
这意味着序列（即记忆响应时间）增加；内存延迟将增加。
当内存时间增加时，内存延迟将减小。
首先，思想较低的记忆通常是实际表现的更快的表现。
如果时间没有更改，则可以增加内存信息率并减少延迟。
其次，此公式是内存控制器的性能，内存控制器的性能以及其他系统评分。
在实际的硬件设计和使用中，由于主板设计和系统的优化，内存性能的质量将受到内存性能的影响。
通常，该公式提供了基本的理解，但是有必要考虑评估记忆性能的细节和实际情况。
内存应该认为它可以实现，以便在选择频率和实际应用要求时达到最佳性能。
内存时序对性能的影响大吗？
1 因此，在确保稳定性的前提下，内存正时越低，越好。但是我们知道，现在许多记忆棒可以被超频，高频和低时序是矛盾的。
通常，当频率增加时，必须牺牲时机。
如果时间安排足够低，则很难增加频率，例如在今年主要存储制造商发布的DDR5 中。
2 时间对性能只有4 5 ％的影响。
现在，高频内存时机相对较大。
不用担心以这种方式选择频率是您的CPU可以拉起的王室前提，否则将毫无用处。
3 时机并不重要，性能差异也不大。
频率为2 4 002 1 3 3 1 6 00。
4 当然，内存正时越低，越好。
时机意味着延迟。
通常，DDR2 5 3 3 的官方SPD参数为4 4 4 1 2 DDR2 6 6 7 它是5 5 5 1 5 通常，只能将AMD主板设置为1 T或2 T，但是最好以双通道模式设置为2 T，以避免在不引起内存时避免不稳定的因素。
5 这主要取决于电压。
如果CPU超频，内存通常会稍微下降。
如果电压还不够，请在BIOS设置中添加一点电压。
这是有点01 V的高速试验。
如果可以稳定，它将成功。
但是，我真的不建议超频。
如果您不能玩，就看不到性能的提高。
您甚至可能浪费硬件。
有什么可悲的。
6 时间越小，反应时间越快，但此间隙为毫秒。
您在使用过程中无法感觉到它。
已经测试了制造商装配线的内存颗粒，并用于制造铂杆或超频条。
价格比普通酒吧贵。
如果您不超频，则该粒子在过载条件下可能会更稳定。
7 CL4 4 4 1 2 ，标准是这样的，但通常8 00m时的频率为5 5 5 1 5 在6 6 7 m时，4 4 4 1 2 Zhiqi DDR2 8 00 CL5 5 5 5 1 5 可能是这样的。
我使用Jinbang HeilongTip DDR2 8 00，这是少数8 00m频率计时的4 4 4 1 2 内存之一。
8 从理论上讲，这种现代的记忆时间越低，性能越强，并且超频空间越大，则记忆频率越高。
时机将在不同程度上增加。
在DDR时代，默认时间为1 G的时间通常为3 3 3 8 直到今天，据百度百科全书称，最新的DDR4 时机已上升至1 6 1 6 1 6 3 5 9 后者是内存频率和内存正时综合效应的结果。
增加频率和减少的内存时间可以减少内存延迟。
低内存延迟是游戏所需的，记忆频率越高，时间越高，时间越低。
但是，两者都不现实，因为您可以看看。
1 0定时是内存延迟。
越低越好。
如果您想要高频的记忆棒，通常很难抑制时间安排。
因此，具有高频和低时序的内存通常比图的左侧要贵，但是时间安排更好，右侧的频率更高，时间安排稍差一些。
根据整体表现，右侧的表现更强大，并且考虑了价格。
1 1 TRFC值属于第二个小参数，表明刷新间隔期，单位是周期，值越小，越好。
DDR3 存储器通常为9 01 2 0，低于8 0，这可能导致不稳定的Cltrcdtrp和TRA被称为第一个计时，对粒子性能的影响是最明显的，最重要的是内存时机英语内存。
1 2 都很重要。
某些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编码和解码，图像渲染以及具有高物理效果的游戏。
1 3 内存正时参数通常缩写为2 2 2 6 1 1 1 T。
这格式代表Castrcdtrptrascmd 2 2 2 6 1 1 1 T值的最后两个定时参数，该值是TRAS和CMDCommand的缩写。
这些是更复杂的时序参数。
目前，市场对这两个参数有了解。
1 4 时间越低，越好。
但是，根据频率，必须增加内存超频时间。
DDR2 的5 5 5 1 5 可以超频至8 00MHz。
默认的8 00MHz也是默认的DDR默认计时3 3 3 9 2 T4 00MHZDDR2 默认时间5 5 5 5 1 5 2 T8 00MHZDDR3 默认值。
1 5 如果您的计算机具有不是顶端的图形卡CPU，则无需购买以特别高的频率购买存储棒。
即使图形卡CPU是高端，购买高频存储棒也只能增加十帧以上。
1 6 不，DDR8 00为6 _6 _6 1 6 您认为它比1 6 00更好吗？ 您只能说相同频率的延迟时序较小吗？ 1 7 当然，低时机更好，CL9 绝对比CL1 1 更好。
第二个问题是1 6 00。
在这种情况下，带宽比延迟更为重要，因为1 3 3 3 带宽有点低。
内存条时序的高低和频率谁对电脑运行速度影响大
记忆棒的时机具有范围。无论它如何变化，只要频率保持不变，性能就不会改变。
因此，内存棒的性能基本上取决于频率，但是计算机并未在满载下运行，并且内存频率的水平对计算机没有很大的影响。
内存条时序有什么影响内存频率和时序哪个重要
在安装的背景下，每个人都喜欢安装。设备选择中最必不可少的拾取物是记忆棒。
在这个选择中有一个流行的谚语，也就是说，局外人看频率，内部人士看一段时间。
因此，对于许多刚刚学会了如何安装计算机的朋友来说，如何查看记忆时间是一个大问题。
在选择内存时，还有两个重要的参数。
其中之一是记忆的总频率，因此不再需要说话。
频率是记忆棒吞吐量的参数。
时间简单地说明这是一个延迟。
根据直接的说法，他是响应记忆棒的能力的代表，这是一个传奇的延迟大小。
这个含义简单地理解。
以相同频率运行的内存速度越少，延迟越少。
时间通常由四组数字表示，这些数字具有不同的值：第一个数值值称为cl，以简化为Cl，代表列访问快门中的延迟。
简而言之，这是将数据发送到内存时的周期数，并且数据开始响应操作：第二个是TRCD值，这只是线路和数据传输列之间的最小循环数。
第三是TRP值。
一词中，这是电荷前的操作指令与下一行开口之间的最小循环数。
第四个是启动Active Command和字符串以充电命令时TRA是最冷的周期数。
这似乎很尴尬。
简化后，每个人都会了解四个数据是启动四个广泛使用的说明时的第一个数据。
数字越小，运行速度越快。
如果您想学习区分，则可以通过前两个值识别它。
第一个CL的数量会影响延迟，数量越小，性能越好。
一些朋友还发现，从DDR1 到DDR4 的CL时间越来越大，并且记忆棒的频率也会增加。
此值也会影响内存频率。
第二个值TRCD它对记忆棒频率的最大延迟具有最大的影响，因此加速度或高频操作的性能可以通过该值的大小来区分。
当然，上述标识旨在区分相同频率的记忆棒。
内存棒的选择应首先查看频率级别，然后查看时间以区分记忆棒的性能和加速能力。
实际上，选择记忆棒时，请根据它们选择它们，这可以帮助每个人选择有用的记忆棒。
